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公开(公告)号：CN117497581A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311283257.8
申请日：2023-09-28
Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/20 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本公开提供了一种功率半导体器件及功率半导体器件的制作方法，属于半导体技术领域。该功率半导体器件，包括：衬底、外延层、微结构层、栅电极、漏电极和源电极；外延层生长在衬底的一面；微结构层位于外延层背向衬底的一面，微结构层包括GaN层和GaAs层中的任一种；栅电极位于微结构层背向衬底的一面，漏电极和源电极分别位于栅电极的两侧。本公开能够提高电子迁移率，实现导通电阻的降低，提升功率半导体器件在高频和大功率射频领域下的工作能力。
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公开(公告)号：CN106449619B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201610813163.0
申请日：2016-09-09
Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/00 , H01L33/10 , H01L33/60
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。包括：在衬底上形成n型Ⅲ族氮化物半导体层、有源层、p型Ⅲ族氮化物半导体层；在p型Ⅲ族氮化物半导体层上形成第一光学反射层；在第一光学反射层上形成n型电极和p型电极；对衬底、n型Ⅲ族氮化物半导体层、有源层、p型Ⅲ族氮化物半导体层、第一光学反射层进行切割，得到若干独立的芯片单元，芯片单元均包括两个n型电极和两个p型电极；将若干芯片单元中的n型电极和p型电极固定在支撑材料上，各个芯片单元的间距大于0；在衬底上、以及芯片单元的侧壁上形成第二光学反射层；将各个芯片单元分成相互独立的两个发光二极管芯片。本发明可以满足背光源的出光要求。
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公开(公告)号：CN106449930B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201610807699.1
申请日：2016-09-06
Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管包括衬底、以及依次层叠在衬底上的第一Ⅲ族氮化物半导体层、有源层、第二Ⅲ族氮化物半导体层、掺杂有p型掺杂剂的Ⅱ‑Ⅵ族半导体层、金属层、绝缘钝化层，绝缘钝化层上设有延伸至第一Ⅲ族氮化物半导体层的第一凹槽、以及延伸至金属层的第二凹槽，第一电极设置在绝缘钝化层上并通过第一凹槽延伸至第一Ⅲ族氮化物半导体层，第二电极设置在绝缘钝化层上并通过第二凹槽延伸至金属层。本发明通过Ⅱ‑Ⅵ族半导体层极大地提高了空穴浓度，进而提高空穴注入效率、降低LED工作电压，显著改善LED的外量子效率在大的电流注入下的衰减问题。
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公开(公告)号：CN107919424A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201610910281.3
申请日：2016-10-19
Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司
IPC: H01L33/44
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管芯片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的n型Ⅲ族氮化物半导体层、有源层、p型Ⅲ族氮化物半导体层、透明导电层，所述p型Ⅲ族氮化物半导体层上设有延伸至所述n型Ⅲ族氮化物半导体层的凹槽，第一电极设置在所述n型Ⅲ族氮化物半导体层上，第二电极设置在所述透明导电层上，所述发光二极管芯片还包括依次层叠在所述透明导电层上的出光增强层和绝缘保护层，所述出光增强层的折射率沿所述发光二极管芯片的层叠方向逐渐变化，且所述出光增强层各个位置的折射率均在所述透明导电层的折射率和所述绝缘保护层的折射率之间。本发明提高了LED芯片的外量子效率。
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公开(公告)号：CN107611154A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710619450.2
申请日：2017-07-26
Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种交流发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。芯片包括衬底、多个子芯片和金属电极，多个子芯片包括四个第一子芯片和多个第二子芯片，四个第一子芯片连成桥式整流电路，多个第二子芯片串联在桥式整流电路的两个直流输出端之间，每个子芯片包括N型半导体层、发光层、P型半导体层、绝缘保护层和透明导电层，P型半导体层上设有延伸至N型半导体层的第一凹槽，第一凹槽内的N型半导体上设有延伸至衬底的第二凹槽，第二凹槽位于相邻的两个子芯片之间；N型半导体层包括依次层叠的第一N型氮化镓层、掺杂镍的氮化镓层和第二N型氮化镓层。本发明可提高芯片的反向击穿电压，增加同一时刻发光的子芯片数量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106449619A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610813163.0
申请日：2016-09-09
Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/00 , H01L33/10 , H01L33/60
CPC classification number: H01L33/005 , H01L25/075 , H01L33/10 , H01L33/60
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。包括：在衬底上形成n型Ⅲ族氮化物半导体层、有源层、p型Ⅲ族氮化物半导体层；在p型Ⅲ族氮化物半导体层上形成第一光学反射层；在第一光学反射层上形成n型电极和p型电极；对衬底、n型Ⅲ族氮化物半导体层、有源层、p型Ⅲ族氮化物半导体层、第一光学反射层进行切割，得到若干独立的芯片单元，芯片单元均包括两个n型电极和两个p型电极；将若干芯片单元中的n型电极和p型电极固定在支撑材料上，各个芯片单元的间距大于0；在衬底上、以及芯片单元的侧壁上形成第二光学反射层；将各个芯片单元分成相互独立的两个发光二极管芯片。本发明可以满足背光源的出光要求。
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公开(公告)号：CN117038692A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310808955.9
申请日：2023-07-03
Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司
Abstract: 本公开提供了一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法，属于显示技术领域。该显示面板包括：依次叠设的发光层、识别检测层和调制层；发光层包括多个阵列排布的发光单元，识别检测层包括多个阵列排布的识别检测单元，调制层包括多个阵列排布的调制单元，发光单元、识别检测单元和调制单元一一对应；发光单元分别与对应的识别检测单元和对应的调制单元电连接；显示面板被配置为，通过识别检测单元识别对应的发光单元的状态，若发光单元为异常状态，则通过对应的调制单元将发光单元调制为正常状态。本公开能够有效的降低显示面板的制造难度。
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公开(公告)号：CN117037628A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310829473.1
申请日：2023-07-06
Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司
Abstract: 本公开提供了一种显示面板及其显示方法、显示设备，属于显示器件领域。所述显示面板包括，多个显示单元、多个导轨小车、多个升降单元和驱动单元；每个所述显示单元中具有多个像素位置，每个所述显示单元包括多个像素单元、多个接口和多个可转动单元，所述像素位置对应布置一个所述接口和一个所述可转动单元，每个所述显示单元中所述像素位置的数量大于所述像素单元的数量；每个所述像素单元正对布置一个所述升降单元，所述升降单元的升降部连接有支撑板，所述支撑板组成可供导轨小车移动的移动导轨，所述移动导轨之上具有导轨小车。
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公开(公告)号：CN107611154B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201710619450.2
申请日：2017-07-26
Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种交流发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。芯片包括衬底、多个子芯片和金属电极，多个子芯片包括四个第一子芯片和多个第二子芯片，四个第一子芯片连成桥式整流电路，多个第二子芯片串联在桥式整流电路的两个直流输出端之间，每个子芯片包括N型半导体层、发光层、P型半导体层、绝缘保护层和透明导电层，P型半导体层上设有延伸至N型半导体层的第一凹槽，第一凹槽内的N型半导体上设有延伸至衬底的第二凹槽，第二凹槽位于相邻的两个子芯片之间；N型半导体层包括依次层叠的第一N型氮化镓层、掺杂镍的氮化镓层和第二N型氮化镓层。本发明可提高芯片的反向击穿电压，增加同一时刻发光的子芯片数量。
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公开(公告)号：CN106449920B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201610910404.3
申请日：2016-10-19
Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管芯片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的n型Ⅲ族氮化物半导体层、有源层、p型Ⅲ族氮化物半导体层、电流扩展层、绝缘钝化层，p型Ⅲ族氮化物半导体层上设有延伸至n型Ⅲ族氮化物半导体层的凹槽，第一电极设置在n型Ⅲ族氮化物半导体层上，第二电极设置在电流扩展层上，发光二极管芯片还包括设置在衬底和n型Ⅲ族氮化物半导体层之间的光提取增强层，光提取增强层包括呈阵列分布的多个曲面结构，曲面结构与衬底一起形成中空结构，衬底、曲面结构、以及中空结构内的物质均是透明的。本发明提高了LED芯片的外量子效率。
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