公开(公告)号：CN102522094A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110407886.8

申请日：2011-12-09

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 缪向水 ,  程伟明 ,  刘文武 ,  戴亦凡 ,  王霄 ,  程晓敏

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/84

Abstract: 本发明公开了一种SmCo5垂直磁化膜的双层结构底层材料，它包括依次设置在衬底上的Ti3W7层和Cu层，Ti3W7层厚度5～30nm，优选5nm，Cu层厚度50～500nm，优选100nm。制备方法为在衬底上沉积5～30nm的Ti3W7层；然后在Ti3W7层上沉积50～500nm的Cu层，制得Cu/Ti3W7双层结构底层材料。当采用溅射法进行沉积时：以Ar作为溅射气体对Ti3W7靶进行溅射，在衬底上沉积Ti3W7层；然后以Ar为溅射气体对Cu靶进行溅射，在Ti3W7层上沉积Cu层。本发明可以提高Cu底层晶粒沿（111）面择优取向生长并降低其表面粗糙度，从而可很好地引导和调控沉积在上面的SmCo5薄膜的(0001)面沿垂直膜面方向生长，显著地提高SmCo5薄膜的垂直磁性能，使SmCo5薄膜可更好用于高密度垂直磁记录领域。