公开(公告)号：CN115313145A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202211015834.0

申请日：2022-08-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 孙振兴 ,  徐真真 ,  王亚光 ,  杨子江 ,  王鸿基 ,  肖如磊 ,  陈向飞

IPC: H01S5/028 ,  H01S5/10 ,  H01S5/20 ,  H01S5/22 ,  H01S5/343

Abstract: 本发明公开了一种相干多波长激光器，包括F‑P激光器、可饱和吸收体和波长选择镀膜单元；所述F‑P激光器采用双异质结多量子阱结构作为增益介质提供增益，利用端面反射提供反馈实现多波长的激射；所述波长选择镀膜单元，用于在激光器输出端面和可饱和吸收体后端面进行指定光学带宽的光学镀膜；所述可饱和吸收体集成在F‑P激光器背光段，采用与F‑P激光器相同的双异质结多量子阱结构，F‑P激光器以及可饱和吸收体隔离分别加电。本发明不仅能满足WDM系统对高功率多波长光源的需求，还可同时兼顾DWDM和OFDM技术对波长相干性需求。

公开(公告)号：CN114894743A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210502451.X

申请日：2022-05-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 施跃春 ,  王鸿基 ,  陈向飞

IPC: G01N21/39 ,  G01N21/01 ,  G01N21/3504

Abstract: 本发明公开了一种基于反对称光栅的单片集成气体检测装置，包括集成制作在外延片上的有源区、无源区和探测器；有源区、无源区和探测器依次对接成型，且无源区为单路或双路结构，有源区的数量为1个，并与无源区对接，探测器的数量与无源区的路数相同，并与无源区对接；有源区和探测器的能带结构一致，无源区能带的带隙大小与有源区不同。本装置采用单片集成气体检测芯片，光源仅需用宽谱光源，通过无源区滤波实现对波长的准确控制，无源区物理过程对比起有源区相对简单，波长更加容易控制，因此本发明降低了对激光器的制作工艺、封装工艺的相关成本，从而降低TDLAS方法的成本，扩大应用范围。