公开(公告)号：CN114481029A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202210066821.X

申请日：2022-01-20

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 刘江文 ,  赵伟 ,  张锦国 ,  符译元 ,  覃甲尧 ,  王辉 ,  欧阳柳章 ,  曾美琴 ,  朱敏

IPC: C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  C30B28/12 ,  C30B29/02 ,  C30B29/68 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B3/00

Abstract: 本发明公开了一种多晶复合超晶格结构薄膜的制备方法，包括以下步骤：将两种以上靶材分别安装在溅射靶位上，将清洗后的基底安装在溅射腔室的旋转底座上；对超高真空磁控溅射系统的溅射腔抽真空后，通入工作气体；工作气压稳定后，对每个靶材电源进行预溅射，清除靶材表面污染层；进行半共溅射：控制不同靶材功率和基底转速，使得基底在旋转过程中依次通过不同的靶材的上方，并且任意时间段内，最多有一种靶材原子到达基底表面，在基底表面得到多晶复合超晶格结构层；在多晶复合超晶格结构层的表面沉积保护层。本发明的制备方法生长速率快，成膜工艺简单，可重复性好，精细结构可控，可实现10层原子层厚度以下级别的超晶格结构。

公开(公告)号：CN118086849A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410276377.3

申请日：2024-03-11

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 刘江文 ,  卢家欢 ,  覃甲尧 ,  申翰豪 ,  黄亮君 ,  王辉 ,  欧阳柳章 ,  曾美琴 ,  朱敏

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/02 ,  C23C14/14 ,  C22C23/00 ,  C30B28/12 ,  C30B29/52 ,  C01B3/00

Abstract: 本发明提供了一种多晶复合Mg‑Ni‑Ti合金薄膜及其制备方法和应用，属于储氢材料技术领域。本发明将Mg靶材和NiTi靶材采用磁控溅射共溅射的方法制备得到Mg‑Ni‑Ti合金薄膜，通过控制各个靶位的溅射功率和溅射时间来调控薄膜成分与形貌。本发明制备的Mg‑Ni‑Ti合金薄膜中，Ni与Mg形成的Mg2Ni合金相与单质Ti发挥了协同催化作用，实现了纳米化、合金化以及催化的协同改性，大大改善了薄膜的脱氢性能；制备方法成膜工艺简单，所得的薄膜成分均匀，结构与成分调控方便，可重复性好。

公开(公告)号：CN116334558A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310338458.7

申请日：2023-03-31

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 刘江文 ,  刘天奇 ,  覃甲尧 ,  王辉 ,  欧阳柳章 ,  曾美琴 ,  朱敏

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明公开了一种原子尺度超多层结构薄膜及其制备方法与应用；本发明将两种靶材分别安装在超高真空磁控溅射系统的不同溅射靶位上，将清洗后的基底安装在溅射腔室的旋转底座上；所述靶材为Mg靶材和Cr靶材；对超高真空磁控溅射系统的溅射腔抽真空后，通入工作气体；工作气压稳定后，对每个靶材进行预溅射，清除靶材表面污染层；进行基底旋转溅射：控制不同靶材的溅射功率和基底转速，使得基底在旋转过程中依次通过不同靶材的上方，旋转溅射后得到原子尺度超多层结构薄膜。本发明的制备方法工艺简单，原料价格低廉，通过调控靶材溅射功率与基底转速，实现原子尺度上的结构控制，得到20nm厚度以下级别的超多层膜结构，具有优异的储氢性能。