公开(公告)号：CN104038223A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410229304.5

申请日：2014-05-27

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李斌 ,  赵达勤 ,  吴朝晖 ,  王昆

IPC: H03M1/10

Abstract: 本发明公开了一种改进型10-bit差分电容分段耦合式DAC，包括正端次级电容阵列、正端耦合电容、正端主级电容阵列、负端次级电容阵列、负端耦合电容、负端主级电容阵列和采样开关；本发明利用12-bit结构差分DAC去实现10-bit差分DAC，避免了1-LSB的增益误差，改善了DAC的静态性能；同时本发明正端次级电容阵列、正端主级电容阵列、负端次级电容阵列和负端主级电容阵列，通过采用单位电容串联替代DAC中的最低位电容，实现了较小容值的电容，避免了提高DAC精度所带来的面积过大的问题。因此本发明具有良好的静态特性且占用较小的面积。

公开(公告)号：CN104038223B

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201410229304.5

申请日：2014-05-27

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李斌 ,  赵达勤 ,  吴朝晖 ,  王昆

IPC: H03M1/10

Abstract: 本发明公开了一种改进型10‑bit差分电容分段耦合式DAC，包括正端次级电容阵列、正端耦合电容、正端主级电容阵列、负端次级电容阵列、负端耦合电容、负端主级电容阵列和采样开关；本发明利用12‑bit结构差分DAC去实现10‑bit差分DAC，避免了1‑LSB的增益误差，改善了DAC的静态性能；同时本发明正端次级电容阵列、正端主级电容阵列、负端次级电容阵列和负端主级电容阵列，通过采用单位电容串联替代DAC中的最低位电容，实现了较小容值的电容，避免了提高DAC精度所带来的面积过大的问题。因此本发明具有良好的静态特性且占用较小的面积。

公开(公告)号：CN203872163U

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201420277041.0

申请日：2014-05-27

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李斌 ,  赵达勤 ,  吴朝晖 ,  王昆

IPC: H03M1/12

Abstract: 本实用新型公开了一种改进型10-bit差分电容分段耦合式DAC，包括正端次级电容阵列、正端耦合电容、正端主级电容阵列、负端次级电容阵列、负端耦合电容、负端主级电容阵列和采样开关；本实用新型利用12-bit结构差分DAC去实现10-bit差分DAC，避免了1-LSB的增益误差，改善了DAC的静态性能；同时本实用新型正端次级电容阵列、正端主级电容阵列、负端次级电容阵列和负端主级电容阵列，通过采用单位电容串联替代DAC中的最低位电容，实现了较小容值的电容，避免了提高DAC精度所带来的面积过大的问题。因此本实用新型具有良好的静态特性且占用较小的面积。