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公开(公告)号：CN109346570A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811194597.2
申请日：2018-10-15
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片的制备方法，属于半导体LED芯片制造技术领域，所述基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片的制备方法包括获取氧化镓衬底，在所述氧化镓衬底上制作氮化铝镓缓冲层；在所述氮化铝镓缓冲层上制作氮化铝镓材料层；在所述氮化铝镓材料层上制作多量子阱结构层；在所述多量子阱结构层上制作电子阻挡层；在所述电子阻挡层上制作P型薄膜层，以制备所述基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片。本发明达到无需对LED外延片的衬底材料进行剥离，便于制备深紫外LED垂直芯片的技术效果。
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公开(公告)号：CN109727847A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811625620.9
申请日：2018-12-28
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: H01L21/02 , H01L31/0304 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种基于蓝宝石衬底的AlN薄膜及制备方法，所述基于蓝宝石衬底的AlN薄膜制备方法为：采用物理气相沉积法于蓝宝石衬底表面沉积30nm厚的AlN缓冲层；采用金属有机化学气相沉积法于所述AlN缓冲层表面沉积50nm厚的AlN插入层；采用金属有机化学气相沉积法于所述AlN插入层表面沉积1.5μm厚的AlN外延层。本发明有效降低了AlN外延层的位错缺陷密度，改善了表面品平整度，并有效减少了AlN薄膜的表面裂纹。
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公开(公告)号：CN109301044A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811194596.8
申请日：2018-10-15
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
CPC classification number: H01L33/325 , H01L33/02 , H01L33/12
Abstract: 本发明公开一种基于n型掺杂氧化镓正装结构的深紫外LED垂直芯片，属于半导体LED芯片制造技术领域，包括P型薄膜层、电子阻挡层、多量子阱结构层、氮化铝镓材料层、氮化铝镓缓冲层和氧化镓衬底。P型薄膜层的制作材料是p型氮化镓材料；电子阻挡层设置有第一侧面和第二侧面；多量子阱结构层设置有第三侧面和第四侧面，多量子阱结构层通过第三侧面设置在第二侧面上；氮化铝镓材料层设置有第五侧面和第六侧面，氮化铝镓材料层通过第五侧面设置在第四侧面上；氮化铝镓缓冲层设置有第七侧面和第八侧面，氮化铝镓缓冲层通过第七侧面设置在第六侧面上。本发明达到无需对正装结构的LED外延片的衬底材料进行剥离，能够便捷的制备深紫外LED垂直芯片的技术效果。
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公开(公告)号：CN109273564A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811194479.1
申请日：2018-10-15
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片装置及制备方法，属于半导体LED芯片制造技术领域，包括P型薄膜层、电子阻挡层、多量子阱结构层、氮化铝镓材料层、氮化铝镓缓冲层和氧化镓衬底。电子阻挡层设置有第一侧面和第二侧面；多量子阱结构层设置有第三侧面和第四侧面，多量子阱结构层通过第三侧面设置在第二侧面上；氮化铝镓材料层设置有第五侧面和第六侧面，氮化铝镓材料层通过第五侧面设置在第四侧面上；氮化铝镓缓冲层设置有第七侧面和第八侧面，氮化铝镓缓冲层通过第七侧面设置在第六侧面上；氧化镓衬底通过第九侧面设置在第八侧面上。本发明达到无需对LED外延片的衬底材料进行剥离，便于制备深紫外LED垂直芯片的技术效果。
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公开(公告)号：CN109103309A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201811194480.4
申请日：2018-10-15
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于n型掺杂氧化镓倒装结构的深紫外LED垂直芯片，属于半导体LED芯片制造技术领域，包括P型薄膜层、电子阻挡层、多量子阱结构层、氮化铝镓材料层、氮化铝镓缓冲层和氧化镓衬底。P型薄膜层的制作材料是p型氮化铝镓材料；电子阻挡层设置有第一侧面和第二侧面；多量子阱结构层设置有第三侧面和第四侧面，多量子阱结构层通过第三侧面设置在第二侧面上；氮化铝镓材料层设置有第五侧面和第六侧面，氮化铝镓材料层通过第五侧面设置在第四侧面上；氮化铝镓缓冲层设置有第七侧面和第八侧面，氮化铝镓缓冲层通过第七侧面设置在第六侧面上。本发明达到无需对倒装结构的LED外延片的衬底材料进行剥离，便于制备深紫外LED垂直芯片的技术效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106886787A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201710131445.7
申请日：2017-03-07
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于装备加工过程信号数据提取相关技术领域，其公开了一种基于二维卷积理论的工序信号数据提取及存储方法，其包括以下步骤：建立多个单工序加工信号的模板图像库及需要提取数据的多工序加工信号对应的全工序图像；将所述全工序图像与模板图像进行匹配，并采用相关系数来表示二者之间的匹配程度，同时按照相关系数大小来选择最佳模板图像；采用二维卷积理论对选取得到的最佳模板图像与所述全工序图像进行图像定位以得到定位像素点；根据定位像素点、所述全工序图像的像素点与对应的信号数据采样点之间的关系提取出所求的单工序加工信号对应的信号数据，并按时间顺序进行自动存储。
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公开(公告)号：CN116486480A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310388692.0
申请日：2023-04-13
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于点云的人体跌倒检测方法及装置，属于跌倒检测领域，该方法具体包括：将室内采集的深度图像序列起始帧转换为点云，提取重力方向；结合深度图像序列的纹理、光流和神经网络三路提取人体运动区域；跟踪人体运动区域，逐帧将该区域转换为点云并进行去噪和重力方向校正；对人体运动区域点云聚类和匹配；对匹配后的点云进行尺寸分析确认人体点云，通过分析人体点云重心运动、点云位姿状态检测跌倒是否发生。本发明提出的人体跌倒检测方法及装置，充分挖掘深度图像运动特性与点云三维物理特性，无需监督信息，保证了本发明具有较高的解释性，准确性，鲁棒性,实时性，隐私性和实用性。
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公开(公告)号：CN101221814A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200810046620.3
申请日：2008-01-04
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C16/26
Abstract: 本发明公开了一种用于EEPROM的灵敏放大器及由其构成的读电路。本发明提供的用于EEPROM的灵敏放大器包括充电控制电路、检测电路和保持整形输出电路；充电控制电路由相同的二个充电控制子电路构成；检测为一个同或门；保持整形输出电路对检测电路的输出进行保持并整形为标准数字电平。由上述的灵敏放大器构成的读电路，包含两个完全对称的第一、第二存储模块，各灵敏放大器的两根位线分别接到第一、第二存储模块的对应位线上。该灵敏放大器电路结构简单，不需要偏置电路，占用面积小，读取速度快，动态功耗低，静态功耗几乎为0；工作电压范围大；由上述的灵敏放大器构成的读电路具有抗器件特性退化，性能稳定的特点。
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公开(公告)号：CN100583294C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200810046620.3
申请日：2008-01-04
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C16/26
Abstract: 本发明公开了一种用于EEPROM的灵敏放大器及由其构成的读电路。本发明提供的用于EEPROM的灵敏放大器包括充电控制电路、检测电路和保持整形输出电路；充电控制电路由相同的二个充电控制子电路构成；检测电路为一个同或门；保持整形输出电路对检测电路的输出进行保持并整形为标准数字电平。由上述的灵敏放大器构成的读电路，包含两个完全对称的第一、第二存储模块，各灵敏放大器的两根位线分别接到第一、第二存储模块的对应位线上。该灵敏放大器电路结构简单，不需要偏置电路，占用面积小，读取速度快，动态功耗低，静态功耗几乎为0；工作电压范围大；由上述的灵敏放大器构成的读电路具有抗器件特性退化，性能稳定的特点。
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公开(公告)号：CN103823991B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410088166.3
申请日：2014-03-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F19/00 , G05B19/404
Abstract: 本发明公开了一种考虑环境温度的重型机床热变形预测方法，具体为：预测机床内部热源引起的机床热变形量，以及预测机床外部热源引起的机床热变形量，将机床内、外部热源引起的机床热变形量叠加得到机床最终热变形量。在机床外部热源引起的机床热变形量预测中考虑了环境温度引起的时滞热变形误差，在内部热源引起的机床热变形量预测中进行了基于最小二乘原理的多元回归建模。本发明综合了反映重型机床受环境温度非线性滞后影响和内热源影响的共同作用效果，能够实现任意环境条件和加工条件下的热变形误差实时有效预测。
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