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公开(公告)号：CN118534566A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410563008.2
申请日：2024-05-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请属于微纳光电子相关技术领域，其公开了一种光学相变材料及其制备方法、光开关器件及其应用，光学相变材料为N掺杂的Sb2Se3相变材料，化学通式为NX(Sb2Se3)1‑X，本申请从材料掺杂的角度出发，向超低损耗相变材料Sb2Se3中掺入N，成功地提高了Sb2Se3的晶态和非晶态之间的折射率差异Δn值，在保持低损耗的同时增大了开关折射率对比度。而且，掺杂N之后，相变材料发生相移的临界温度变高，说明相变材料的结晶温度提高，从侧面说明N掺杂同时提高非晶态的热稳定性。基于该相变材料设计的光开关器件，通过电加热的方式可以获得更多相移状态，使得光开关器件的调控更加灵活，使用场景更广。
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