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公开(公告)号：CN118223113A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410162413.3
申请日：2024-02-05
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于有机荧光分子材料技术领域，具体公开了一种荧光分子掺杂的有机微纳晶片的制备装置和方法。制备装置包括开口反应装置、晶片收集装置、加热装置，开口反应装置包含客体分子原料区、主体分子原料区、晶片生长掺杂区。制备方法为：将客体分子原料区、主体分子原料区以不同温度加热，使客体分子原料、主体分子原料分别持续相变为气态分子，气态的主体分子和客体分子在晶片生长掺杂区混合、结晶形成荧光分子掺杂的有机微纳晶片；晶片从开口处逸出、被晶片收集装置收集。使用本发明的装置和方法，晶片的收集不受反应器空间限制，晶片易转移，荧光分子掺杂浓度高，晶片中荧光分子具有确定取向且在低温下具有接近傅里叶变换极限的光谱线宽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118778292A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410863412.1
申请日：2024-06-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明属于单量子系统调控技术领域，公开了一种具有圆极化态辐射偶极的复合单量子系统及单向单光子源。复合单量子系统包括单量子辐射体、纳米光学天线，其中纳米光学天线具有两个偶极光学模式，其等效辐射偶极为相互正交的线极化偶极；单量子辐射体与纳米光学天线耦合，用于激发纳米光学天线的两个偶极光学模式；两个光学模式的激发强度相等，相位差为π/2，使两个偶极光学模式相干叠加后形成圆极化态辐射偶极。单向单光子源为具有圆极化态辐射偶极的复合单量子系统与波导耦合，耦合处波导模式局域电场为圆偏振态，使复合单量子系统发出的光子在波导中单向传输。本发明无需低温和强磁场条件即可实现圆极化偶极单量子系统和单向波导传输单光子源。
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公开(公告)号：CN118759741A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410986767.X
申请日：2024-07-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明属于单量子系统调控技术领域，公开了一种辐射偶极极化态可调的复合单量子系统。复合单量子系统包括单量子辐射体、纳米光学天线；纳米光学天线由两个纳米棒端对端间隙配合构成；两个纳米棒的轴线位于同一平面内成一定夹角；单量子辐射体位于两个纳米棒端对端间隙配合形成的纳米间隙中；通过调节两个纳米棒轴线的夹角，实现复合单量子系统的辐射偶极在+1至‑1之间的任意圆极化度调节。本发明不仅可实现辐射偶极极化状态在线极化、椭圆极化和圆极化间的灵活调控，还能够利用纳米光学天线的Purcell效应显著放大辐射偶极矩，并且在常温大气环境下即可工作，无需低温、强磁场等苛刻条件。
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公开(公告)号：CN110793651B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN201910854058.5
申请日：2019-09-10
Applicant: 华中科技大学 , 合刃科技(武汉)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种利用微透镜阵列提高单光子雪崩二极管(SPAD)阵列相机探测效率的方法。该方法首先通过一个微透镜阵列将信号光聚焦成光斑阵列，然后通过一个缩放系统将所述光斑阵列的周期缩放到和SPAD阵列相机的感光阵列的周期相等，当缩放后的光斑阵列和所述SPAD阵列相机的感光阵列对准时，所述SPAD阵列相机的探测效率得到最大幅度的提高。本发明解决了SPAD阵列相机感光区填充因子过低的问题导致相机探测效率较低的问题，通过简单添加外部光路就可以直接对SPAD阵列相机进行探测效率的提升。
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公开(公告)号：CN110793651A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201910854058.5
申请日：2019-09-10
Applicant: 华中科技大学 , 合刃科技(武汉)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种利用微透镜阵列提高单光子雪崩二极管(SPAD)阵列相机探测效率的方法。该方法首先通过一个微透镜阵列将信号光聚焦成光斑阵列，然后通过一个缩放系统将所述光斑阵列的周期缩放到和SPAD阵列相机的感光阵列的周期相等，当缩放后的光斑阵列和所述SPAD阵列相机的感光阵列对准时，所述SPAD阵列相机的探测效率得到最大幅度的提高。本发明解决了SPAD阵列相机感光区填充因子过低的问题导致相机探测效率较低的问题，通过简单添加外部光路就可以直接对SPAD阵列相机进行探测效率的提升。
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公开(公告)号：CN119394979A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411317747.X
申请日：2024-09-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明涉及量子发光体表征技术领域，公开了一种量子发光体偶极结构及取向的表征系统和方法。表征系统包括量子发光体样品固定组件，荧光激发、荧光探测及荧光寿命测量组件，扫描近场光学探针组件，扫描近场光学探针控制组件和数据处理模块。扫描近场光学探针组件在待测量子发光体周围进行三维空间扫描，得到Purcell因子分布，并与任意偶极结构及取向参数下数值仿真模拟得到的Purcell因子分布比较，拟合得到待测量子发光体的三维偶极结构及取向参数。本发明提出的表征方案是一种基于荧光寿命信息的近场表征方案，相比于传统的基于荧光强度信息的远场表征方案，具有更好的鲁棒性和更高的分辨率，可以更精确地表征量子发光体的三维偶极参数。
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