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公开(公告)号：CN103514322B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201310410747.X
申请日：2013-09-10
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种相变存储器单元SPICE模型系统，包括：单元电阻模拟模块，用于模拟相变存储器单元电阻；温度计算模块，用于针对施加的连续脉冲序列，计算每个脉冲信号结束时刻考虑脉冲信号下热量积累效应的存储器单元相变层温度；晶化速率计算模块，用于计算单位时间内发生晶化的相变层体积；非晶化速率计算模块，用于计算单位时间内发生非晶化的相变层体积以及相变模块，用于选择晶化速率或非晶化速率计算非晶化率。本发明还公开了所述相变存储器单元SPICE模型应用于模拟相变存储器单元多值存储。本发明能准确模拟相变存储器单元电阻变化，尤其是在连续脉冲作用下，热量积累效应明显时，并能准确模拟相变存储器多值存储技术中的相变存储器单元电阻。
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公开(公告)号：CN102831935B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201210154941.1
申请日：2012-05-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了相变存储器单元的脉冲I-V特性测试方法及装置，将被测单元的下电极与CMOS管的漏极串接；向CMOS管的栅极施加等幅度等脉宽的脉冲序列，同时向相变存储器单元的上电极施加由零至设定电压值之间阶梯变化的直流扫描电压；在脉冲序列的作用下，CMOS管周期性地开启和关闭；CMOS管开启时，工作在线性区，相变存储器单元两端的电压等值于直流扫描电压，通过取样电阻测量单元的电流；在CMOS管周期性地开启和关闭过程中，实时记录单元两端电压和电流序列值，实现脉冲I-V特性的测试。本发明能精细表征相变存储器单元在脉冲作用下的电学特性，避免因直流I-V特性扫描中产生的自热效应和电荷势阱效应导致对被测微纳相变存储器件I-V特性的影响，甚至器件的损坏。
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公开(公告)号：CN103514322A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310410747.X
申请日：2013-09-10
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种相变存储器单元SPICE模型系统，包括：单元电阻模拟模块，用于模拟相变存储器单元电阻；温度计算模块，用于针对施加的连续脉冲序列，计算每个脉冲信号结束时刻考虑脉冲信号下热量积累效应的存储器单元相变层温度；晶化速率计算模块，用于计算单位时间内发生晶化的相变层体积；非晶化速率计算模块，用于计算单位时间内发生非晶化的相变层体积以及相变模块，用于选择晶化速率或非晶化速率计算非晶化率。本发明还公开了所述相变存储器单元SPICE模型应用于模拟相变存储器单元多值存储。本发明能准确模拟相变存储器单元电阻变化，尤其是在连续脉冲作用下，热量积累效应明显时，并能准确模拟相变存储器多值存储技术中的相变存储器单元电阻。
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公开(公告)号：CN102831935A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210154941.1
申请日：2012-05-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了相变存储器单元的脉冲I-V特性测试方法及装置，将被测单元的下电极与CMOS管的漏极串接；向CMOS管的栅极施加等幅度等脉宽的脉冲序列，同时向相变存储器单元的上电极施加由零至设定电压值之间阶梯变化的直流扫描电压；在脉冲序列的作用下，CMOS管周期性地开启和关闭；CMOS管开启时，工作在线性区，相变存储器单元两端的电压等值于直流扫描电压，通过取样电阻测量单元的电流；在CMOS管周期性地开启和关闭过程中，实时记录单元两端电压和电流序列值，实现脉冲I-V特性的测试。本发明能精细表征相变存储器单元在脉冲作用下的电学特性，避免因直流I-V特性扫描中产生的自热效应和电荷势阱效应导致对被测微纳相变存储器件I-V特性的影响，甚至器件的损坏。
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