一种提高阈值电压的增强型p沟道场效应晶体管

    公开(公告)号:CN116344581A

    公开(公告)日:2023-06-27

    申请号:CN202310033025.0

    申请日:2023-01-10

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种提高阈值电压的增强型p沟道场效应晶体管,该结构包括位于最底部的衬底,外延生长的GaN层、AlGaN层、GaN层、p‑GaN层、p++GaN层、经过刻蚀后选区外延生长的AlN或者AlGaN极化栅(AlxGa1‑xN层),或在GaN沟道层与p‑GaN之间直接外延生长的AlN或AlGaN层(AlxGa1‑xN层),栅区Al2O3介质层,源漏栅电极等主要部分。经过模拟分析,相比于传统的凹栅增强型p‑FET,引入的栅区AlN极化栅,可以显著提高增强型p‑FET的阈值电压。

    一种用于治理重金属污染土壤的调控剂及其制备和使用方法

    公开(公告)号:CN101003452A

    公开(公告)日:2007-07-25

    申请号:CN200710019264.1

    申请日:2007-01-10

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了用于治理重金属污染土壤的调控剂及其制备和使用方法,首先将动物骨头经加工提取的天然羟基磷灰石粉体为主原料,以1∶0.5~1配以适量市售硅钙镁肥,同时以溶液形式添加铁、锌、锰、钼、硼等元素,充分混合后烘干制成粉末调控剂。调控剂元素组成按重量百分比为:CaO 40%~50%、SiO210%~20%、MgO 3%~6%、P2O515%~30%、Al2O35%~10%、K2O 0.1%~0.5%、Fe2O30.1%~1.0%、ZnO 0.3%~0.5%、MnO 0.1%~0.5%,其余为杂质。调控剂使用方法可根据具体情况,按土壤干重0.05%~1.0%的比例添加调控剂,充分混匀。本发明的优点在于:原料来源广泛,生产工艺简单、成本低廉、能同时固定多种重金属,修复效果好,用量少且不出现二次污染,不影响土壤结构,并能提供多种养分,可部分替代化肥使用。

    一种用于治理重金属污染土壤的调控剂及其制备和使用方法

    公开(公告)号:CN100465137C

    公开(公告)日:2009-03-04

    申请号:CN200710019264.1

    申请日:2007-01-10

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了用于治理重金属污染土壤的调控剂及其制备和使用方法,首先将动物骨头经加工提取的天然羟基磷灰石粉体为主原料,以1∶0.5~1配以适量市售硅钙镁肥,同时以溶液形式添加铁、锌、锰、钼、硼等元素,充分混合后烘干制成粉末调控剂。调控剂元素组成按重量百分比为:CaO 40%~50%、SiO210%~20%、MgO 3%~6%、P2O515%~30%、Al2O35%~10%、K2O 0.1%~0.5%、Fe2O30.1%~1.0%、ZnO 0.3%~0.5%、MnO 0.1%~0.5%,其余为杂质。调控剂使用方法可根据具体情况,按土壤干重0.05%~1.0%的比例添加调控剂,充分混匀。本发明的优点在于:原料来源广泛,生产工艺简单、成本低廉、能同时固定多种重金属,修复效果好,用量少且不出现二次污染,不影响土壤结构,并能提供多种养分,可部分替代化肥使用。

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