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公开(公告)号：CN109188606B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN201811209836.7
申请日：2018-10-17
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G02B6/13
摘要： 本发明属于光波导感知器件制备领域，并具体公开了一种柔性可拉伸光波导感知器件及其制备方法，该器件采用如下步骤制备：制备PVA牺牲层及硅光栅模板；对硅光栅模板的表面进行疏水处理；将两块经疏水处理的硅光栅模板置于牺牲层上，并保持光栅方向一致且光栅面朝上；将配置的未固化的柔性材料溶液旋涂在牺牲层上，并覆盖牺牲层上的硅光栅模板，然后加热固化；将固化后获得的器件整体放置于水中以溶解牺牲层，然后剥离硅片光栅模板，获得由柔性材料制成的柔性可拉伸光波导感知器件。本发明充分发挥柔性光波导的可拉伸性和弯曲性，具有制备工艺简单，操作方便等优点。
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公开(公告)号：CN109373889A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811374407.5
申请日：2018-11-19
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于微纳光机电系统相关技术领域，其公开了金属应变感知器件及其制造方法及使用方法，所述金属应变感知器件包括为柔性可拉伸结构，其包括硅光栅基底及形成在所述硅光栅基底上的金属薄膜层，所述硅光栅基底为柔性可拉伸基底，其具有可拉伸性及弯曲性；所述金属应变感知器件形成有应变感知区，所述应变感知区的电阻值随着所述金属感应器件的应变值的变化而变化；所述金属应变感知器件通过自身的电阻变化量来实现应变量的测量。本发明提供的金属应变感知器件具有可拉伸性和弯曲性，降低了制备成本，提高了效率。
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公开(公告)号：CN109164524A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201811159635.0
申请日：2018-09-30
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于光电器件技术领域，并具体公开了基于纳米复制成型的柔性光子晶体传感器及制备方法，所述方法包括，S1、制备光子晶体光栅模板；S2、硅模板光栅表面处理；S3、柔性光栅基底成型；S4、柔性光栅基底剥离；S5、沉积高折射率材料层，形成柔性可拉伸光子晶体传感器。所述传感器包括柔性光栅基底层和高折射率光栅层，柔性光栅包括呈周期交替排列的光栅凹槽和光栅凸台，所述光栅凹槽和光栅凸台的上表面均沉积有高折射率材料层。本发明成功的解决了传统的光子晶体传感器不具备柔性和可拉伸性的不足之处，为柔性光子晶体器件在机器人触觉感知领域的应用提供了基础，制备工艺简单，耗时短，成本低、适应性强、检测精度高。
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公开(公告)号：CN106646681B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201611073288.0
申请日：2016-11-29
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G02B1/00
摘要： 本发明属于传感器领域，并公开了一种基于微电子机械系统的光子晶体纳米流体传感器，包括光刻胶层、硅晶片基底、第一折射率材料薄膜层、第二折射率材料薄膜层和聚合物材料封接层，所述第二折射率材料薄膜层的顶端设置有方波形的光栅结构，所述光栅结构包括多个通槽和多个凸起并且它们交替排列，所述光刻胶层、硅晶片基底、第一折射率材料薄膜层和第二折射率材料薄膜层共同构成传感器基体层，所述传感器基体层上设置有进流口和出流口本。本传感器为基于光子晶体的纳米流体传感器，成功解决了传统的光子晶体传感器消耗检测物过多、检测时间长、测试精度不高的问题，同时，也消除了传统纳米流体传感器功能单一、结构不稳定、通道少的问题。
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公开(公告)号：CN106595727B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201611081154.3
申请日：2016-11-30
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于纳米复制成型的光子晶体纳米流体传感器及制备方法，该传感器包括光子晶体结构和光学透明覆盖层，光子晶体结构包括玻璃基底、由紫外线固化物所形成的低折射率光栅层和沉积在所述光栅层上的高折射率材料层；该方法包括：制备具有光栅周期结构的石英光栅母模板；在载玻片上旋涂紫外线固化物；加热石英光栅母模板，并在光栅凹槽内滴入剥离胶，然后将载玻片覆盖在石英光栅母模板上并固化；在载玻片背面粘贴盖玻片；在光栅层上沉积高折射率材料获得高折射率材料层；在材料层表面粘贴光学透明覆盖层以使两者键合，学透明覆盖层与光栅凹槽之间形成纳米流体通道。本发明具有制备简洁快速，制作精度高、成本低的特点，且适合于大批量生产。
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公开(公告)号：CN109188606A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811209836.7
申请日：2018-10-17
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G02B6/13
摘要： 本发明属于光波导感知器件制备领域，并具体公开了一种柔性可拉伸光波导感知器件及其制备方法，该器件采用如下步骤制备：制备PVA牺牲层及硅光栅模板；对硅光栅模板的表面进行疏水处理；将两块经疏水处理的硅光栅模板置于牺牲层上，并保持光栅方向一致且光栅面朝上；将配置的未固化的柔性材料溶液旋涂在牺牲层上，并覆盖牺牲层上的硅光栅模板，然后加热固化；将固化后获得的器件整体放置于水中以溶解牺牲层，然后剥离硅片光栅模板，获得由柔性材料制成的柔性可拉伸光波导感知器件。本发明充分发挥柔性光波导的可拉伸性和弯曲性，具有制备工艺简单，操作方便等优点。
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公开(公告)号：CN106646681A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611073288.0
申请日：2016-11-29
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G02B1/00
CPC分类号： G02B1/005
摘要： 本发明属于传感器领域，并公开了一种基于微电子机械系统的光子晶体纳米流体传感器，包括光刻胶层、硅晶片基底、第一折射率材料薄膜层、第二折射率材料薄膜层和聚合物材料封接层，所述第二折射率材料薄膜层的顶端设置有方波形的光栅结构，所述光栅结构包括多个通槽和多个凸起并且它们交替排列，所述光刻胶层、硅晶片基底、第一折射率材料薄膜层和第二折射率材料薄膜层共同构成传感器基体层，所述传感器基体层上设置有进流口和出流口本。本传感器为基于光子晶体的纳米流体传感器，成功解决了传统的光子晶体传感器消耗检测物过多、检测时间长、测试精度不高的问题，同时，也消除了传统纳米流体传感器功能单一、结构不稳定、通道少的问题。
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公开(公告)号：CN106595727A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611081154.3
申请日：2016-11-30
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于纳米复制成型的光子晶体纳米流体传感器及制备方法，该传感器包括光子晶体结构和光学透明覆盖层，光子晶体结构包括玻璃基底、由紫外线固化物所形成的低折射率光栅层和沉积在所述光栅层上的高折射率材料层；该方法包括：制备具有光栅周期结构的石英光栅母模板；在载玻片上旋涂紫外线固化物；加热石英光栅母模板，并在光栅凹槽内滴入剥离胶，然后将载玻片覆盖在石英光栅母模板上并固化；在载玻片背面粘贴盖玻片；在光栅层上沉积高折射率材料获得高折射率材料层；在材料层表面粘贴光学透明覆盖层以使两者键合，学透明覆盖层与光栅凹槽之间形成纳米流体通道。本发明具有制备简洁快速，制作精度高、成本低的特点，且适合于大批量生产。
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公开(公告)号：CN209147922U
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201821900556.6
申请日：2018-11-19
申请人： 华中科技大学
摘要： 本实用新型属于微纳光机电系统相关技术领域，其公开了金属应变感知器件，所述金属应变感知器件包括为柔性可拉伸结构，其包括硅光栅基底及形成在所述硅光栅基底上的金属薄膜层，所述硅光栅基底为柔性可拉伸基底，其具有可拉伸性及弯曲性；所述金属应变感知器件形成有应变感知区，所述应变感知区的电阻值随着所述金属感应器件的应变值的变化而变化；所述金属应变感知器件通过自身的电阻变化量来实现应变量的测量。本实用新型提供的金属应变感知器件具有可拉伸性和弯曲性，降低了制备成本，提高了效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208921901U
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201821683468.5
申请日：2018-10-17
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G02B6/124
摘要： 本实用新型属于光波导感知器件制备领域，并具体公开了一种柔性可拉伸光波导感知器件，包括柔性基底及分布在柔性基底上的光栅结构，所述光栅结构包括对称分布于柔性基底两端的左光栅和右光栅，所述左光栅和右光栅的结构相同，均包括多个开设在柔性基底上的且平行设置的凹槽。本实用新型通过将光栅结构直接设置于柔性基底上，使得光波导感知器件整体呈柔性，具有较好的拉伸性和弯曲性，具有结构简单、适用性强等优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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