公开(公告)号：CN110289317B

公开(公告)日：2022-02-15

申请号：CN201910498085.3

申请日：2019-06-10

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 缪向水 ,  周越 ,  何毓辉 ,  陈阳洋

IPC: H01L29/78 ,  G06N3/063

Abstract: 本发明属于微电子器件领域，公开了一种铁电石墨烯晶体管及基于它的互补型突触器件和调控方法，其中铁电石墨烯晶体管包括源电极、漏电极、以及用于连接该源电极与该漏电极的石墨烯沟道，所述石墨烯沟道还通过铁电薄膜介质与顶栅电极相连，从而使得顶栅电极能有效调控沟道电导，实现三端可调的铁电石墨烯晶体管。而上述铁电石墨烯晶体管可在模拟突触中应用，其中，源电极用于模拟突触前，漏电极用于模拟突触后，石墨烯沟道通过电导参量用于模拟突触权重。本发明通过对三端铁电石墨烯晶体管的结构设计及各结构层所采用的具体材料等进行改进，实现了具有源、漏、栅的三端器件，能够更好的与SNN算法相兼容，且能够模拟人脑突触。

公开(公告)号：CN110289317A

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201910498085.3

申请日：2019-06-10

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 缪向水 ,  何毓辉 ,  陈阳洋 ,  周越

IPC: H01L29/78 ,  G06N3/063

Abstract: 本发明属于微电子器件领域，公开了一种铁电石墨烯晶体管及基于它的互补型突触器件和调控方法，其中铁电石墨烯晶体管包括源电极、漏电极、以及用于连接该源电极与该漏电极的石墨烯沟道，所述石墨烯沟道还通过铁电薄膜介质与顶栅电极相连，从而使得顶栅电极能有效调控沟道电导，实现三端可调的铁电石墨烯晶体管。而上述铁电石墨烯晶体管可在模拟突触中应用，其中，源电极用于模拟突触前，漏电极用于模拟突触后，石墨烯沟道通过电导参量用于模拟突触权重。本发明通过对三端铁电石墨烯晶体管的结构设计及各结构层所采用的具体材料等进行改进，实现了具有源、漏、栅的三端器件，能够更好的与SNN算法相兼容，且能够模拟人脑突触。