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公开(公告)号：CN104135812A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410336152.9
申请日：2014-07-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明公开了一种基于等离子体发光强度检测的射频离子源保护装置，包括光纤准直镜、光纤过真空法兰、光纤适配器、第一石英光纤、光强比较器和联锁保护电路；所述光纤过真空法兰由穿过真空法兰的第二石英光纤构成，所述真空法兰用于使射频离子源放电腔实现真空密封；所述光纤准直镜固定在所述第二石英光纤的一端，用于收集射频离子源放电腔内的等离子体发光，所述第二石英光纤的另一端通过所述光纤适配器连接所述第一石英光纤的一端，所述第一石英光纤的另一端依次连接所述光强比较器和所述联锁保护电路。本发明根据光强检测结果决定是否采取相应的保护措施，增加了安全冗余，提高了系统的可靠性，为射频离子源提供了一种新的保护手段。
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公开(公告)号：CN116723758A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310689646.4
申请日：2023-06-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开单质M元素掺杂的高可靠相变材料、存储器及其制备方法，属于微纳米电子技术领域。所述相变材料包括：母体材料和掺杂元素，所述掺杂元素为单质M元素，所述M元素为Rb、Sr或者La。本发明提出的三种单质M元素，不仅能提升相变材料非晶热稳定性，还能加速晶化过程，提升SET速度，同时减少相变材料层在相变前后的体积变化，抑制器件内的电迁移，从而实现高速、高稳定、高循环特性的综合性能。
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公开(公告)号：CN107377280B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN201710662526.X
申请日：2017-08-04
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于负离子源的喷铯装置，包括喷铯装置主体单元，喷铯装置主体单元包括：储铯单元、第一传导单元、第二传导单元，储铯单元设置于第一传导单元的下侧，用于铯的存储和蒸发；第一传导单元和第二传导单元均用于实现铯的传输；喷铯装置还包括击碎单元；击碎单元包括第一CF法兰、第一伸缩波纹管、驱动杆、击碎头和支撑架；驱动杆在外力的作用下沿靠近安瓿瓶的方向不断移动，导致第一伸缩波纹管沿相同方向不断压缩，使得击碎头不断靠近安瓿瓶挤压并最终打破释放出铯。本发明中由于在储铯管底端增设了击碎单元，利用驱动杆和第一伸缩波纹管配合带动击碎头击碎安瓿瓶，储铯管不会发生形变，可以重复利用、铯泄漏降低。
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公开(公告)号：CN107385376B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201710661200.5
申请日：2017-08-04
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种喷铯装置，包括储铯单元、第一传导单元和第二传导单元，储铯单元包括：安瓿瓶、储铯管、第一CF法兰、第一加热单元和第一温度检测单元，主要用于铯的存储和蒸发；第一传导单元包括：盲板、第一全金属管阀、第一传导管、第二全金属管阀、第二加热单元和第二温度检测单元，主要用于铯的传输；第二传导单元包括：第二CF法兰、陶瓷、连接元件、第二传导管、喷嘴、第三加热单元和第三温度检测单元，主要用于铯的传输。本发明在传导管等电阻丝容易缠绕部位采用欧姆加热方式，对于管阀等电阻丝不易缠绕和固定的部位采用感应加热方式，两种方式相互配合实现了喷铯装置不同部位准确、均匀的温度控制，从而达到铯喷发速率可控的目的。
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公开(公告)号：CN106568805B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201610980115.0
申请日：2016-11-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明公开了一种高集成度朗缪尔探针诊断系统及方法；包括朗缪尔探针、触发器、扫描电源、数据采集单元和数据处理单元；触发器通过光纤传输脉冲触发信号给扫描电源，触发其产生指定幅值，周期和重复次数的锯齿波电压，加载至朗缪尔探针；同时数据采集单元对朗缪尔探针的电压、电流数据进行快速多次同步采集和存储；数据采集结束后将结果一次性发送至数据处理单元，通过计算机上的数据处理程序进行自动处理和分析，显示采集的伏安特性曲线和等离子体参数。本发明的自动化程度和集成度高，能够实现高速同步的数据采集和大容量数据存储和通信，并利用数据处理对采集数据自动处理和分析，提供良好的人机交互界面对处理结果进行显示和记录。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105137169A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510621963.8
申请日：2015-09-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R21/00
Abstract: 本发明公开了一种低射频功率检测电路，该检测电路将射频输入信号连接至匹配负载，然后经过基于检波二极管的峰值检测电路处理，峰值检测电路的输出连接至峰值补偿电路，使得补偿之后的直流电平与射频信号峰值基本一致。补偿电路的输出连接至乘法器的两个输入端，乘法器的输出经滤波、放大、零位补偿之后，在检测电路输出端得到一个与待测信号功率成正比的直流信号。该发明的特点是：各功能电路相对独立，调试方便；补偿电路可精细调节，在一定频率和功率范围内测量准确度较高；通过设定电路参数，响应速度灵活可调；能满足高达几百毫瓦的射频信号功率测量，有较好的实用价值和应用前景。
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公开(公告)号：CN117979818A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410137589.3
申请日：2024-01-31
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请公开了一种基于氮掺杂Ge‑Sb‑Te材料的同质光电储备池计算系统。本申请系统包括相互连接的光电储备池层和读出层；所述光电储备池层包括多个基于氮掺杂Ge‑Sb‑Te材料的光突触器件，所述光突触器件基于对单光脉冲的光电导效应以及双光脉冲下的配对脉冲促进效应，实现对图像光信号的感知与非线性响应；所述读出层包括多个基于氮掺杂Ge‑Sb‑Te材料的电突触器件，所述电突触器件基于线性度、对称性长时程增强功能和长时程抑制功能，实现对光电储备池层输出信号的线性响应和图像识别。本申请系统中，储备池层和读出层都采用基于同一种材料的器件，实现了同质光电储备池计算系统，具有更高的系统的集成性和工艺兼容性。
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公开(公告)号：CN107457110B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201710661921.6
申请日：2017-08-04
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种喷嘴距离可调的喷铯装置，包括：移动平台单元、喷铯装置主体单元和负离子腔室单元；负离子腔室单元包括：第一伸缩波纹管、负离子腔室和栅极板；第一伸缩波纹管的一端与所述喷铯装置主体单元相连，第一伸缩波纹管的另一端与负离子腔室相连；负离子腔室用于对铯等粒子的承接，栅极板设置于负离子腔室远离所述喷嘴侧，用于铯的沉覆；移动平台单元用于配合第一伸缩波纹管移动喷铯装置主体单元，同时还对喷铯装置主体单元起到支撑作用；当移动平台单元带动喷铯装置主体单元移动时，第一伸缩波纹管沿相同方向伸或缩，从而改变了喷嘴与所述栅极板的距离。本发明可以提高负离子品质，为负离子运行提供了另一个维度的变化参数。
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公开(公告)号：CN107122244B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201710276951.5
申请日：2017-04-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于多GPU的图数据处理系统及方法，首先通过数据划分模块对输入的原始图数据进行划分，并将划分后的数据分配到各个GPU设备中；然后通过任务管理模块对每个GPU设备上的顶点按照计算属性分配不同的计算任务，并管理各种任务的执行顺序；接着通过执行模块在保证数据一致性的同时，完成各个GPU设备上并行计算任务的执行；最后通过数据收集模块在计算完成以后，完成数据收集的过程。本发明提出新的任务分配和管理机制，最大化并行效率，利用计算掩盖通信，解决目前基于GPU的图处理系统存在GPU‑CPU通信开销大以及能够处理图数据的规模有限的问题，从而提高了在GPU上处理大规模图数据的效率。
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公开(公告)号：CN107457110A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710661921.6
申请日：2017-08-04
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: B05B12/12 , B05B12/124 , H01J9/02 , H01J27/02
Abstract: 本发明公开了一种喷嘴距离可调的喷铯装置，包括：移动平台单元、喷铯装置主体单元和负离子腔室单元；负离子腔室单元包括：第一伸缩波纹管、负离子腔室和栅极板；第一伸缩波纹管的一端与所述喷铯装置主体单元相连，第一伸缩波纹管的另一端与负离子腔室相连；负离子腔室用于对铯等粒子的承接，栅极板设置于负离子腔室远离所述喷嘴侧，用于铯的沉覆；移动平台单元用于配合第一伸缩波纹管移动喷铯装置主体单元，同时还对喷铯装置主体单元起到支撑作用；当移动平台单元带动喷铯装置主体单元移动时，第一伸缩波纹管沿相同方向伸或缩，从而改变了喷嘴与所述栅极板的距离。本发明可以提高负离子品质，为负离子运行提供了另一个维度的变化参数。
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