公开(公告)号：CN119968110A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202510067925.6

申请日：2025-01-16

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 徐明 ,  徐群道 ,  唐飞宇 ,  汤思琦 ,  袁少杰 ,  陈璟琦 ,  胡恒怿 ,  王欢 ,  闫祎凡 ,  缪向水

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，公开了一种导电桥阈值转换器件及其制备方法，该导电桥阈值转换器件自下而上包括衬底、第一惰性金属电极层、功能介质层、活性金属电极层和第二惰性金属电极层；其中，功能介质层是以非晶态的硫系化合物作为功能介质材料；当向第二惰性金属电极层施加正电压时，活性金属电极层中的金属元素将被氧化成金属阳离子并向功能介质层迁移，最终在功能介质层中与功能介质材料的阴离子结合形成导电丝。本发明通过选取特定的活性金属元素，通过活性金属与硫族元素在电场作用下结合形成低电阻态的晶态导电丝来实现高低组态的切换，可以抑制活性金属离子在功能层中的过度扩散/注入，从而防止器件失效。