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公开(公告)号：CN105181189B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201510695617.4
申请日：2015-10-23
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种基于巨压阻特性的硅纳米线压力传感器及其封装结构，包括：壳体、传感器芯片，所述传感器芯片包括：硅纳米线巨压阻敏感结构、硅底层、绝缘二氧化硅层、硅顶层；所述硅纳米线巨压阻敏感结构包括多根硅纳米线、受力应变薄膜层、多块电极，所述多根硅纳米线包括四对平行设置的两根硅纳米线，所述四对平行设置的两根硅纳米线分别连接在四块电极与受力应变薄膜层之间；所述硅纳米线在绝缘二氧化硅层对应位置处设置有通槽。本发明提供的基于巨压阻特性的硅纳米线压力传感器及其封装结构，通过外部环境气压引起传感器芯片形成机械应力改变硅纳米线导电沟道的空穴浓度巨减，甚至夹断来实现巨压阻效应。
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公开(公告)号：CN104090165A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410214287.8
申请日：2014-05-21
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明是关于一种硅纳米传感阵列巨压阻系数测量系统及四点弯曲施力装置，该系统由四点弯曲施力装置、微小阻值检测装置和微小应变检测装置三部分构成。其中四点弯曲施力装置给硅纳米线传感阵列芯片施加均匀轴向应力（应变），该装置包括船型底座、底座滑轨槽、镜像放置的等高L型夹具、镜像放置的等高L型载荷支撑平台、螺母、垫片、螺纹连杆、顶部连杆、若干质量的砝码、托盘以及加载压头。通过间距可调的加载压头上的连杆往托盘上添加砝码对硅纳米线施加压力，通过微小阻值检测装置测出受压后桥路两端输出电压。本发明装置制作简单、体积小、成本低廉、功耗低，由于利用阵列式多点平均测量技术，因而它具有更高精度和更好的稳定性。
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公开(公告)号：CN105223421B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201510758072.7
申请日：2015-11-09
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米线巨压阻特性测量装置，包括：纳米线、铂电阻温度传感器、电热致动器、基于电容测量的位移传感器、电极、基于电容测量的负荷传感器，所述铂电阻温度传感器、电热致动器、基于电容测量的位移传感器、基于电容测量的负荷传感器依次连接，所述电极数量设置为四个，所述四个电极设置在基于电容测量的位移传感器与基于电容测量的负荷传感器之间，两个水平放置的电极之间设置有纳米线，所述纳米线上下两侧均设置有电极。本发明提供的纳米线巨压阻特性测量装置及其制造方法，实现纳米线的机械特性与电气特性的同时测量，从而完成压阻系数的表征，可适用于多种不同测量样本。
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公开(公告)号：CN105181189A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510695617.4
申请日：2015-10-23
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种基于巨压阻特性的硅纳米线压力传感器及其封装结构，包括：壳体、传感器芯片，所述传感器芯片包括：硅纳米线巨压阻敏感结构、硅底层、绝缘二氧化硅层、硅顶层；所述硅纳米线巨压阻敏感结构包括多根硅纳米线、受力应变薄膜层、多块电极，所述多根硅纳米线包括四对平行设置的两根硅纳米线，所述四对平行设置的两根硅纳米线分别连接在四块电极与受力应变薄膜层之间；所述硅纳米线在绝缘二氧化硅层对应位置处设置有通槽。本发明提供的基于巨压阻特性的硅纳米线压力传感器及其封装结构，通过外部环境气压引起传感器芯片形成机械应力改变硅纳米线导电沟道的空穴浓度巨减，甚至夹断来实现巨压阻效应。
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公开(公告)号：CN104090165B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410214287.8
申请日：2014-05-21
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明是关于一种硅纳米传感阵列巨压阻系数测量系统及四点弯曲施力装置，该系统由四点弯曲施力装置、微小阻值检测装置和微小应变检测装置三部分构成。其中四点弯曲施力装置给硅纳米线传感阵列芯片施加均匀轴向应力（应变），该装置包括船型底座、底座滑轨槽、镜像放置的等高L型夹具、镜像放置的等高L型载荷支撑平台、螺母、垫片、螺纹连杆、顶部连杆、若干质量的砝码、托盘以及加载压头。通过间距可调的加载压头上的连杆往托盘上添加砝码对硅纳米线施加压力，通过微小阻值检测装置测出受压后桥路两端输出电压。本发明装置制作简单、体积小、成本低廉、功耗低，由于利用阵列式多点平均测量技术，因而它具有更高精度和更好的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105223421A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510758072.7
申请日：2015-11-09
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米线巨压阻特性测量装置，包括：纳米线、铂电阻温度传感器、电热致动器、基于电容测量的位移传感器、电极、基于电容测量的负荷传感器，所述铂电阻温度传感器、电热致动器、基于电容测量的位移传感器、基于电容测量的负荷传感器依次连接，所述电极数量设置为四个，所述四个电极设置在基于电容测量的位移传感器与基于电容测量的负荷传感器之间，两个水平放置的电极之间设置有纳米线，所述纳米线上下两侧均设置有电极。本发明提供的纳米线巨压阻特性测量装置及其制造方法，实现纳米线的机械特性与电气特性的同时测量，从而完成压阻系数的表征，可适用于多种不同测量样本。
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公开(公告)号：CN204218727U
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201420718222.2
申请日：2014-11-26
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: A47J37/06
Abstract: 本实用新型公开了一种新型烧烤架，包括矩形体的烧烤支架、第一挡风板和第二挡风板，第一挡风板固定连接在烧烤支架的左、右侧壁上，第二挡风板固定连接在烧烤支架的后侧侧壁上，且高于第一挡风板，在第二挡风板顶端固定连接有支撑板，且支撑板垂直于第二挡风板，第二挡风板上设有排风扇，排风扇后侧设有带孔的隔尘板。本实用新型结构紧凑、占用空间小，支撑板可用来放置烧烤时的烧烤原料，在排风扇后侧设有带孔的隔尘板，隔尘板可以进一步吸附烧烤产生的可吸入颗粒，减少了大气污染。
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公开(公告)号：CN205193157U
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201520888642.X
申请日：2015-11-09
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本实用新型公开了一种纳米线巨压阻特性测量装置，包括：纳米线、铂电阻温度传感器、电热致动器、基于电容测量的位移传感器、电极、基于电容测量的负荷传感器，所述铂电阻温度传感器、电热致动器、基于电容测量的位移传感器、基于电容测量的负荷传感器依次连接，所述电极数量设置为四个，所述四个电极设置在基于电容测量的位移传感器与基于电容测量的负荷传感器之间，两个水平放置的电极之间设置有纳米线，所述纳米线上下两侧均设置有电极。本实用新型提供的纳米线巨压阻特性测量装置，实现纳米线的机械特性与电气特性的同时测量，从而完成压阻系数的表征，可适用于多种不同测量样本。
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公开(公告)号：CN204101634U
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201420259503.6
申请日：2014-05-21
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本实用新型是关于一种硅纳米传感阵列巨压阻系数测量系统及四点弯曲施力装置，该系统由四点弯曲施力装置、微小阻值检测装置和微小应变检测装置三部分构成。其中四点弯曲施力装置给硅纳米线传感阵列芯片施加均匀轴向应力（应变），该装置包括船型底座、底座滑轨槽、镜像放置的等高L型夹具、镜像放置的等高L型载荷支撑平台、螺母、垫片、螺纹连杆、顶部连杆、若干质量的砝码、托盘以及加载压头。通过间距可调的加载压头上的连杆往托盘上添加砝码对硅纳米线施加压力，通过微小阻值检测装置测出受压后桥路两端输出电压。本实用新型装置制作简单、体积小、成本低廉、功耗低，由于利用阵列式多点平均测量技术，因而它具有更高精度和更好的稳定性。
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公开(公告)号：CN203719811U
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201420019490.5
申请日：2014-01-14
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本实用新型公开了微压传感器微弱电压信号检测装置，包括依次连接的微压传感器阵列、多路复用开关、信号调理电路以及控制电路，还包括温度传感器、光耦隔离器和直流电源，温度传感器连接控制电路，直流电源经光耦隔离器为信号调理电路供电，直流电源还为控制电路供电。本实用新型采用阵列式多点平均测量方式，有效地消除了由于传感器个体本身的缺陷带来的测量误差和减少了由于传感器芯片蠕变而产生的随机误差或重复性误差，显著减少了零漂的影响。
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