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公开(公告)号：CN112051307B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202010851263.9
申请日：2020-08-21
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于石英晶体微天平的多传感器阵列及其制备方法，器件结构包括在石英晶振片，包覆于晶振片表面的上下电极，在石英晶振片表面的上电极表面定点形成的敏感层阵列。制备方法主要包括：在晶振片表面光刻电极图案；对电极图案之外的光刻胶及光刻胶表面的电极材料进行剥离；于电极表面光刻敏感层图案；于上述敏感层图案表面沉积敏感层材料；对敏感层图案之外的光刻胶及光刻胶表面的敏感材料进行剥离；重复上述操作，对已有敏感层图案的电极表面进行套刻直到制备完成敏感阵列。本发明所设计的一种基于石英晶体微天平的多传感器阵列及其制备方法，可以同时检测多种目标传感对象，提升检测范围，提高检测效率，得到更准确的测试结果。
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公开(公告)号：CN112051307A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010851263.9
申请日：2020-08-21
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于石英晶体微天平的多传感器阵列及其制备方法，器件结构包括在石英晶振片，包覆于晶振片表面的上下电极，在石英晶振片表面的上电极表面定点形成的敏感层阵列。制备方法主要包括：在晶振片表面光刻电极图案；对电极图案之外的光刻胶及光刻胶表面的电极材料进行剥离；于电极表面光刻敏感层图案；于上述敏感层图案表面沉积敏感层材料；对敏感层图案之外的光刻胶及光刻胶表面的敏感材料进行剥离；重复上述操作，对已有敏感层图案的电极表面进行套刻直到制备完成敏感阵列。本发明所设计的一种基于石英晶体微天平的多传感器阵列及其制备方法，可以同时检测多种目标传感对象，提升检测范围，提高检测效率，得到更准确的测试结果。
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公开(公告)号：CN120073097A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510204556.0
申请日：2025-02-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及一种无电极结构的锌离子二次电池及其制备方法，属于锌离子二次电池技术领域。制备方法为：配制同时含有锌离子和锰离子的电解质；以正极集流体和负极集流体在两侧，电解质在中间的方式组装电池，然后进行封装；所述正极集流体和负极集流体为导电基底；对封装得到的电池施加电压或电流，使得负极侧锌离子得电子还原为锌单质并沉积在负极集流体上，且正极侧锰离子失电子形成氧化物并沉积在正极集流体上，即得到无电极结构的锌离子二次电池。本发明电池组装时正、负极集流体上无活性材料负载；本发明能够显著简化锌离子电池结构及制备工艺，并提高材料利用率，从而有效降低器件制备成本并促进其推广应用。
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公开(公告)号：CN112028010B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202010899353.5
申请日：2020-08-31
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微纳结构相关技术领域，并具体公开了一种大面积高耐用性超疏水表面结构的制备方法及其产品。该方法包括：在基底表面制备刻蚀掩膜层，并通过刻蚀在基底上制得倒锥形阵列；对倒锤形阵列进行纳米压印，以此制得锥形掩膜，然后进行一次倒模，获得倒锥形阵列结构；构建耐磨层，获得倒锥形模板，利用疏水聚合物对倒锥形模板进行二次倒模，制得锥形阵列结构；对锥形阵列结构的表面进行研磨，以得到锥台阵列结构。本发明采用一次倒模、构建耐磨层的方式制备大面积倒锥形模板，后续利用疏水聚合物进行二次倒模得到大面积的超疏水表面，无需任何低表面能物质修饰，最后通过研磨进行微纳结构的加工，能够进一步提高表面的粗糙度和结构稳定性。
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公开(公告)号：CN112186092B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202010946073.5
申请日：2020-09-10
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微纳结构的制造领域，公开了一种基于超亲水结构的热电堆发电器件及其制备方法，该发电器件包括绝缘基底及位于该绝缘基底上的若干发电单元，每个发电单元包括第一悬浮热电偶电极、第二悬浮热电偶电极和超亲水层，这两个悬浮热电偶电极的一端分别位于第一热电偶电极冷端基座和第二热电偶电极冷端基座上，与冷端相连；另一端分别位于第一热电偶电极热端基座和第二热电偶电极热端基座上，与热端相连；所述热端为悬浮超亲水层，该悬浮超亲水层具有微纳结构。本发明通过利用超亲水结构作为热端配合热电偶电极形成热电堆发电器件，所形成的热电堆发电器件发电效率较高，结构稳定，且制备方法能够实现大规模热电堆阵列发电器件的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112186092A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010946073.5
申请日：2020-09-10
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微纳结构的制造领域，公开了一种基于超亲水结构的热电堆发电器件及其制备方法，该发电器件包括绝缘基底及位于该绝缘基底上的若干发电单元，每个发电单元包括第一悬浮热电偶电极、第二悬浮热电偶电极和超亲水层，这两个悬浮热电偶电极的一端分别位于第一热电偶电极冷端基座和第二热电偶电极冷端基座上，与冷端相连；另一端分别位于第一热电偶电极热端基座和第二热电偶电极热端基座上，与热端相连；所述热端为悬浮超亲水层，该悬浮超亲水层具有微纳结构。本发明通过利用超亲水结构作为热端配合热电偶电极形成热电堆发电器件，所形成的热电堆发电器件发电效率较高，结构稳定，且制备方法能够实现大规模热电堆阵列发电器件的制备。
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公开(公告)号：CN112050845A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010954269.9
申请日：2020-09-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01D18/00
Abstract: 本发明属于传感器测试领域，并具体公开了一种石英晶体微天平传感器的性能测试装置。该性能测试装置包括上盖和底座，其中上盖中进气孔和出气孔与反应腔相连通；反应腔下方的上盖密封圈凹槽用于放置上盖密封圈，上盖限位凹槽用于与底座配合，以放置待测石英晶体微天平传感器；底座中底座限位凹槽与上盖限位凹槽配合用于放置待测石英晶体微天平传感器；底座密封圈凹槽用于放置底座密封圈；引线孔用于放置引线。本发明利用上盖限位凹槽和底座限位凹槽相互配合对石英晶体微天平传感器进行限位，并利用上盖密封圈和下盖密封圈增强气密性，并保证较好的电极接触性能，同时还能够缓解石英晶体微天平传感器的接触压力。
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公开(公告)号：CN119394442A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411392504.2
申请日：2024-10-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于光电子器件领域，具体涉及一种线偏振方向识别方法及光电探测器，方法包括将待测线偏振光射向由第一1T’MoTe2纳米片、MoS2纳米片和第二1T’MoTe2纳米片依次层叠构成的纳米片结构，三层纳米片之间部分重叠；两个1T’MoTe2纳米片上均设置有一个电极；MoS2纳米片上设置有两个电极；两个1T’MoTe2纳米片的钼链方向之间的夹角不为0°和90°。使用垂直堆叠的1T’MoTe2/MoS2/1T’MoTe2异质结，借助1T’MoTe2本身的偏振敏感性，施加两个方向相反的偏压，借助电极施加电压和采集电流，推断出入射偏振光的偏振方向。本发明能实现片上集成的偏振角识别。
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公开(公告)号：CN112050845B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202010954269.9
申请日：2020-09-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01D18/00
Abstract: 本发明属于传感器测试领域，并具体公开了一种石英晶体微天平传感器的性能测试装置。该性能测试装置包括上盖和底座，其中上盖中进气孔和出气孔与反应腔相连通；反应腔下方的上盖密封圈凹槽用于放置上盖密封圈，上盖限位凹槽用于与底座配合，以放置待测石英晶体微天平传感器；底座中底座限位凹槽与上盖限位凹槽配合用于放置待测石英晶体微天平传感器；底座密封圈凹槽用于放置底座密封圈；引线孔用于放置引线。本发明利用上盖限位凹槽和底座限位凹槽相互配合对石英晶体微天平传感器进行限位，并利用上盖密封圈和下盖密封圈增强气密性，并保证较好的电极接触性能，同时还能够缓解石英晶体微天平传感器的接触压力。
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公开(公告)号：CN114744000A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210218412.7
申请日：2022-03-04
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L27/146 , C23C28/00
Abstract: 本发明涉及基于微喷印硫化钼薄膜的仿视网膜光探测器件及制备方法，属于微纳制造与光电子器件相关技术领域。制备方法包括：(1)在刚性衬底表面沉积剥离层，在剥离层表面涂敷柔性基底；(2)在柔性基底表面沉积绝缘层，通过光刻方法在绝缘层上制得金属电极阵列；(3)通过微喷印将原子级厚度硫化钼复合薄膜喷涂于金属电极沟道之间；(4)对柔性器件阵列进行剪裁，将其从刚性衬底上剥离后与球形衬底表面拼接，得到球形的硫化钼光探测器件。本发明采用微喷印的方法将硫化钼复合薄膜转移到各像元处，具有薄膜涂覆均匀，像元质量高、节约材料、工艺简单、成本低等明显优势。
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