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公开(公告)号：CN102290106A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110188352.0
申请日：2011-07-06
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明公开了一种相变存储单元的测试装置，装置包括信号发生器、测量模块、转换连接接口、探针台、控制器、单元阵列接口电路和数字示波器；通过控制器施加控制信号，通过信号发生器施加激励信号，通过测量模块或示波器采集信号完成对相变存储器单元的直流I-V特性、脉冲I-V特性、阈值电压、阈值电流、最小写脉冲幅度，最小写脉冲宽度、最小擦脉冲幅度、最小擦脉冲宽度、数据保持时间和擦写疲劳性测试等电特性测试。本发明能准确的测量相变存储单元的直流I-V特性、脉冲I-V特性、阈值电压、阈值电流、非晶态电阻、晶态电阻、最小写脉冲幅度，最小写脉冲宽度、最小擦脉冲幅度、最小擦脉冲宽度、数据保持时间和擦写疲劳性测试等电特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102831935B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201210154941.1
申请日：2012-05-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了相变存储器单元的脉冲I-V特性测试方法及装置，将被测单元的下电极与CMOS管的漏极串接；向CMOS管的栅极施加等幅度等脉宽的脉冲序列，同时向相变存储器单元的上电极施加由零至设定电压值之间阶梯变化的直流扫描电压；在脉冲序列的作用下，CMOS管周期性地开启和关闭；CMOS管开启时，工作在线性区，相变存储器单元两端的电压等值于直流扫描电压，通过取样电阻测量单元的电流；在CMOS管周期性地开启和关闭过程中，实时记录单元两端电压和电流序列值，实现脉冲I-V特性的测试。本发明能精细表征相变存储器单元在脉冲作用下的电学特性，避免因直流I-V特性扫描中产生的自热效应和电荷势阱效应导致对被测微纳相变存储器件I-V特性的影响，甚至器件的损坏。
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公开(公告)号：CN102831935A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210154941.1
申请日：2012-05-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了相变存储器单元的脉冲I-V特性测试方法及装置，将被测单元的下电极与CMOS管的漏极串接；向CMOS管的栅极施加等幅度等脉宽的脉冲序列，同时向相变存储器单元的上电极施加由零至设定电压值之间阶梯变化的直流扫描电压；在脉冲序列的作用下，CMOS管周期性地开启和关闭；CMOS管开启时，工作在线性区，相变存储器单元两端的电压等值于直流扫描电压，通过取样电阻测量单元的电流；在CMOS管周期性地开启和关闭过程中，实时记录单元两端电压和电流序列值，实现脉冲I-V特性的测试。本发明能精细表征相变存储器单元在脉冲作用下的电学特性，避免因直流I-V特性扫描中产生的自热效应和电荷势阱效应导致对被测微纳相变存储器件I-V特性的影响，甚至器件的损坏。
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公开(公告)号：CN102064276A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010528582.2
申请日：2010-11-01
Applicant: 华中科技大学 , 山东华芯半导体有限公司
Abstract: 本发明属于公开了一种非对称相变存储器单元及器件，包括由下至上依次叠置的下电极层、第一绝缘层、相变层、第二绝缘层和上电极层；第一绝缘层开有小孔，小孔宽度为10nm～4um；相变层通过第一绝缘层上的小孔与下电极层相接触，第二绝缘层也开有小孔，小孔宽度为10nm～5um，上电极通过第二绝缘层上的小孔与相变层接触。其核心结构特征在于第一绝缘层上小孔的中轴线、第二绝缘层上小孔的中轴线以及下电极层的中轴线任意两条互不重合。本发明提供的非对称相变存储器单元及器件能够使存储器具有较好的热学性能，进而能在保持器件原有性能的同时降低功耗。
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公开(公告)号：CN102064276B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201010528582.2
申请日：2010-11-01
Applicant: 华中科技大学 , 山东华芯半导体有限公司
Abstract: 本发明属于公开了一种非对称相变存储器单元及器件，包括由下至上依次叠置的下电极层、第一绝缘层、相变层、第二绝缘层和上电极层；第一绝缘层开有小孔，小孔宽度为10nm～4um；相变层通过第一绝缘层上的小孔与下电极层相接触，第二绝缘层也开有小孔，小孔宽度为10nm～5um，上电极通过第二绝缘层上的小孔与相变层接触。其核心结构特征在于第一绝缘层上小孔的中轴线、第二绝缘层上小孔的中轴线以及下电极层的中轴线任意两条互不重合。本发明提供的非对称相变存储器单元及器件能够使存储器具有较好的热学性能，进而能在保持器件原有性能的同时降低功耗。
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公开(公告)号：CN102290106B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201110188352.0
申请日：2011-07-06
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明公开了一种相变存储单元的测试装置，装置包括信号发生器、测量模块、转换连接接口、探针台、控制器、单元阵列接口电路和数字示波器；通过控制器施加控制信号，通过信号发生器施加激励信号，通过测量模块或示波器采集信号完成对相变存储器单元的直流I-V特性、脉冲I-V特性、阈值电压、阈值电流、最小写脉冲幅度，最小写脉冲宽度、最小擦脉冲幅度、最小擦脉冲宽度、数据保持时间和擦写疲劳性测试等电特性测试。本发明能准确的测量相变存储单元的直流I-V特性、脉冲I-V特性、阈值电压、阈值电流、非晶态电阻、晶态电阻、最小写脉冲幅度，最小写脉冲宽度、最小擦脉冲幅度、最小擦脉冲宽度、数据保持时间和擦写疲劳性测试等电特性。
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