公开(公告)号：CN1974709B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610036221.X

申请日：2006-06-30

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 杨伟 ,  张勇 ,  王磊 ,  许运华 ,  彭俊彪 ,  曹镛

IPC: C09K11/06 ,  H01L31/055

CPC classification number: Y02E10/52

Abstract: 本发明涉及含极性基团电磷光共轭聚合物及其应用。所述共轭聚合物由共轭结构单元和金属配合物组成，其中，部分共轭单元中含有极性基团或离子基团侧链。所述共轭聚合物除具有发光功能外，还有优异的阴极界面修饰特性可以直接用高功函数的各种性质稳定金属为阴极，性能达到或超过常用低功函数金属阴极器件。用其超薄膜来修饰高功函数阴极金属和各种发光波长的有机电致发光材料界面，可使光电器件不受金属阴极功函数的影响，得到与低功函数金属阴极相同或更高的量子效率。采用本发明的共轭聚合物可以开发具有各种结构和功能的多层器件，应用于有机/高分子发光器件、信息显示和太阳能光伏电池技术中。

公开(公告)号：CN1470548A

公开(公告)日：2004-01-28

申请号：CN03126963.X

申请日：2003-06-25

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 刘平 ,  赵其中 ,  邓文基 ,  周小平 ,  胡建华 ,  许运华

IPC: C08G75/00

Abstract: 本发明是新型齐聚噻吩衍生物及其制备方法和应用，该衍生物由右分子式构成：本发明基于齐聚噻吩自身具有优异的光、电性能这一特点，通过旋转涂敷的方法在ITO导电玻璃表面将该衍生物制成膜，将该衍生物膜组装成电致变色器件，该器件在电场作用下可以变色，这种新型电致变色膜材料克服了无机电致变色材料具有成本高，不易成膜，不宜柔性加工以及具有不可降解的毒性的缺点。

公开(公告)号：CN1699505A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200510035253.3

申请日：2005-06-17

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 杨伟 ,  蒋加兴 ,  甄红宇 ,  许运华 ,  侯琼 ,  彭俊彪 ,  曹镛

IPC: C09K11/07 ,  H01L33/00 ,  H01L51/30 ,  H05B33/14

CPC classification number: Y02B20/181

Abstract: 本发明公开了一种含金属配合物的白光共轭聚合物及其在发光二极管、平板显示器的发光层中的应用。本发明的含金属配合物白光共轭聚合物的合成方法简单、易行。器件在高电流密度下因金属配合物与聚合物之间的相分离而导致发光效率急速下降等长期相稳定性问题大大改善，具有很高的应用价值。

公开(公告)号：CN100340586C

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200510035253.3

申请日：2005-06-17

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 杨伟 ,  蒋加兴 ,  甄红宇 ,  许运华 ,  侯琼 ,  彭俊彪 ,  曹镛

IPC: C08G61/12 ,  C07F15/00 ,  C09K11/07 ,  H01L33/00 ,  H01L51/30 ,  H05B33/14

CPC classification number: Y02B20/181

Abstract: 本发明公开了一种含金属配合物的白光共轭聚合物及其在发光二极管、平板显示器的发光层中的应用。本发明的含金属配合物白光共轭聚合物的合成方法简单、易行。器件在高电流密度下因金属配合物与聚合物之间的相分离而导致发光效率急速下降等长期相稳定性问题大大改善，具有很高的应用价值。

公开(公告)号：CN1974709A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610036221.X

申请日：2006-06-30

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 杨伟 ,  张勇 ,  王磊 ,  许运华 ,  彭俊彪 ,  曹镛

IPC: C09K11/06 ,  H01L31/055

CPC classification number: Y02E10/52

Abstract: 本发明涉及含极性基团电磷光共轭聚合物及其应用。所述共轭聚合物由共轭结构单元和金属配合物组成，其中，部分共轭单元中含有极性基团或离子基团侧链。所述共轭聚合物除具有发光功能外，还有优异的阴极界面修饰特性，可以直接用高功函数的各种性质稳定金属为阴极，性能达到或超过常用低功函数金属阴极器件。用其超薄膜来修饰高功函数阴极金属和各种发光波长的有机电致发光材料界面，可使光电器件不受金属阴极功函数的影响，得到与低功函数金属阴极相同或更高的量子效率。采用本发明的共轭聚合物可以开发具有各种结构和功能的多层器件，应用于有机/高分子发光器件、信息显示和太阳能光伏电池技术中。

公开(公告)号：CN1247665C

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN03126963.X

申请日：2003-06-25

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 刘平 ,  赵其中 ,  邓文基 ,  周小平 ,  胡建华 ,  许运华

IPC: C08G75/00

Abstract: 本发明是新型齐聚噻吩衍生物及其制备方法和应用，该衍生物由如下分子式构成：本发明基于齐聚噻吩自身具有优异的光、电性能这一特点，通过旋转涂敷的方法在ITO导电玻璃表面将该衍生物制成膜，将该衍生物膜组装成电致变色器件，该器件在电场作用下可以变色，这种新型电致变色膜材料克服了无机电致变色材料具有成本高，不易成膜，不宜柔性加工以及具有不可降解的毒性的缺点。

公开(公告)号：CN2667669Y

公开(公告)日：2004-12-29

申请号：CN03247688.4

申请日：2003-06-25

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 刘平 ,  赵其中 ,  邓文基 ,  周小平 ,  胡建华 ,  许运华

IPC: H01L33/00

Abstract: 本实用新型是涉及一种齐聚噻吩衍生物的电致变色膜，由ITO导电玻璃、齐聚噻吩衍生物膜、聚甲基丙烯酸甲酯+盐膜、ITO导电玻璃依次层叠在一起构成；该膜在电场作用下可以变色，本实用新型克服了无机电致变色材料具有成本高，不易成膜，不宜柔性加工以及具有不可降解的毒性的缺点。