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公开(公告)号:CN117452678A
公开(公告)日:2024-01-26
申请号:CN202311375654.8
申请日:2023-10-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种表面等离子体铌酸锂调制装置及其制作工艺方法,其中,铌酸锂调制装置的调制区域为水平方向上依次排布的金属件到铌酸锂材料脊波导到金属件的结构顺序,脊波导为窄波导结构,两侧的金属件在同一水平面上与脊波导铌酸锂材料侧壁紧密接触,铌酸锂调制装置利用调制区域两侧金属件与铌酸锂材料界面上分别产生的表面等离极化激元实现对光场和射频场的超强局域,能够提高调制效率,有效减小调制器尺寸,可以降低射频损耗并减小器件电容,从而实现更大调制带宽。
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公开(公告)号:CN116540428A
公开(公告)日:2023-08-04
申请号:CN202310277770.X
申请日:2023-03-17
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种电光调制装置,其中,电光调制装置在垂直方向依次包括顶层金属层、电光材料层、金属面夹层和二氧化硅层,电光材料层分别与电光材料层表面的金属件和底板的金属面夹层形成表面等离激元,表面等离激元可以将光场局域在电光材料中,同时也可以局域电场并增强调制电场大小,因而本发明的电光调制装置中光场和电场的重叠因子可以极大增强从而提高调制效率;其中,第一金属件施加电信号,第二金属件接地,所形成的左右两个垂直电光材料层表面等离子体狭缝波导对电光材料折射率的调控是相反的,进而可以实现高效的调制功能。
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