公开(公告)号：CN109461799A

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201811093229.9

申请日：2018-09-19

Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 ,  华中科技大学

Inventor： 陈谦 ,  高扬 ,  张爽 ,  郑志华 ,  陈长清 ,  其他发明人请求不公开姓名

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/14 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种深紫外LED的外延结构，包括由下至上依次叠加的蓝宝石衬底、AlN层、N型AlGaN层、多量子阱有源层、超晶格AlGaN势垒层、P型AlGaN电子阻挡层以及P型GaN层；超晶格AlGaN势垒层由势垒Alx1Gay1N和势阱Alx2Gay2N周期性排布组成；势垒Alx1Gay1N的厚度为1nm～3nm，势阱Alx2Gay2N的厚度为0.1nm～2nm，其中，0

公开(公告)号：CN109103313A

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201810851579.0

申请日：2018-07-30

Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 ,  华中科技大学

Inventor： 陈谦 ,  高扬 ,  郑志华 ,  张毅 ,  张爽 ,  陈长清 ,  戴江南

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/24 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供了一种深紫外LED芯片的外延结构，包括依次叠加设置的P型GaN层，P型AlGaN层，多量子阱有源层，N型AlGaN层，AlN层和蓝宝石衬底，其特征在于，所述多量子阱有源层和N型AlGaN层共同组成调节层，所述调节层具有至少一个倾斜侧面，所述倾斜侧面与水平截面之间靠近所述调节层中心侧的夹角为台面刻蚀夹角，且所述台面刻蚀夹角为28-40度可控；本发明还提供了所述深紫外LED芯片的外延结构的制备方法，通过控制不同的干法刻蚀参数，来调整台面的刻蚀角度及深度；该方法可以有效提取TE和TM模式的深紫外光，提升深紫外光LED的出光效率。

公开(公告)号：CN101486262A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200910060817.7

申请日：2009-02-20

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 马强 ,  江建军 ,  别少伟 ,  张传坤 ,  田斌 ,  陈谦 ,  王鹏 ,  吴杨

IPC: B32B7/02 ,  B32B15/04 ,  H05K9/00

Abstract: 一种抑制电磁噪声的薄膜材料，属于抑制微波电磁干扰的材料，解决现有薄膜材料存在的电磁噪声损耗带宽不大且不方便人工可调的问题。本发明在基片上沉积有缓冲层，基片为化学性能稳定且表面平整的材料，在缓冲层上先沉积有铁磁层或反铁磁层，然后交替沉积有反铁磁层和铁磁层，最表面的铁磁层或反铁磁层上沉积有保护层。本发明重复性好，调控方便，在铁磁体系中引入反铁磁层，通过调整铁磁层的厚度可以有效调控多层膜材料的磁导率频谱和软磁性能，并且通过多层叠加的方式，实现宽频带电磁噪声抑制。

公开(公告)号：CN103050785A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210555812.3

申请日：2012-12-19

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 江建军 ,  陈谦 ,  陈立 ,  成石 ,  缪灵 ,  别少伟

IPC: H01Q17/00 ,  H05K9/00 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明公开了一种基于PIN二极管有源频率选择表面可调的结构吸波材料，包括多个阵列排布的吸波结构单元，每两个吸波结构单元之间通过连接线连接；每一个吸波结构单元包括：底层、附着于所述底层上的中间层以及附着于所述中间层上的表面层，所述表面层由贴片型频率选择表面和PIN二极管组成，所述贴片型频率选择表面的形貌为偶极子图案，所述PIN二极管焊接于所述偶极子图案正中间。本发明采用PIN二极管加载的有源频率选择表面设计来制作吸波性能可调的结构吸波材料，可动态调节工作状态的PIN二极管，可主动调节结构吸波材料的吸波性能；同时该结构吸波材料具有厚度薄、质量轻、吸收频带宽的特点。