公开(公告)号：CN119889397A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510372805.7

申请日：2025-03-27

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 刘政林 ,  骆一凡 ,  周学鹏 ,  李成龙

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/30 ,  G11C16/22 ,  G11C16/34 ,  G11C5/14

Abstract: 本发明公开了一种控制器内闪存读取性能的优化方法、装置和存储介质，属于闪存技术领域，所述方法包括：将预设特征量、擦写读次数和数据保持时间输入当前预测模型中以获取读取电压偏移区间；根据闪存的使用情况去预测闪存的阈值电压分布更加具有实时性；在读取电压偏移区间的基础上，进行读重试操作；在读重试操作时每个页面仅调整一个读电压的偏移值变化，相同页面下的其他电压偏移值跟随读电压的偏移值变化而变化；相同页面不同读取电压偏移值的相关性，大大减少了重读试次数，降低重读时间，提升读取性能，进一步地利用读重试操作确定的阈值电压分布数据更新当前预测模型并保存，将更新后预测模型用于下一次读取操作，增加了预测的准确性。