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公开(公告)号：CN105268490B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201410300879.1
申请日：2014-06-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: B01L3/00
Abstract: 本发明公开了一种微流控芯片的封装方法，用于对具有微通道结构的微米级基片和与基片相固定连接的盖片进行封装得到微流控芯片，包括下述步骤，S1根据微流控芯片上的图案制备基片与盖片；S2根据微流控芯片上的图案制备与其图案相同的自蔓延多层膜；S3分别将进行表面处理后的所述基片和所述盖片层叠在所述自蔓延多层膜两侧面以形成封装结构；S4对所述封装结构施加压力并引燃所述自蔓延多层膜，燃烧引起材料融化实现所述基片和所述盖片的焊接固定以实现微流控芯片的封装。本发明方法解决了传统的封装工艺中微流道易被堵塞、芯片易受损的问题，并提高了互连的长期可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107473177B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201710574943.9
申请日：2017-07-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明属于微纳制造工艺相关领域，并提供了一种3D微纳结构的制作方法，该方法包括：将被加工材料薄膜放置在模具上，模具根据根据材料的脱模性能决定是否涂覆脱模剂，在被加工材料薄膜上方放置用于发生自蔓延反应的自蔓延多层膜，向自蔓延多层膜自上至下的结构施加0.1MPa～20MPa的压力，点燃自蔓延多层膜，由此方式以点燃后的自蔓延多层膜作为热量与冲击力的来源，将所述模具上的图形转移到所述被加工材料薄膜上。按照本方法，不仅可有效避免微纳制造复杂的加工工序，具有方法灵活、成本低廉的特点，同时操作简便，条件温和，对环境要求低，可实现批量生产。
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公开(公告)号：CN108538446B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201810361358.5
申请日：2018-04-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微电子封装相关技术领域，其公开了一种纳米银膏的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)将纳米级或者微米级的能够发生自蔓延反应的金属粉末进行预处理以得到自蔓延粉；(2)将纳米银粉及步骤(1)所得到的自蔓延粉所组成的混合物中加入有机载体及有机溶剂后混合均匀以得到混合纳米银膏预备体，并将所述混合纳米银膏预备体以预定温度进行恒温水浴加热，使所述有机溶剂挥发，由此得到新型纳米银膏；或者，将所述自蔓延粉加入现有的纳米银膏中进行搅拌以获得所述新型纳米银膏。本发明还涉及纳米银膏及适用于电子封装的烧结方法。本发明利用自蔓延粉发生自蔓延反应产生的热量来辅助烧结，提高了烧结速度及工作效率。
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公开(公告)号：CN107473177A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710574943.9
申请日：2017-07-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/0046
Abstract: 本发明属于微纳制造工艺相关领域，并提供了一种3D微纳结构的制作方法，该方法包括：将被加工材料薄膜放置在模具上，模具根据根据材料的脱模性能决定是否涂覆脱模剂，在被加工材料薄膜上方放置用于发生自蔓延反应的自蔓延多层膜，向自蔓延多层膜自上至下的结构施加0.1MPa～20MPa的压力，点燃自蔓延多层膜，由此方式以点燃后的自蔓延多层膜作为热量与冲击力的来源，将所述模具上的图形转移到所述被加工材料薄膜上。按照本方法，不仅可有效避免微纳制造复杂的加工工序，具有方法灵活、成本低廉的特点，同时操作简便，条件温和，对环境要求低，可实现批量生产。
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公开(公告)号：CN108538446A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810361358.5
申请日：2018-04-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微电子封装相关技术领域，其公开了一种纳米银膏的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)将纳米级或者微米级的能够发生自蔓延反应的金属粉末进行预处理以得到自蔓延粉；(2)将纳米银粉及步骤(1)所得到的自蔓延粉所组成的混合物中加入有机载体及有机溶剂后混合均匀以得到混合纳米银膏预备体，并将所述混合纳米银膏预备体以预定温度进行恒温水浴加热，使所述有机溶剂挥发，由此得到新型纳米银膏；或者，将所述自蔓延粉加入现有的纳米银膏中进行搅拌以获得所述新型纳米银膏。本发明还涉及纳米银膏及适用于电子封装的烧结方法。本发明利用自蔓延粉发生自蔓延反应产生的热量来辅助烧结，提高了烧结速度及工作效率。
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公开(公告)号：CN105268490A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201410300879.1
申请日：2014-06-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: B01L3/00
Abstract: 本发明公开了一种微流控芯片的封装方法，用于对具有微通道结构的微米级基片和与基片相固定连接的盖片进行封装得到微流控芯片，包括下述步骤：S1.根据微流控芯片上的图案制备基片与盖片；S2.根据微流控芯片上的图案制备与其图案相同的自蔓延多层膜；S3.分别将进行表面处理后的所述基片和所述盖片层叠在所述自蔓延多层膜两侧面以形成封装结构；S4.对所述封装结构施加压力并引燃所述自蔓延多层膜，燃烧引起材料融化实现所述基片和所述盖片的焊接固定以实现微流控芯片的封装。本发明方法解决了传统的封装工艺中微流道易被堵塞、芯片易受损的问题，并提高了互连的长期可靠性。
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