-
公开(公告)号：CN111348674B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202010054655.2
申请日：2020-01-17
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明属于类钙钛矿纳米晶技术领域，公开了一种Cs3Cu2X5纳米晶的制备方法及产物，其中制备方法是通过向热注入法制备Cs3Cu2X5纳米晶的前驱液中额外引入卤化铟InX3或卤化锌ZnX2，利用热注入法制备纳米晶的工艺制备得到Cs3Cu2X5纳米晶，其中X选自Cl、Br、I。本发明通过对纳米晶制备方法中关键的调控纳米晶生长的前驱物进行改进，以卤化铟或卤化锌作为前驱物中的添加剂，配合以铜元素作为铅元素的替代物，完成无铅金属卤化物发光纳米晶的制备，本发明制备过程易于实现，成本低，同时还能够解决含铅卤素钙钛矿纳米晶存在的缺陷。
-
公开(公告)号：CN111348674A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN202010054655.2
申请日：2020-01-17
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明属于类钙钛矿纳米晶技术领域，公开了一种Cs3Cu2X5纳米晶的制备方法及产物，其中制备方法是通过向热注入法制备Cs3Cu2X5纳米晶的前驱液中额外引入卤化铟InX3或卤化锌ZnX2，利用热注入法制备纳米晶的工艺制备得到Cs3Cu2X5纳米晶，其中X选自Cl、Br、I。本发明通过对纳米晶制备方法中关键的调控纳米晶生长的前驱物进行改进，以卤化铟或卤化锌作为前驱物中的添加剂，配合以铜元素作为铅元素的替代物，完成无铅金属卤化物发光纳米晶的制备，本发明制备过程易于实现，成本低，同时还能够解决含铅卤素钙钛矿纳米晶存在的缺陷。
-
公开(公告)号：CN107393810B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201710570025.9
申请日：2017-07-13
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种氧化物半导体薄膜的制备方法，其制备方法包括如下步骤：(1)将半导体胶体量子点溶液放置在静电纺丝平台中，在喷嘴与基板间加电场，使溶液分散雾化，雾化液在绝缘衬底上均匀成膜；(2)用短链配体溶液处理量子点薄膜，以置换掉量子点薄膜表面的长链油酸；(3)去除残余的短链配体及其副产物；(4)在设定温度范围和设定的时间范围内对雾化液所成的膜执行退火处理，获得氧化物半导体薄膜。上述方法中，可以在刚性或柔性衬底上成膜。该制备方法便于调节溶液中各组分质量配比，从而改变薄膜成分，为实验室制备和研究氧化物半导体薄膜提供了新的制备方法和思路，并为大规模生产提供了可能的途径。
-
公开(公告)号：CN107393810A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710570025.9
申请日：2017-07-13
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02697
Abstract: 本发明公开了一种氧化物半导体薄膜的制备方法，其制备方法包括如下步骤：(1)将半导体胶体量子点溶液放置在静电纺丝平台中，在喷嘴与基板间加电场，使溶液分散雾化，雾化液在绝缘衬底上均匀成膜；(2)用短链配体溶液处理量子点薄膜，以置换掉量子点薄膜表面的长链油酸；(3)去除残余的短链配体及其副产物；(4)在设定温度范围和设定的时间范围内对雾化液所成的膜执行退火处理，获得氧化物半导体薄膜。上述方法中，可以在刚性或柔性衬底上成膜。该制备方法便于调节溶液中各组分质量配比，从而改变薄膜成分，为实验室制备和研究氧化物半导体薄膜提供了新的制备方法和思路，并为大规模生产提供了可能的途径。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.014 seconds)
