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公开(公告)号：CN118610239A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410757809.2
申请日：2024-06-13
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请公开了一种高耐压的碳化硅基雪崩晶体管，包括依次设置的集电区电极、集电区n+衬底层、集电区n0外延层、p+基区层及n+发射区层；p+基区层中设置高掺杂的欧姆接触区域，同时在集电区n0外延层边缘通过离子注入形成高掺杂的浮空保护环作为终端，在离子注入处用碳膜保护注入窗口；在碳膜上淀积氧化层；还有分步骤淀积的基区电极和发射区电极，其中基区电极与设置的欧姆接触区域相连，发射区电极穿过氧化层后与n+发射区接触。本申请提供了一种高耐压的碳化硅基雪崩晶体管，解决了现有硅基雪崩晶体管静态耐压低、导通电阻高、动态开通的电压下降率低的问题。
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公开(公告)号：CN115911116A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211501472.6
申请日：2022-11-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于电压脉冲触发的超快速雪崩晶体管，包括由下至上设置的集电区电极、集电极区n+衬底层、集电极区n0外延层、p+基区层及n+发射区层，p+基区层旁设有环状深阱结构，深阱结构采用SiO2‑Si3N4；还包括基区电极和发射区电极，集电极区n0外延层的表面覆盖一层氧化层，氧化层上覆盖有金属场板，金属场板与基区电极接触，金属场板的底部穿过氧化层与p+基区层接触，n+发射区层表面覆盖一层掺氧半绝缘多晶硅层，发射区电极的底部穿过掺氧半绝缘多晶硅层与n+发射区层接触。本发明能有效提高雪崩晶体管在基射极短接，电压脉冲触发时的动态开通速度，优化基于雪崩晶体管的脉冲发生器的电压输出上升沿特性。
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公开(公告)号：CN118573155A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410729980.2
申请日：2024-06-06
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请公开了一种用于Marx发生器的触发电路及高重频脉冲发生器，其中，触发电路包括宽禁带半导体器件，宽禁带半导体器件的漏极分别与第一隔离电阻的一端、第一电容的一端相连，第一隔离电阻的另一端与Marx发生器的电源端相连，第一电容的另一端与Marx发生器中的第一级雪崩晶体管的基极和发射极相连；当Marx发生器充电结束后，驱动信号产生电路输出驱动信号驱动宽禁带半导体器件开通，产生纳秒级上升时间和百伏级幅值的脉冲触发信号。本申请可从根本上解决第二级雪崩晶体管损坏的问题，使其输出重复频率突破700kHz，同时还能提高相同级数下Marx发生器的输出脉冲幅值，并降低相同级数下输出脉冲的上升时间。
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