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公开(公告)号：CN110567882B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201910757724.3
申请日：2019-08-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N21/21
Abstract: 本发明属于二维材料测量领域，并具体公开了一种二维材料复光导率确定方法，其首先根据电磁波在待测二维材料中的传播效应确定对应的计算方式；对于传播效应弱的二维材料，将其等效为无限薄片层，将二维材料椭偏参数用其复光导率进行表示，从而拟合提取得到二维材料的复光导率；对于电磁波传播效应强的材料，先确定其介电函数或复折射率，然后借助介电函数或复折射率与复光导率间的转换关系确定二维材料的复光导率。该方法全面系统，操作流程清晰明了，充分考虑二维材料光电响应机理，分析结果准确可靠，适用于各种二维材料复光导率的确定。
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公开(公告)号：CN110057401A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910315611.8
申请日：2019-04-19
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01D21/02
Abstract: 本发明属于薄膜测量表征领域，并具体公开了一种透明超薄膜折射率及厚度测量方法，包括如下步骤：S1以2πdT/λ为变量对透明超薄膜椭偏比ρ1进行二阶泰勒展开获得幂级数形式：S2分离出幂级数形式中与透明超薄膜相关的参量T1和T2，并获得表达式；S3计算幂级数形式的实部与虚部平方的斜率R，根据斜率R计算 的具体值；S4将计算的 具体值带入步骤S2的表达式中求解出透明超薄膜的折射率nT，并根据折射率计算透明超薄膜的厚度。本发明可实现透明超薄膜的折射率和厚度的快速、直接、准确测量，具有适用范围广，测量准确，无复杂分析过程等优点。
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公开(公告)号：CN110596011A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910792395.6
申请日：2019-08-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于材料基础物理特性研究领域，并具体公开了一种材料介电张量测量方法，其首先由预设待测材料介电张量初始值ε(E)确定偏转换矩阵Tp和透射矩阵Tt，进而由偏转换矩阵Tp、透射矩阵Tt和入射矩阵Ti得到待测材料表面电磁波的传输矩阵；然后由该传输矩阵Tm确定待测材料理论穆勒矩阵谱MMCal(E)，将该理论穆勒矩阵谱MMCal(E)与待测材料测量穆勒矩阵谱MMExp(E)进行拟合分析，从而得到待测材料的介电张量。该介电张量计算方法基于一般性理论，操作流程清晰明了，获取结果全面可靠，适用于求解各类材料的介电张量。
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公开(公告)号：CN110118754A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910315604.8
申请日：2019-04-19
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N21/55
Abstract: 本发明属于超薄膜光学性质测量表征研究领域，并具体公开了一种超薄膜光学常数快速测量方法，其包括如下步骤：S1利用照射至待测超薄膜光源的p光幅值反射系数rp和s光幅值反射系数rs表达超薄膜材料的幅值反射系数比S2对 以2πdf/λ为变量在df＝0处进行二阶泰勒展开获得二阶近似形式；S3对二阶近似形式进行合并简化及替换处理将其转化为一元四次方程；S4对一元四次方程进行求解获得超薄膜材料光学常数的多个解，并通过条件判断获得正解，以此完成超薄膜光学常数的快速测量。本发明可实现超薄膜光学常数的快速测量，具有测量快速、测量准确等优点。
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公开(公告)号：CN108267449A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201810073550.4
申请日：2018-01-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N21/84
Abstract: 本发明公开了一种二维材料层数识别方法，首先，将椭圆偏振光以基底布鲁斯特角入射到待测样品表面，探测得到反射光偏振信息，进而得到椭偏参数；然后将椭圆偏振光以基底的布鲁斯特角入射到空白基底表面，探测得到出射光偏振信息，得到椭偏参数；最后由上述测量数据计算得到椭偏参数的对比度，将仿真得到的对比度曲线峰值理论值和实测值进行比较，判断二维材料的有无和层数。该方法可以实现对二维材料层数的快速识别，原理简单，易于操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110596011B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201910792395.6
申请日：2019-08-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于材料基础物理特性研究领域，并具体公开了一种材料介电张量测量方法，其首先由预设待测材料介电张量初始值ε(E)确定偏转换矩阵Tp和透射矩阵Tt，进而由偏转换矩阵Tp、透射矩阵Tt和入射矩阵Ti得到待测材料表面电磁波的传输矩阵；然后由该传输矩阵Tm确定待测材料理论穆勒矩阵谱MMCal(E)，将该理论穆勒矩阵谱MMCal(E)与待测材料测量穆勒矩阵谱MMExp(E)进行拟合分析，从而得到待测材料的介电张量。该介电张量计算方法基于一般性理论，操作流程清晰明了，获取结果全面可靠，适用于求解各类材料的介电张量。
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公开(公告)号：CN110118754B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201910315604.8
申请日：2019-04-19
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N21/55
Abstract: 本发明属于超薄膜光学性质测量表征研究领域，并具体公开了一种超薄膜光学常数快速测量方法，其包括如下步骤：S1利用照射至待测超薄膜光源的p光幅值反射系数rp和s光幅值反射系数rs表达超薄膜材料的幅值反射系数比S2对以2πdf/λ为变量在df＝0处进行二阶泰勒展开获得二阶近似形式；S3对二阶近似形式进行合并简化及替换处理将其转化为一元四次方程；S4对一元四次方程进行求解获得超薄膜材料光学常数的多个解，并通过条件判断获得正解，以此完成超薄膜光学常数的快速测量。本发明可实现超薄膜光学常数的快速测量，具有测量快速、测量准确等优点。
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公开(公告)号：CN110118767B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201910301515.8
申请日：2019-04-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于材料测量表征研究领域，并具体公开了一种材料光学跃迁分析方法及系统，其首先确定待分析材料的介电函数谱，并计算介电函数谱关于激发光能量的二阶导数谱，对二阶导数谱进行临界点分析以获取材料的临界点分析结果图；然后绘制材料的能带结构图和分态密度图，根据材料的能带结构图绘制导带与价带间的能量差值图；再根据材料的临界点分析结果图及导带与价带间的能量差值图确定临界点的空间位置及对应的导带与价带；最后在能带结构图中标识出导带与价带，并在分态密度图中确定参与临界点形成的粒子类型，以此完成材料光学跃迁分析。本发明实现了对材料光学跃迁特征的物理层面的分析解释，具有操作流程系统可靠，分析结果准确可信等优点。
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公开(公告)号：CN108534993B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201810234620.X
申请日：2018-03-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种LCVR偏振特性检测方法及系统，属于光学元件检测领域。该方法利用穆勒矩阵描述LCVR，建立LCVR特征参数与穆勒矩阵元素之间的关系，该系统采用穆勒矩阵椭偏仪测量待检测LCVR的穆勒矩阵随电压变化的曲线，从而根据电压求解得到LCVR的相位延迟量、快轴方位角，进一步获得待检测LCVR随电压变化的特征参数曲线。本发明所提供LCVR偏振特性检测方法及系统相比于现有LCVR偏振特性检测技术的优势在于，可以在一次测量中获得任意LCVR的相位延迟量、快轴方位角随电压变化的特征参数曲线。
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公开(公告)号：CN110567882A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910757724.3
申请日：2019-08-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N21/21
Abstract: 本发明属于二维材料测量领域，并具体公开了一种二维材料复光导率确定方法，其首先根据电磁波在待测二维材料中的传播效应确定对应的计算方式；对于传播效应弱的二维材料，将其等效为无限薄片层，将二维材料椭偏参数用其复光导率进行表示，从而拟合提取得到二维材料的复光导率；对于电磁波传播效应强的材料，先确定其介电函数或复折射率，然后借助介电函数或复折射率与复光导率间的转换关系确定二维材料的复光导率。该方法全面系统，操作流程清晰明了，充分考虑二维材料光电响应机理，分析结果准确可靠，适用于各种二维材料复光导率的确定。
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