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公开(公告)号：CN117119879A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310217511.8
申请日：2023-03-08
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H10N97/00
Abstract: 本申请提供一种具有多层介电质的存储电容器。该存储电容器包括一下电极、一上电极、一第一介电质层、一第二介电质层以及一第三介电质层。该第一介电质层覆盖该下电极，该第二介电质层设置于该第一介电质层上，该第三介电质层设置于该第二介电质层上。该上电极设置于该第三介电质层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117279368A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310190097.6
申请日：2023-03-02
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种存储器元件，包括一半导体基底，具有一主动区；以及一字元线，延伸跨经主动区。存储器元件包括一第一源极/漏极区与一第二源极/漏极区，设置在主动区中以及在字元线的相对两侧处；一位元线，设置在该第一源极/漏极区上并电性连接到该第一源极/漏极区；以及一电容器，设置在该第二源极/漏极区上并电性连接到该第二源极/漏极区。该电容器包括一下电极、一上电极以及一电容器介电结构，该电容器介电结构设置在该下电极与该上电极之间。该电容器介电结构包括一第一金属氧化物层；一第二金属氧化物层，设置在该第一金属氧化物层上；以及一第三金属氧化物层，设置在该第二金属氧化物层上。该第一、第二与第三金属氧化物层包括相互不同的材料。
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公开(公告)号：CN117119788A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310279229.2
申请日：2023-03-21
Applicant: 南亚科技股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种存储电容器的制备方法。该制备方法包括：形成一下电极；沉积一第一介电质层以覆盖该下电极；在该第一介电质层上沉积一第二介电质层；在该第二介电质层上沉积一第三介电质层；以及在该第三介电质层上形成一上电极。
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公开(公告)号：CN119890197A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202410207482.1
申请日：2024-02-26
Applicant: 南亚科技股份有限公司
Abstract: 本揭示内容提供一种形成电容器的方法。方法包括以下操作。以第一温度形成金属氧化物绝缘层在第一导电层上，其中第一温度低于金属氧化物绝缘层的结晶温度。以第二温度形成第二导电层在金属氧化物绝缘层上。以第三温度形成绝缘层在第二导电层上，以结晶化金属氧化物绝缘层而形成结晶的金属氧化物绝缘层，其中第二温度介于第一温度与第三温度之间。本揭示内容在形成电容器时以梯度递增的方式使用第一温度、第二温度和第三温度而可容易地实施本揭示内容的方法，并通过本揭示内容的方法可形成具有高的长宽比的电容器、提升电容器的电容量以及避免漏电流。
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公开(公告)号：CN116981248A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202210774650.6
申请日：2022-07-01
Applicant: 南亚科技股份有限公司
Abstract: 一种形成电容结构的方法包括以下流程。形成第一电极。在第一温度下于第一电极上方形成铪锆氧化物(HZO)层。在高于第一温度的第二温度下于HZO层上形成中介介电层。退火HZO层与中介介电层。
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公开(公告)号：CN116959969A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210740426.5
申请日：2022-06-27
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 本揭露提供一种半导体元件的制造方法。该方法包含：沉积第一半导体层于基板的沟槽的内表面上；沉积第二半导体层于基板的沟槽的内表面的第一半导体层上，其中第一半导体层的掺杂物浓度小于第二半导体层的掺杂物浓度；以及沉积第三半导体层于第二半导体层上以填充基板的沟槽，其中第三半导体层的掺杂物浓度小于第二半导体层的掺杂物浓度。本揭露的半导体元件及其制造方法可以降低产生多晶孔洞的可能性并降低电阻率，从而提高其电性能。
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