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公开(公告)号：CN119128596A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411267512.4
申请日：2024-09-10
Applicant: 华翊博奥(北京)量子科技有限公司
Inventor： 赵文定
Abstract: 一种分类处理的方法、装置、计算机存储介质及终端，应用于组合数学优化问题，包括：根据自变量矩阵中的两个以上变量分别独立反转和同时反转时目标函数的增加值，确定关联矩阵，其中，关联矩阵用于描述两个以上变量之间的相互关系及变量发生变化对目标函数的改变；根据确定的关联矩阵构造拉普拉斯矩阵；通过构造的拉普拉斯矩阵构建用于变量分类的矩阵；优化用于变量分类的矩阵至收敛时，获得预设数量的第一特征向量；将获得的第一特征向量聚类到预设数量个团簇中，获得预设数量个变量分类的分组。本公开实施例确定关联矩阵后，通过拉普拉斯矩阵进行变量分类处理，降低了变量分类过程对启发式方法的依赖，提升了变量分类的质量。
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公开(公告)号：CN119128595A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411267460.0
申请日：2024-09-10
Applicant: 华翊博奥(北京)量子科技有限公司
Inventor： 赵文定
Abstract: 一种分类处理的方法、装置、计算机存储介质及终端，本公开实施例确定关联矩阵，拆分关联矩阵为两个以上部分，通过计算每一个第一子关联矩阵获得特征矩阵，从特征矩阵中选择第一特征向量，构建第二子关联矩阵，构建第一子关联矩阵的拉普拉斯矩阵后，进一步根据距离函数、子目标函数及拉普拉斯矩阵构建子目标函数多视图修正函数，通过求解子目标函数多视图修正函数获得用于变量分类的第二特征向量，实现了基于第二特征向量的变量分类，降低了变量分类过程对启发式方法的依赖，提升了变量分类的质量。
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公开(公告)号：CN116435165B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310693048.4
申请日：2023-06-13
Applicant: 华翊博奥(北京)量子科技有限公司
Abstract: 本文公开一种离子阱及量子计算装置，包括：粒子源、离子囚禁装置和一个以上挡板；其中，粒子源朝离子囚禁装置的离子囚禁区域喷射粒子束；挡板设置于粒子源和离子囚禁装置之间，包含一个以上限流孔，限流孔位于粒子源喷射粒子束的喷射路径上，用于通过预设发散角内的粒子束，以实现对喷射至离子囚禁区域的粒子束发散角和速度分布的筛选。本发明实施例在离子阱中设置挡板，通过挡板中的限流孔通过预设发散角内的粒子束，避免了离子装载过程中的电极污染。
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公开(公告)号：CN116167448A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310187347.0
申请日：2023-02-21
Applicant: 华翊博奥(北京)量子科技有限公司
Abstract: 本文公开一种实现量子操作的装置及量子计算机，包括：光学调制器和操作单元；其中，光学调制器设置为：对输入的高斯光斑进行整形处理，获得平顶激光；操作单元设置为：将获得的平顶激光作为操作激光照射离子晶体，以执行量子操作；其中，平顶激光为：光斑功率半高全宽范围内平均功率密度与光斑的最高功率密度的比值大于预先设定的比值阈值的激光。本发明实施例对高斯光斑进行整形处理，获得了功率密度均匀的操作激光；进一步的，本发明实施例对平顶激光进行聚焦处理，实现了大小可控的用于照射离子晶体的操作激光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116564792B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202310430242.3
申请日：2023-04-20
Applicant: 华翊博奥(北京)量子科技有限公司
Abstract: 本文公开一种芯片离子阱及量子计算装置，包括：射频(RF)电极、直流(DC)电极和孔槽；其中，一个以上RF电极的一条以上边，在距离孔槽预设距离的范围内包含一个以上内凹形状；其中，内凹形状包括：位于内凹形状两端的第一线段与和第一线段相邻的第二线段的夹角小于180度，第二线段为第一线段所在射频电极中除去内凹形状部分、与第一线段连接的线段；内凹形状两端的第二线段连接形成第三线段，内凹形状中的点均位于第三线段靠近RF电极中心的一侧。本发明实施例通过RF电极包含的内凹形状，抑制了芯片离子阱中发生电场的畸变，提升了离子阱的轴向一致性，为提高量子计算相关操作的保真度和量子计算机整体性能提供支持。
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公开(公告)号：CN116611526A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310578744.0
申请日：2023-05-22
Applicant: 华翊博奥(北京)量子科技有限公司
Abstract: 本文公开一种实现伊辛模型的方法及装置，包括：在离子阱系统中，将N组寻址的电磁场分别照射N个离子量子比特中的每一个离子量子比特，以利用每组电磁场形成的N个拍频成分非共振地耦合集体振动模式；调节每个离子量子比特上N个拍频成分的强度，以进行耦合系数的调整；其中，N个拍频成分中的至少两个拍频成分的拍频频率位于集体振动模式频谱范围之外；拍频频率位于集体振动模式频谱范围之外包括：拍频频率本身位于集体振动模式频谱范围之外；或，拍频频率扣除量子比特频率之后的部分的频率位于集体振动模式频谱范围之外。本发明实施例通过离子阱系统实现了具备可扩展性的、耦合系数任意可调的伊辛模型。
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公开(公告)号：CN115456185A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202210998177.X
申请日：2022-08-19
Applicant: 华翊博奥(北京)量子科技有限公司
Abstract: 本文公开一种构建量子逻辑门的方法和装置，包括：通过预设驱动频率的幅度调制器对第一连续激光进行振幅调制，获得包含两个以上频率成分的用于构造量子逻辑门的第二连续激光；通过获得的第二连续激光构建量子逻辑门；其中，量子逻辑门包括：单比特量子逻辑门和双比特量子逻辑门。本发明实施例通过振幅调制获得的第二连续激光，同时实现了不受激光相位噪声影响的单比特量子逻辑门和双比特量子逻辑门，量子逻辑门的数量不再受激光相干时间限制，为实现大规模量子计算提供了基础。
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公开(公告)号：CN115759271B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202211425831.4
申请日：2022-11-14
Applicant: 华翊博奥(北京)量子科技有限公司
Abstract: 本文公开一种实现状态探测的方法及装置，包括：通过全局探测激光照射三维离子量子比特阵列；调整成像系统焦平面，以获得全局探测激光照射每一层三维离子量子比特阵列的第一荧光成像；根据获得的第一荧光成像，确定三维离子量子比特阵列中每一个离子量子比特的状态信息。本发明实施例通过调整成像系统焦平面，获取每一层三维离子量子比特阵列的第一荧光成像，通过获取的第一荧光成像确定每一个离子量子比特的状态，实现了三维离子量子比特阵列的状态探测，为实现大规模离子量子计算提供了技术支持。
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公开(公告)号：CN115409191B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202211058803.3
申请日：2022-08-31
Applicant: 华翊博奥(北京)量子科技有限公司
Abstract: 本文公开一种实现状态相干转移的方法、装置及量子计算装置，包括利用寻址光照射量子比特阵列中的第一量子比特，激发第一量子比特的第一长寿命能级上一个以上用于量子比特编码的子能级到预先确定的子能级的跃迁；通过全局光照射量子比特阵列中的所有量子比特，以执行第一长寿命能级和第二长寿命能级间的状态相干转移；本发明实施例通过全局光实现状态相干转移的并行处理，降低了量子计算的时间消耗，为提升量子计算效率提供了技术支持。
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