一种离子阱及量子计算装置

    公开(公告)号:CN114512259B

    公开(公告)日:2025-02-07

    申请号:CN202210288289.6

    申请日:2022-03-22

    Inventor: 蔡明磊

    Abstract: 本文公开一种离子阱和量子计算装置,离子阱包括:安装于预设支架上的直流(DC)电极;DC电极的前端设置有第一切割线,第一切割线与DC电极的靠近离子阱中心的边线所形成的角度为80度到90度;其中,第一切割线为用于将DC电极切割为电极分段的切割线中位于DC电极的前端的切割线;DC电极为刀片电极,前端为刀片电极横截面为梯形的部分。本发明实施例中,位于离子阱DC电极的前端的第一切割线与DC电极的靠近离子阱中心的边线构成80度到90度之间的一个夹角,既有效保证了电极分段加工精度,还避免了分布在前端的电极分段出现尖角断裂和间距不等的问题,同时降低了电极分段加工对离子链稳定性的影响。

    光纤法兰盘
    2.
    发明公开
    光纤法兰盘 审中-实审

    公开(公告)号:CN119310686A

    公开(公告)日:2025-01-14

    申请号:CN202411591999.1

    申请日:2024-11-08

    Abstract: 本公开实施例公开了一种光纤法兰盘,涉及但不限于光纤连接技术。该光纤法兰盘包括固定件及连接端口。其中,固定件能够将光纤法兰盘的整体与其他设备连接,便于其他设备与光纤连接。连接端口设置成与光纤接头固定连接,以使光纤接头与所述连接端口同轴设置,所述连接端口与所述固定件旋转连接,并能够沿所述连接端口的轴向相对所述固定件旋转。如此通过连接端口相对固定件旋转,即可转动保偏光纤的快轴,将保偏光纤的快轴和入射光的偏振方向对准重合,以及调节出射光的偏振方向,从而方便对光的偏振方向进行调节。

    一种实现状态纯化的方法、装置及量子计算机

    公开(公告)号:CN114970870B

    公开(公告)日:2024-08-23

    申请号:CN202210605668.3

    申请日:2022-05-30

    Inventor: 蔡明磊

    Abstract: 本文公开一种实现状态纯化的方法、装置及量子计算机,本发明实施例通过拉曼跃迁将处于第一超精细结构能级上目标态之外的塞曼子能级的离子转移到亚稳态,该转移过程具备单比特寻址能力,避免了对事先存储在亚稳态上的不需要执行状态纯化的其它量子比特的影响;拉曼跃迁对处于目标态的离子无影响,而仅对处于第一超精细结构能级上目标态之外的塞曼子能级的离子进行转移到亚稳态的处理,这样,通过拉曼跃迁和抽运处理,在不影响处于亚稳态上无需状态纯化的量子比特的情况下实现了离子的状态纯化,为实现量子计算的拓展应用提供了技术支持。

    一种实现量子操作的装置及量子计算机

    公开(公告)号:CN116167448A

    公开(公告)日:2023-05-26

    申请号:CN202310187347.0

    申请日:2023-02-21

    Abstract: 本文公开一种实现量子操作的装置及量子计算机,包括:光学调制器和操作单元;其中,光学调制器设置为:对输入的高斯光斑进行整形处理,获得平顶激光;操作单元设置为:将获得的平顶激光作为操作激光照射离子晶体,以执行量子操作;其中,平顶激光为:光斑功率半高全宽范围内平均功率密度与光斑的最高功率密度的比值大于预先设定的比值阈值的激光。本发明实施例对高斯光斑进行整形处理,获得了功率密度均匀的操作激光;进一步的,本发明实施例对平顶激光进行聚焦处理,实现了大小可控的用于照射离子晶体的操作激光。

    拉曼跃迁的方法和装置、构建量子逻辑门的方法及装置

    公开(公告)号:CN114925838A

    公开(公告)日:2022-08-19

    申请号:CN202210367415.7

    申请日:2022-04-08

    Inventor: 蔡明磊 姚麟

    Abstract: 本文公开一种拉曼跃迁的方法和装置、构建量子逻辑门的方法及装置,包括:对单频的第一连续激光进行频移,获得仅包含两个频率成分的第二连续激光;利用获得的第二连续激光照射量子比特,以实现量子比特的拉曼跃迁。本发明实施例通过对单频的第一连续激光进行频移,获得了仅包含两个频率成分的第二连续激光,由于获得的是仅包含两个频率成分的第二连续激光,因此无需进行重复频率调制,由于第二连续激光不是采用相位调制获得,因此也无需处理贝塞尔函数幅度问题,本发明实施例为在简化硬件复杂度的基础上构建量子逻辑门提供了技术支持。

    一种实现状态探测的方法及装置

    公开(公告)号:CN115759271B

    公开(公告)日:2024-09-27

    申请号:CN202211425831.4

    申请日:2022-11-14

    Abstract: 本文公开一种实现状态探测的方法及装置,包括:通过全局探测激光照射三维离子量子比特阵列;调整成像系统焦平面,以获得全局探测激光照射每一层三维离子量子比特阵列的第一荧光成像;根据获得的第一荧光成像,确定三维离子量子比特阵列中每一个离子量子比特的状态信息。本发明实施例通过调整成像系统焦平面,获取每一层三维离子量子比特阵列的第一荧光成像,通过获取的第一荧光成像确定每一个离子量子比特的状态,实现了三维离子量子比特阵列的状态探测,为实现大规模离子量子计算提供了技术支持。

    一种实现状态相干转移的方法、装置及量子计算装置

    公开(公告)号:CN115409191B

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202211058803.3

    申请日:2022-08-31

    Abstract: 本文公开一种实现状态相干转移的方法、装置及量子计算装置,包括利用寻址光照射量子比特阵列中的第一量子比特,激发第一量子比特的第一长寿命能级上一个以上用于量子比特编码的子能级到预先确定的子能级的跃迁;通过全局光照射量子比特阵列中的所有量子比特,以执行第一长寿命能级和第二长寿命能级间的状态相干转移;本发明实施例通过全局光实现状态相干转移的并行处理,降低了量子计算的时间消耗,为提升量子计算效率提供了技术支持。

    一种芯片离子阱及量子计算装置
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116564792A

    公开(公告)日:2023-08-08

    申请号:CN202310430242.3

    申请日:2023-04-20

    Abstract: 本文公开一种芯片离子阱及量子计算装置,包括:射频(RF)电极、直流(DC)电极和孔槽;其中,一个以上RF电极的一条以上边,在距离孔槽预设距离的范围内包含一个以上内凹形状;其中,内凹形状包括:位于内凹形状两端的第一线段与和第一线段相邻的第二线段的夹角小于180度,第二线段为第一线段所在射频电极中除去内凹形状部分、与第一线段连接的线段;内凹形状两端的第二线段连接形成第三线段,内凹形状中的点均位于第三线段靠近RF电极中心的一侧。本发明实施例通过RF电极包含的内凹形状,抑制了芯片离子阱中发生电场的畸变,提升了离子阱的轴向一致性,为提高量子计算相关操作的保真度和量子计算机整体性能提供支持。

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