公开(公告)号：CN117835809A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202410197886.7

申请日：2024-02-22

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 程伟明 ,  苏睿 ,  张润青 ,  洪卓凡 ,  缪向水

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明提出了一种全范德华界面拓扑相变忆阻器及其制备方法，涉及半导体信息存储和人工突触器件技术领域。其制备步骤为：采用脉冲激光沉积法在衬底层上沉积底电极层；采用脉冲激光沉积法，在钙钛矿型衬底上依次沉积钙钛矿牺牲层和存储介质层；采用湿法转移法将存储介质层覆盖在底电极层上；采用磁控溅射法或电子束蒸发法在SiO2/Si衬底表面沉积顶电极层；采用湿法转移法将顶电极层覆盖在存储介质层上。采用湿法转移工艺，依次在底电极层转移叠加拓扑相变材料即存储介质层和顶电极层，实现存储介质层与底电极层之间、存储介质层与顶电极层之间的范德华接触界面，从而减少因为接触缺陷而导致的拓扑相变导电丝成型无序的现象，进而提升拓扑相变忆阻器的性能。

公开(公告)号：CN120018768A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202510167041.8

申请日：2025-02-14

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 程伟明 ,  洪卓凡 ,  张润青 ,  苏睿 ,  缪向水

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20 ,  H10D1/68 ,  C23C14/02 ,  C23C14/08 ,  C23C14/28

Abstract: 本发明涉及半导体电极技术领域，具体涉及一种衬底表面的处理方法及其制品和应用，该处理方法包括以下步骤：S1、使用水溶剂对钛酸锶基材进行处理，然后使用10％～20％体积分数的盐酸溶液进行腐蚀处理45～60min，得到预处理衬底；S2、对得到的预处理衬底进行退火处理，降温，得到具有有序表面台阶结构的衬底。本发明的处理方法，利用钛酸锶作为沉积衬底，其与钙钛矿氧化物SrRuO3的结构相近，可以满足SrRuO3在其上沉积生长，沉积之前先对钛酸锶表面进行特殊处理，使其具有原子级平整表面和有序表面台阶结构，而后再沉积生长SrRuO3，电极表面粗糙度大大降低，由此保证了半导体器件的性能。