公开(公告)号：CN116043194A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202310081156.6

申请日：2023-01-13

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 童浩 ,  朱荣江 ,  缪向水 ,  何强

IPC: C23C16/455 ,  H10B63/10 ,  C23C16/30 ,  C23C16/02

Abstract: 本发明公开了一种原子层沉积硫系相变薄膜的方法，其包括：步骤S1：将硫系前驱体分子A以脉冲注入的方式对衬底进行表面修饰，使所述衬底的表面饱和吸附一层成键的硫系修饰层；步骤S2：通入载气对表面修饰后的衬底进行吹扫，消除衬底表面未被吸附的多余的硫系前驱体分子A；步骤S3：采用原子层沉积法在吹扫后的衬底表面交替脉冲注入硫系前驱体分子A和硫系前驱体分子B，生长硫系相变薄膜。本发明通过在原子层沉积之前，利用单一的硫系前驱体分子进行脉冲注入以修饰衬底表面，可以高效制备得到高保型、无针孔硫系相变薄膜。

公开(公告)号：CN118139516A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202211544621.7

申请日：2022-12-02

Applicant: 华为技术有限公司 ,  华中科技大学

Inventor： 童浩 ,  何强 ,  朱荣江 ,  缪向水 ,  陈伟 ,  李天宇 ,  马平 ,  谭海波

IPC: H10N70/20 ,  G11C11/56

Abstract: 一种相变存储单元及其制备方法，该相变存储单元包括相变薄膜，该相变薄膜包括依次层叠的第一相变诱导层、相变功能层以及第二相变诱导层，第一相变诱导层具有表面Te悬挂键。本申请还提供了应用该相变存储单元的相变存储芯片、相变存储器和电子设备，该相变存储单元中相变薄膜的生长速率可控性更强，相变薄膜具有较高的质量和均一性，而且相变薄膜的三层叠设结构有助于将相热量限制在相变功能层，有利于降低相变存储器的功耗、提高相变存储器的疲劳寿命以及操作速度。