公开(公告)号：CN113999653A

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN202111264157.1

申请日：2021-10-28

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 胡剑峰 ,  张思行 ,  瞿金清

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/02 ,  C09K23/18 ,  C09K23/42 ,  C01B32/956 ,  C01B21/064 ,  C08G65/333 ,  C08G65/337 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明涉及研磨抛光技术领域，提供了一种硅单晶研磨剂的制备方法及应用，所述硅单晶研磨剂按照质量份数含β‑SiC微粉8～12份、CBN微粉1～5份、六方氮化硼微粉1～3份、聚丙烯酰胺3～5份、葡萄糖酸钠4～6份、聚乙二醇4～6份、四甲基氢氧化铵4～6份、水性聚酯润滑剂2～4份、烷基酚聚氧乙烯醚型季铵盐表面活性剂6～10份；pH值调节剂；水35～45份。本申请提供的高效硅单晶研磨剂较之传统金刚石、二氧化硅、碳化硅等抛光剂制备简单，成本相对低廉，具有高稳定性和悬浮性，使抛光后的单晶硅片获得良好的磨抛精度、磨抛效率。研磨剂废液回收方案符合资源节约、循环利用的绿色化学理念，具有极强的实用性与可操作性。

公开(公告)号：CN113999653B

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN202111264157.1

申请日：2021-10-28

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 胡剑峰 ,  张思行 ,  瞿金清

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/02 ,  C09K23/18 ,  C09K23/42 ,  C01B32/956 ,  C01B21/064 ,  C08G65/333 ,  C08G65/337 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明涉及研磨抛光技术领域，提供了一种硅单晶研磨剂的制备方法及应用，所述硅单晶研磨剂按照质量份数含β‑SiC微粉8～12份、CBN微粉1～5份、六方氮化硼微粉1～3份、聚丙烯酰胺3～5份、葡萄糖酸钠4～6份、聚乙二醇4～6份、四甲基氢氧化铵4～6份、水性聚酯润滑剂2～4份、烷基酚聚氧乙烯醚型季铵盐表面活性剂6～10份；pH值调节剂；水35～45份。本申请提供的高效硅单晶研磨剂较之传统金刚石、二氧化硅、碳化硅等抛光剂制备简单，成本相对低廉，具有高稳定性和悬浮性，使抛光后的单晶硅片获得良好的磨抛精度、磨抛效率。研磨剂废液回收方案符合资源节约、循环利用的绿色化学理念，具有极强的实用性与可操作性。