公开(公告)号：CN120074480A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202411946636.5

申请日：2024-12-26

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 张烁 ,  童乔凌 ,  闵闰 ,  刘畅 ,  陈志坤

IPC: H03K17/081 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明提供了一种驱动电路、电路系统及电子设备，用于驱动功率管，功率管的漏端耦接至地，功率管的源端通过负载单元耦接至负载电源端；该驱动电路包括：驱动模块，根据输入的驱动控制信号为第一状态，对功率管的栅极注入导通电流，以导通功率管；根据输入的驱动控制信号为第二状态，对功率管的栅极抽取关断电流，以关断功率管；动态补偿模块，根据输入的驱动控制信号为第一状态，输出动态补偿电流至功率管的栅极，动态补偿电流和栅极电压呈负相关。由于动态补偿电流和栅极电压呈负相关，因此当功率管的栅极电压因反向传输电容的非线性激增而跌落时，所述动态补偿电流能根据栅极电压的跌落幅度适应性增大，以有效抑制功率管的电压拖尾问题。

公开(公告)号：CN120074479A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202411916508.6

申请日：2024-12-24

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 张烁 ,  童乔凌 ,  闵闰 ,  刘畅 ,  陈志坤

IPC: H03K17/081 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明提供了一种NMOS管的栅极驱动电路，该电路通过在需要NMOS管开通时，将输出的开通控制信号的电压调整为第一阶段开通电压，第一阶段开通电压大于密勒平台电压且小于最大开通驱动电压，且仅在NMOS管的栅源电压大于或等于第一阈值电压时，控制开通控制信号的电压为最大开通驱动电压；在需要NMOS管关断时，将输出的关断控制信号的电压调整为第一阶段关断电压，第一阶段开通电压小于NMOS管的阈值电压且小于最小关断驱动电压，且仅在NMOS管的栅源电压小于或等于第二阈值电压时，控制关断控制信号的电压为最小关断驱动电压。从而本发明通过两段式的驱动方案，实现了对NMOS管的电流过冲抑制以及电压过冲抑制，还兼顾了较快的开通速度及关断速度。

公开(公告)号：CN116317478A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310291632.7

申请日：2023-03-21

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 张烁 ,  童乔凌 ,  闵闰 ,  彭晗 ,  李新宇

IPC: H02M1/08 ,  H02M1/00 ,  H02M1/32 ,  H03K17/081

Abstract: 本发明提供了一种基于电压斜率检测的全集成驱动芯片架构、电子设备，用于对第一功率管进行驱动；反馈电容用于对第一功率管的源漏电压的电压斜率变化进行反馈，并根据反馈结果产生位移电流；控制单元用于输出控制信号；集成驱动单元的电压斜率检测电路用于根据所述位移电流，输出第一开通电平信号至集成驱动单元的开通三段式驱动支路；开通三段式驱动支路用于根据第一开通电平信号和控制信号，形成第一驱动电流、第二驱动电流、第三驱动电流，并输出至第一功率管的栅极，以依次控制第一功率管在不同开通阶段的开通；集成驱动单元的关断驱动支路用于根据控制信号输出一恒定的第四驱动电流至所述第一功率管的栅极，以控制第一功率管的关断。

公开(公告)号：CN116317476A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310280333.3

申请日：2023-03-21

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 张烁 ,  童乔凌 ,  闵闰 ,  彭晗 ,  唐文军

IPC: H02M1/08 ,  H02M1/00 ,  H02M1/32 ,  H03K17/081

Abstract: 本发明提供了一种基于电流斜率检测的全集成驱动芯片架构、电子设备，用于对第一功率管进行驱动；该架构包括反馈单元，对第一功率管的感应电压进行分压反馈；控制单元，提供控制信号；集成驱动单元，包括开通三段式驱动支路以及关断三段式驱动支路；开通三段式驱动支路用于将感应电压和第一参考电压进行比较并根据比较结果输出第一驱动电流至第三驱动电流至第一功率管的栅极，对其进行分阶段导通以同时对第一功率管的开通损耗和尖峰电流进行优化；关断三段式驱动支路用于将感应电压和第二参考电压进行比较并根据比较结果输出第四驱动电流至第六驱动电流至第一功率管的栅极，对其进行分阶段关断以同时对第一功率管的关断损耗和尖峰电压进行优化。