发明授权
CN106595727B 基于纳米复制成型的光子晶体纳米流体传感器及制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 基于纳米复制成型的光子晶体纳米流体传感器及制备方法
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申请号: CN201611081154.3申请日: 2016-11-30
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公开(公告)号: CN106595727B公开(公告)日: 2019-06-11
- 发明人: 陈幼平 , 彭望 , 艾武 , 张代林 , 张冈 , 谢经明
- 申请人: 华中科技大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 专利权人: 华中科技大学
- 当前专利权人: 华中科技大学
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 代理机构: 华中科技大学专利中心
- 代理商 张彩锦
- 主分类号: G01D5/26
- IPC分类号: G01D5/26 ; G02B1/00
摘要:
本发明公开了一种基于纳米复制成型的光子晶体纳米流体传感器及制备方法,该传感器包括光子晶体结构和光学透明覆盖层,光子晶体结构包括玻璃基底、由紫外线固化物所形成的低折射率光栅层和沉积在所述光栅层上的高折射率材料层;该方法包括:制备具有光栅周期结构的石英光栅母模板;在载玻片上旋涂紫外线固化物;加热石英光栅母模板,并在光栅凹槽内滴入剥离胶,然后将载玻片覆盖在石英光栅母模板上并固化;在载玻片背面粘贴盖玻片;在光栅层上沉积高折射率材料获得高折射率材料层;在材料层表面粘贴光学透明覆盖层以使两者键合,学透明覆盖层与光栅凹槽之间形成纳米流体通道。本发明具有制备简洁快速,制作精度高、成本低的特点,且适合于大批量生产。
公开/授权文献
- CN106595727A 基于纳米复制成型的光子晶体纳米流体传感器及制备方法 公开/授权日:2017-04-26