一种表面处理的氧化镍空穴传输层、钙钛矿太阳能电池及制备方法

    公开(公告)号:CN117062452A

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN202311035411.X

    申请日:2023-08-17

    摘要: 本发明涉及钙钛矿太阳能电池材料的制备技术领域,具体公开一种表面处理的氧化镍空穴传输层、钙钛矿太阳能电池及制备方法。该表面处理的氧化镍空穴传输层包括氧化镍空穴传输层以及沉积在氧化镍空穴传输层上的钝化层;其中,钝化层为碱金属卤化物或一价金属氧化物的无机化合物;或,具有空穴传输功能的有机自组装单分子层。在基于该表面处理的氧化镍空穴传输层中该钝化层的钙钛矿太阳能电池中,其中的钝化层避免氧化镍与钙钛矿直接接触,有效的抑制氧化镍薄膜表面Ni3+与钙钛矿之间发生氧化还原反应,降低氧化镍与钙钛矿界面的缺陷,提升钙钛矿薄膜的载流子寿命,提高钙钛矿太阳能电池的光电转换效率。

    一种方酸类高分子聚合物、其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN108794732A

    公开(公告)日:2018-11-13

    申请号:CN201810639555.9

    申请日:2018-06-20

    发明人: 李忠安 肖奇

    IPC分类号: C08G61/12 H01L51/42 H01L51/46

    摘要: 本发明属于有机太阳能电池中(OSCs)及钙钛矿太阳能电池(PVSCs)中的新材料领域,更具体地,涉及一种方酸类高分子聚合物、其制备方法和应用。该高分子聚合物以不对称方酸和引达省并二噻吩共价连接形成的片段为共聚单元,该高分子聚合物合成过程简单,吸光性能好,空穴迁移率高,可分别应用于有机太阳能电池给体材料和反式钙钛矿太阳能电池中的空穴传输材料,所得最高效率分别为6.35%和18.29%。

    一种方酸类高分子聚合物、其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN108794732B

    公开(公告)日:2019-10-25

    申请号:CN201810639555.9

    申请日:2018-06-20

    发明人: 李忠安 肖奇

    IPC分类号: C08G61/12 H01L51/42 H01L51/46

    摘要: 本发明属于有机太阳能电池中(OSCs)及钙钛矿太阳能电池(PVSCs)中的新材料领域,更具体地,涉及一种方酸类高分子聚合物、其制备方法和应用。该高分子聚合物以不对称方酸和引达省并二噻吩共价连接形成的片段为共聚单元,该高分子聚合物合成过程简单,吸光性能好,空穴迁移率高,可分别应用于有机太阳能电池给体材料和反式钙钛矿太阳能电池中的空穴传输材料,所得最高效率分别为6.35%和18.29%。