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公开(公告)号：CN115712207A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211522515.9
申请日：2022-11-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于透明导电氧化物的硅基热调相移器，属于集成光子器件设计领域，包括作为基底的绝缘衬底上硅和热调相移器，热调相移器包括波导和透明导电氧化物，透明导电氧化物覆盖在波导上，通过通电产热引起硅波导的温度变化，从而改变硅材料的折射率，进而实现对光的调制。本发明利用透明导电氧化物在通信波段的高透光率和近似金属的导电性，实现了低损耗、低功耗、高速率的硅基片上热调。同时相移器的制备和透明导电氧化物微加热器的图形化工艺均为标准互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺和金属剥离(lift‑off)工艺，因此本发明还有着便于集成应用的特点。
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