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公开(公告)号：CN115802881A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211578911.3
申请日：2022-12-07
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，更具体地，涉及一种免电激活的NiFe2O4阻变存储器及其制备方法。本发明提供的一种免电激活的NiFe2O4阻变存储器，包括自下而上设置的下电极层、阻变层和顶电极层；其中：下电极层为SrRuO3薄膜层；阻变层为NiFe2O4薄膜层。本发明中NiFe2O4薄膜层靠近SrRuO3薄膜层一侧其结构中氧空位浓度高，使得NiFe2O4薄膜层靠近所述SrRuO3薄膜层一侧呈非晶态，NiFe2O4薄膜层靠近顶电极一侧的氧空位浓度较少，使得NiFe2O4薄膜层靠近顶电极一侧呈晶态，阻变层整体含有大量氧空位，使得器件初阻即为低阻态，在使用时无需电激活过程且操作功耗低。
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