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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119226187A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202311199956.4
申请日：2023-09-15
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 一种数据处理系统、存储器、数据读写方法及设备，本申请中，处理器向存储器发送读写请求，读写请求用于请求对存储器进行数据读写，读写请求中携带有数据的逻辑地址。存储器接收该读写请求后，将逻辑地址映射到存储器的N个存储颗粒的BANK上的目标位置，对N个存储颗粒的BANK上的目标位置进行数据读写；其中，N个存储颗粒的BANK上的目标位置分布在不同的区域，N个目标位置不再位于相同的区域内，使得在对存储器的单次读写的过程中，存储器的出错率不会因为逻辑地址的不同而发生明显波动，保证存储器的出错率稳定在一个较小的范围内。
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公开(公告)号：CN119065716A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202311070464.5
申请日：2023-08-22
Abstract: 本申请实施例公开了一种算子编译方法，用于实现存算一体架构的张量数据处理，提升存算一体架构的计算任务处理并行度。本申请实施例方法包括：获取编译算子，编译算子用于指示对源代码的编译规则。基于编译算子对源代码进行编译，得到一条或多条张量指令，张量指令用于执行存算一体系统中计算任务，张量指令包括以下一项或多项指令段：操作码、张量地址、数据类型、数据位宽和张量长度。将张量指令存储至指令存储列表，指令存储列表用于存储编译完成的张量指令。
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公开(公告)号：CN118248194A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202310366759.0
申请日：2023-03-31
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G11C11/56
Abstract: 本公开实施例属于存储技术领域，特别涉及一种存储芯片、存储芯片控制方法和存储系统，其中，存储芯片包括多个存储单元，每个存储单元包括双向阈值开关OTS和存储介质，OTS具有阈值转变电压，根据阈值转变电压对存储单元施加读写电压以对存储介质进行读写操作。该控制方法包括：当侦测到预设条件时，对多个存储单元中的第一存储单元施加复位电压，当多个存储单元中的第一存储单元为处于低阻状态的存储单元时，复位电压开启第一存储单元的OTS，以使第一存储单元的OTS的阈值转变电压降低。采用本公开能够降低读取存储单元的出错概率。
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公开(公告)号：CN118248184A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202310238401.X
申请日：2023-03-03
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 一种存储芯片、存储设备以及计算设备，该存储芯片包括：第一存储单元，第二存储单元以及控制电路，其中，第一存储单元存储第一数据，第二存储单元存储第二数据，第二数据为预设数据，控制电路用于从所述第一存储单元读出第三数据，从所述第二存储单元读出第四数据，比较所述第四数据与所述第二数据，基于所述第四数据与所述第二数据相同的比较结果，确定所述第一存储单元的读出结果正确，将所述第三数据作为所述第一数据输出。该存储芯片能够提高数据读取的准确性。
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公开(公告)号：CN115458598A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202110644456.1
申请日：2021-06-09
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/11585
Abstract: 本申请提出了一种铁电晶体管，其特征在于，该铁电晶体管包括：衬底，以及设置在该衬底第一面上的源电极、漏电极以及至少两个栅电极区域，该至少两个栅电极区域设置于源电极和漏电极之间；其中，至少两个栅电极区域中每个该栅电极区域中包括：依次堆叠设置在衬底上的铁电层和栅电极；绝缘体，设置于该至少两个栅电极区域之间，该铁电晶体管能够实现多值存储，且制造工艺简单。
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