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公开(公告)号：CN108281882A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201711363816.0
申请日：2017-12-18
Applicant: 南京大学
IPC: H01S3/109
Abstract: 一种产生倍频Ince-Gaussian光束的方法；基于非线性光学计算全息的理论，将IG光束的相位和振幅信息带入全息图的定义式中，用MATLAB编程做出携带有IG光束光场分布的全息图；采用无掩膜光刻的方法，将全息图转移到LN晶体薄膜上，在LN晶体薄膜中制备出全息图的畴结构:用电子束蒸发的方法在LN晶体薄膜表面镀一层金属Cr，剥离后形成极化所需的图案电极；用探针加压的方法实现畴结构的制备；将飞秒激光泵浦到畴结构LN晶体薄膜中，在远场一阶衍射处产生倍频IG光束。该方法同时实现了光束整形和频率转化的过程，具有集成化的优势。
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公开(公告)号：CN108166065A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711319646.6
申请日：2017-12-12
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种LN晶体薄膜畴结构的制备方法，包括以下步骤：)确定LN晶体薄膜的+C面；清洗；匀胶；在LN晶体薄膜的+C面涂覆光刻胶；光刻胶涂覆1±0.2um厚度的光刻胶；匀胶后，在65±15℃热台上进行烘干，时间为7±3分钟；光刻与显影；镀膜；采用电子束蒸发镀膜，在显影后的样品表面镀上一层金属电极，作为后续极化的电极图案；镀膜金属为铬，膜厚为120±20nm；光刻胶剥离；加压极化；使用探针加压法，其中采用导电盐溶液能够使得ITO玻璃衬底和与LN晶薄膜‑C面形成良好的欧姆接触；两个探针分别接触LN晶体薄膜的+C面图案电极与衬底上的ITO玻璃；然后在探针上施加一个脉冲偏置电压，完成对LN晶体薄膜的室温极化，随后用铬腐蚀液将LN晶体薄膜表面的金属电极图案去除。
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公开(公告)号：CN112835262A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202110003399.9
申请日：2021-01-04
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提供一种掺镁铌酸锂畴结构的制备方法，所述制备方法通过依次在掺镁铌酸锂晶体表面进行第一次涂覆光刻胶、光刻与显影、镀膜、剥离光刻胶、第二次涂覆光刻胶和加压极化制备金属电极图案，实现制备掺镁铌酸锂晶体畴结构，通过两次涂覆光刻胶和加压极化的制备方法，能够在较大厚度的掺镁铌酸锂表面得到任意的、均匀的、贯穿的、稳定存在的畴结构，成品率高，所述制备方法简单，且操作安全。
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公开(公告)号：CN112835262B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202110003399.9
申请日：2021-01-04
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提供一种掺镁铌酸锂畴结构的制备方法，所述制备方法通过依次在掺镁铌酸锂晶体表面进行第一次涂覆光刻胶、光刻与显影、镀膜、剥离光刻胶、第二次涂覆光刻胶和加压极化制备金属电极图案，实现制备掺镁铌酸锂晶体畴结构，通过两次涂覆光刻胶和加压极化的制备方法，能够在较大厚度的掺镁铌酸锂表面得到任意的、均匀的、贯穿的、稳定存在的畴结构，成品率高，所述制备方法简单，且操作安全。
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