公开(公告)号：CN119126454A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411262226.9

申请日：2024-09-10

Applicant: 南京大学

Inventor： 蒲殷 ,  梁力 ,  徐敏韩 ,  刘洁

IPC: G02F1/35 ,  G02F1/355 ,  G02F1/365 ,  G02F1/21 ,  G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02B1/00

Abstract: 本发明公开了一种选择性激发的半位错双光学微腔，包括铁氧体圆柱半位错阵列，平行板波导和电磁吸收材料。所述铁氧体圆柱半位错阵列形成方法如下：首先用铁氧体圆柱按矩形点阵排列形成光子晶体，光子晶体分为上下两个子点阵。然后沿上子点阵中线嵌入半列铁氧体圆柱，最后调整上下两个子点阵交界面处的圆柱位置得到两个半位错微腔。半位错阵列放置于平行板波导之间；四个边界均覆盖电磁吸收材料；外置磁场方向垂直于阵列平面。该选择性激发的双光学微腔通过外置磁场打破时间反演对称性来实现镜面对称结构中的选择性激发。本发明提出的半位错双光学微腔选择性激发机制具有原理简单、结构紧凑、激发比高、电磁损耗小、抗干扰性强等优点。