快闪存储器晶圆测试方法以及机台

    公开(公告)号:CN105989895A

    公开(公告)日:2016-10-05

    申请号:CN201510054514.X

    申请日:2015-02-03

    Abstract: 本发明提供了一种快闪存储器晶圆测试方法以及机台。所述方法包括:提供一强编程化电位;提供一一般擦除电位;以及,以该强编程化电位以及该一般擦除电位反复编程化以及擦除一快闪存储器晶圆上的多个快闪存储器晶粒达N次。N值根据所述快闪存储器晶粒的一耐受度预估值而设定,使以该强编程化电位以及该一般擦除电位反复编程化以及擦除所述快闪存储器晶粒N次的过程中略去验证操作。本发明能够加速不良晶粒的筛除,使测试流程简洁快速。

    内存单元数组中筛除离群位及检测位线短路的方法

    公开(公告)号:CN106971755A

    公开(公告)日:2017-07-21

    申请号:CN201610020349.0

    申请日:2016-01-13

    CPC classification number: G11C29/04

    Abstract: 本发明提供一种内存单元数组中筛除离群位及检测位线短路的方法。内存单元数组中筛除离群位的方法包括:提供一内存单元数组。内存单元数组包括多个内存单元、多条字符线、多条位线以及多条源极线,且各内存单元连接至一条位线、一条字符线以及一条源极线。输入一第一电压给由这些位线选择出来的一条选择位线,输入一第二电压给未选择位线,并且量测内存单元的临界电压。筛除临界电压离群的内存单元的位。本发明的内存单元数组中筛除离群位的方法可以有效筛除离群且不符规范的位,内存单元数组的位线短路的检测方法可以提升检测效率。

    内存单元数组中筛除离群位及检测位线短路的方法

    公开(公告)号:CN106971755B

    公开(公告)日:2020-06-09

    申请号:CN201610020349.0

    申请日:2016-01-13

    Abstract: 本发明提供一种内存单元数组中筛除离群位及检测位线短路的方法。内存单元数组中筛除离群位的方法包括:提供一内存单元数组。内存单元数组包括多个内存单元、多条字符线、多条位线以及多条源极线,且各内存单元连接至一条位线、一条字符线以及一条源极线。输入一第一电压给由这些位线选择出来的一条选择位线,输入一第二电压给未选择位线,并且量测内存单元的临界电压。筛除临界电压离群的内存单元的位。本发明的内存单元数组中筛除离群位的方法可以有效筛除离群且不符规范的位,内存单元数组的位线短路的检测方法可以提升检测效率。

    快闪存储器晶片测试方法以及中测台

    公开(公告)号:CN106328212A

    公开(公告)日:2017-01-11

    申请号:CN201510375258.4

    申请日:2015-07-01

    Abstract: 本发明提供一种快闪存储器晶片测试方法以及中测台。所述方法包括:对一快闪存储器晶片上的多个快闪存储器芯片施行控制信号线耐受度模拟,是对该等快闪存储器芯片的字线、或位线、或字线与位线两者进行耐受度模拟;以N次回圈反复程序化以及抹除该多个快闪存储器芯片;以及在施行上述控制信号线耐受度模拟之后、以及N次回圈反复程序化以及抹除该等快闪存储器芯片之前,更对该等快闪存储器芯片作回烤修复。通过本发明,可以加速不良芯片的筛除。

    快闪存储器晶片测试方法以及中测台

    公开(公告)号:CN106328212B

    公开(公告)日:2019-09-24

    申请号:CN201510375258.4

    申请日:2015-07-01

    Abstract: 本发明提供一种快闪存储器晶片测试方法以及中测台。所述方法包括:对一快闪存储器晶片上的多个快闪存储器芯片施行控制信号线耐受度模拟,是对该等快闪存储器芯片的字线、或位线、或字线与位线两者进行耐受度模拟;以N次回圈反复程序化以及抹除该多个快闪存储器芯片;以及在施行上述控制信号线耐受度模拟之后、以及N次回圈反复程序化以及抹除该等快闪存储器芯片之前,更对该等快闪存储器芯片作回烤修复。通过本发明,可以加速不良芯片的筛除。

    快闪存储器晶圆测试方法以及机台

    公开(公告)号:CN105989895B

    公开(公告)日:2019-03-15

    申请号:CN201510054514.X

    申请日:2015-02-03

    Abstract: 本发明提供了一种快闪存储器晶圆测试方法以及机台。所述方法包括:提供一强编程化电位;提供一一般擦除电位;以及,以该强编程化电位以及该一般擦除电位反复编程化以及擦除一快闪存储器晶圆上的多个快闪存储器晶粒达N次。N值根据所述快闪存储器晶粒的一耐受度预估值而设定,使以该强编程化电位以及该一般擦除电位反复编程化以及擦除所述快闪存储器晶粒N次的过程中略去验证操作。本发明能够加速不良晶粒的筛除,使测试流程简洁快速。

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