粒径呈纳米至微米三峰分布铜粉末及其一次性合成方法与应用

    公开(公告)号:CN114054746B

    公开(公告)日:2022-08-16

    申请号:CN202111198554.3

    申请日:2021-10-14

    Abstract: 本发明公开了粒径呈纳米至微米三峰分布铜粉末及其一次性合成方法与应用。由粒径分别为5–15nm的纳米颗粒铜粉、120–210nm的亚微米颗粒铜粉和1–2μm的微米片铜粉组成;亚微米颗粒铜粉和微米片铜粉表面包覆纳米颗粒铜粉;所述铜粉末由还原剂与反应液在80–100℃搅拌下反应,反应产物经离心后清洗所得;所述反应液由铜盐、有机酸和有机胺形成的复合分散剂与乙二醇混合所得。本发明粒径多峰分布铜粉的优势在于其初始堆积密度高,能够在低温进行烧结的同时还可以保证所得结构的致密性,从而使烧结后薄膜表现出良好的导电性能。

    一种低残留高存储稳定性低温铝用锡膏及其制备方法

    公开(公告)号:CN107009043A

    公开(公告)日:2017-08-04

    申请号:CN201710205537.5

    申请日:2017-03-31

    Abstract: 本发明公开了一种低残留高存储稳定性的低温铝钎焊用锡膏及其制备方法。该铝用锡膏由助焊膏和锡基钎料合金粉组成。按质量百分比计,锡膏中助焊膏为8.0~24.0%,其中羟基胺占4.0~10.0%,金属活性盐占0.4~1.0%,助溶剂占2.0~6.0%,金属卤酸盐占1.2~3.0%,触变剂占0.2~1.0%,钎料包覆剂占0.2~3.0%;余量为锡基钎料合金粉。助焊膏制备时,金属卤酸盐以低温固态形式通过高速剪切分散于助焊膏中。制备的锡膏具有焊后残留少和存储稳定性高等优点,可广泛适用于铝及铝合金的低温软钎焊情况,特别适合于电子组装铝及铝合金材质的回流焊接。

    两种纳米粒径铜粉致密包覆微米铜片的铜粉及其制备方法与制备铜膏的应用

    公开(公告)号:CN117900469A

    公开(公告)日:2024-04-19

    申请号:CN202410079969.6

    申请日:2024-01-19

    Abstract: 本发明公开了两种纳米粒径铜粉致密包覆微米铜片的铜粉及其制备方法与制备铜膏的应用;两种纳米粒径铜粉致密包覆微米铜片的铜粉由长度为1–2μm的微米铜片以及直径为5–15nm和40–100nm两种粒径的纳米铜颗粒组成;其中微米铜片被两种粒径的纳米铜颗粒完整紧密包裹,且粒径5–15nm纳米的铜颗粒紧密地包覆在粒径40–100nm的纳米铜颗粒周围;本发明的铜粉采用两步工艺一次合成方法制成,将该铜粉与有机溶剂混合搅拌后制成铜膏,所得的铜膏能促进铜颗粒在低温烧结下实现烧结及组织致密化并获得高强度互连结构,适用于功率芯片和功率器件的低温无压烧结互连封装。

    一种钎料合金层电极的氧化锌压敏电阻元件及其制备方法

    公开(公告)号:CN109767885A

    公开(公告)日:2019-05-17

    申请号:CN201910148513.X

    申请日:2019-02-28

    Abstract: 本发明公开了一种钎料合金层电极的氧化锌压敏电阻元件及其制备方法。氧化锌压敏电阻元件包括氧化锌陶瓷片、电极层和电极引线,电极层设置在氧化锌陶瓷片上下表面至少一个面上,电极层和电极引线连接。电极层全部或部分覆盖氧化锌陶瓷片的表面,制备时,选取经退火处理的氧化锌陶瓷片,清洗、干燥后,预热至200~280℃;氧化锌陶瓷片的上表面放置活性钎料;将热头预热至240~500℃,插入活性钎料中前后左右刮擦10~30s,使钎料在氧化锌陶瓷片表面铺展,形成钎料合金层电极。本发明具有能耗少、绿色环保、工序简单易操作、焊点连接可靠性高等特点;避免了采用贵金属电极材料,可降低氧化锌压敏陶瓷元件生产成本的40%以上。

    一种用于电子封装组装钎焊的无铅钎料及其制备方法

    公开(公告)号:CN101780607B

    公开(公告)日:2012-05-09

    申请号:CN201010128633.2

    申请日:2010-03-17

    Inventor: 张新平 周敏波

    Abstract: 本发明公开一种用于电子封装组装钎焊的无铅钎料及其制备方法,按重量百分比计,该钎焊原料配方包括Cu 0.01~1.0%、Zn 0.01~1.0%、Al 0.001~0.15%、La-Ce混合稀土0.001~0.25%、Te0.001~0.05%,余量为Sn;制备时,先制备Cu-(La,Ce)和Sn-Te中间合金;再以Sn为母相,将Sn块熔化后升温;向熔体中分别Zn和Al,随后,向熔体中添加Cu-(La,Ce)和Sn-Te中间合金,并添加余量的Cu,浇铸后即制得无铅钎料合金。所得钎料润湿性能良好,表面抗氧化能力强,柔韧性好,在钎焊过程中对Cu和Ni基板和元器件侵蚀性小,不含银,材料成本低。

    一种芯片封装用低温烧结混合型导电银浆及其制备方法

    公开(公告)号:CN107221373B

    公开(公告)日:2018-10-30

    申请号:CN201710519233.6

    申请日:2017-06-30

    Abstract: 本发明公开了一种芯片封装用低温烧结混合型导电银浆及其制备方法。低温烧结混合型导电银浆包括导电银粉和有机载体;导电银粉占50‐95wt%,有机载体占5‐50wt%;导电银粉含有20‐60wt%微米级片状银粉、5‐40wt%亚微米级球形银粉和20‐60wt%纳米级球形银粉;有机载体含有3‐30wt%的粘结剂、40‐97.9wt%的溶剂和0.01‐30wt%的其它添加剂。本发明微米银粉与亚微米银粉表面改性的方式可以使改性后表面分散剂的分解温度与此类型的水基离子型分散剂的分解温度相适应,从而实现混合银浆的低温烧结。

    采用电-热耦合场加载制备多形态微纳米二氧化锡的方法

    公开(公告)号:CN106517316B

    公开(公告)日:2018-07-10

    申请号:CN201610930996.5

    申请日:2016-10-31

    Abstract: 本发明公开了采用电‑热耦合场加载制备多形态微纳米二氧化锡的方法。该方法选取纯锡或锡基合金为中间层材料;采用中间层材料将熔点和强度高于锡或锡基合金的两截金属材料导体端面通过钎焊连接方式组装成夹层结构试件;将所述夹层结构试件装夹在可控温加热炉腔室内;将可控温加热炉炉温升至低于中间层材料熔点1~5℃后,对试件通以峰值电流密度不低于1.0×104A/cm2的电流后使夹层结构试件快速断裂,试件中间层部位断裂区域处的锡被氧化成多种形态的二氧化锡。本发明利用电‑热耦合场加载由纯锡或锡基合金中间层连接的导电构件制备二氧化锡,制备过程简单、工艺实施便捷,且耗能低、成本低、无环境污染。

    一种可室温烧结的水性纳米银导电油墨及其制备和应用

    公开(公告)号:CN108102464A

    公开(公告)日:2018-06-01

    申请号:CN201810010358.0

    申请日:2018-01-05

    Abstract: 本发明公开了一种可室温烧结的水性纳米银导电油墨及其制备和应用;该制备方法包括以下步骤:将还原剂、短链分子分散剂和去离子水混合,得到还原液;将银盐与去离子水混合形成反应液;将还原液滴加到反应液中,滴加结束后反应;离心,清洗后制得短链分子分散剂分散的纳米银颗粒;将功能助剂与去离子水混合制成功能助剂的复合水溶液;将所得短链分子分散剂分散的纳米银颗粒与所述复合水溶液混合,在冰水浴中经超声波分散。本发明所制备的导电油墨包含导电填料纳米银颗粒、去离子水和功能助剂的复合水溶液,其粘度为8‐15cP,表面张力为25‐35mN/m,可在室温下烧结;有机物含量低,绿色环保。

    采用电-热耦合场加载制备多形态微纳米二氧化锡的方法

    公开(公告)号:CN106517316A

    公开(公告)日:2017-03-22

    申请号:CN201610930996.5

    申请日:2016-10-31

    CPC classification number: C01G19/02 C01P2002/80 C01P2002/82 C01P2004/03

    Abstract: 本发明公开了采用电-热耦合场加载制备多形态微纳米二氧化锡的方法。该方法选取纯锡或锡基合金为中间层材料;采用中间层材料将熔点和强度高于锡或锡基合金的两截金属材料导体端面通过钎焊连接方式组装成夹层结构试件;将所述夹层结构试件装夹在可控温加热炉腔室内;将可控温加热炉炉温升至低于中间层材料熔点1~5℃后,对试件通以峰值电流密度不低于1.0×104A/cm2的电流后使夹层结构试件快速断裂,试件中间层部位断裂区域处的锡被氧化成多种形态的二氧化锡。本发明利用电-热耦合场加载由纯锡或锡基合金中间层连接的导电构件制备二氧化锡,制备过程简单、工艺实施便捷,且耗能低、成本低、无环境污染。

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