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公开(公告)号：CN116501249A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310334087.5
申请日：2023-03-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种减少GPU内存重复数据读写的方法及相关设备，属于计算机存储技术领域，写操作包括：(W1)判断待写入数据块是否是块内重复数据块，若是，则记录该数据块的类型以及其B字节元素，写操作结束；否则，转入(W2)；(W2)判断待写入数据块是否是块间重复数据块，若是，记录该数据块的类型并将其逻辑地址映射到其所引用的参考数据块的物理地址，写操作结束；否则，转入(W3)；(W3)判断待写入数据块是参考数据块还是非重复数据块，记录该数据块的类型，并将其写入DRAM中，写操作结束。本发明基于GPU负载的特性，对GPU的读写方法进行优化，有效减少对片外DRAM的重复数据读写，从而提升GPU的性能。
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公开(公告)号：CN113190474B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110484855.6
申请日：2021-04-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F12/0877
Abstract: 本发明公开了一种提升STT‑MRAM近似缓存能效的方法及系统，属于计算机存储技术领域。本发明包括近似编码方法，具体为，依次判断缓存行中各写入元素是否近似，将相邻且近似的元素编入同一近似元素组，依次输出各近似元素组的近似编码；所述近似编码包括近似元素组的基准值和近似元素组中各元素的近似标记位；所述基准值为一个近似元素组中最大元素与最小元素几何平均值；所述近似标记位用于标记元素的位置和近似信息，便于后续译码操作；上述编码方案可以大大减少数据写入量。此外，本发明提出了针对基准值的近似写方法，进一步减少对数据的写操作，从而大大提升近似计算应用的能效。
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公开(公告)号：CN107481750B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201710683689.6
申请日：2017-08-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C11/16
Abstract: 本发明公开了降低多层自旋转移矩磁存储器能耗的编解码方法，属于数据编解码技术领域。本发明包括编码和解码：编码发生在写数据时，编码时需要根据存储体中已有的缓存行数据、标志位数据和即将写入的缓存行数据，对即将写入的缓存行数据编码生成新的缓存行数据和新的标志位数据，主要包括三个步骤：读出数据；对Hard bit进行编码；对Soft bit进行编码；解码主要发生在读请求读取数据时，解码过程中从存储体中读取的数据包含一定位数的缓存行数据和一定位数的标志位数据，它们的比例可以根据实际需求确定，解码得到的数据为一个缓存行的数据。本发明将MLC STT‑RAM的Hard bit和Soft bit分开编码减少写过程中所需的状态变迁HT和ST的数量，能够有效降低MLC STT‑RAM的写能耗。
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公开(公告)号：CN117539408B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202410030995.X
申请日：2024-01-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种存算一体索引系统及键值对存储系统，属于存储与计算交叉领域，包括：控制器和多个可并行操作的阵列簇；阵列簇包括多个内容可寻址的交叉点阵列；阵列中，每一行用于存储一个键及其有效标志位；控制器用于对存储于阵列中的键值对数据执行索引操作；索引操作包括：插入操作；插入操作包括：对于待插入的键值对数据[ki,vi]，在键ki对应的哈希桶Bi所映射的阵列簇中查找一个未存储有效键的行，若查找成功，则将键ki存储到所分配的行后，将其有效标志位置为有效，并将值vi写入一个阵列行中；否则，返回操作失败。本发明能够在存储器内完成键值对索引操作，提高索引操作的并行性，降低索引操作延时。
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公开(公告)号：CN114818573A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210473740.1
申请日：2022-04-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F30/36
Abstract: 本发明公开了一种交叉点存储阵列的迭代模型建立方法及仿真方法，属于信息存储及存算一体化领域，模型为：仿真方法包括：(S1)初始化阵列中各结点的电压，由各存储单元的上结点和下结点的电压分别构成电压矩阵Vup和Vdown；(S2)根据Iarr[k‑1]＝G⊙(Vup‑Vdown)计算第k‑1次迭代中各存储单元的电流，并计算流过各字线及各位线的总电流；(S3)对第k次迭代中各存储单元的上结点电压和下结点电压进行更新以更新Vup和Vdown；(S4)迭代执行(S2)～(S3)，直至第k次迭代较上一次迭代的误差小于ε，或者达到最大的迭代次数。本发明能够降低仿真交叉点阵列的时间与空间复杂度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108665926B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201810400771.8
申请日：2018-04-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种交叉开关结构的阻变存储器写干扰优化方法，属于计算机存储领域。本发明基于两端写驱动的高效ReRAM设计，通过对SET干扰和RESET干扰建模，分析出只有RESET干扰会造成数据翻转错误，以此来减小解决写干扰的开销；通过在ReRAM阵列内部设置待选定干扰参考单元，并实时探测选定干扰参考单元的阻值状态，条件性地触发刷新操作，从而确保所有的半选择单元都不会发生数据翻转错误，提升阵列可靠性；通过构建概率模型来显示制程变化对累积干扰的影响，并且根据概率模型得出的结果，合理地修改刷新触发条件，提前触发刷新，保证即使在制程变化的影响下，所有单元也不会因为写干扰而发生数据翻转错误，从而进一步提升ReRAM阵列的可靠性。
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公开(公告)号：CN113190474A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110484855.6
申请日：2021-04-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F12/0877
Abstract: 本发明公开了一种提升STT‑MRAM近似缓存能效的方法及系统，属于计算机存储技术领域。本发明包括近似编码方法，具体为，依次判断缓存行中各写入元素是否近似，将相邻且近似的元素编入同一近似元素组，依次输出各近似元素组的近似编码；所述近似编码包括近似元素组的基准值和近似元素组中各元素的近似标记位；所述基准值为一个近似元素组中最大元素与最小元素几何平均值；所述近似标记位用于标记元素的位置和近似信息，便于后续译码操作；上述编码方案可以大大减少数据写入量。此外，本发明提出了针对基准值的近似写方法，进一步减少对数据的写操作，从而大大提升近似计算应用的能效。
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公开(公告)号：CN110993004A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911100579.8
申请日：2019-11-12
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于阻变存储阵列的朴素贝叶斯分类方法、引擎及系统，属于存储与计算融合领域，包括：利用单调递减的函数f对朴素贝叶斯进行变换将连乘转成点乘，其中先验概率 和条件概率 分别变为 和为每一个类别分配一条位线，并在各位线上，对应地为每一个先验概率 和每一个条件概率 分配一个存储单元；将存储单元的电导设置为与相应的先验概率或条件概率相关；根据待分类实例中各属性的取值，在相应的字线上施加电压，同时在先验概率所对应的字线上施加电压，使存储单元的电流大小相应等于 或 采集各位线上的电流，将最小电流所对应的类别确定为最终的分类结果。本发明能够降低朴素贝叶斯分类方法的延迟和功耗。
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公开(公告)号：CN109461811B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201811059080.2
申请日：2018-09-12
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种CRS阻变存储器的混合可重配方法，属于信息存储技术领域。本发明属于信息存储技术领域。本发明方法包括：使CRS阻变存储器的交叉点阵列中，每条字线只包含一个MEM单元，或每条位线只包含一个MEM单元；采用直接映射法存储MEM单元的模式标志位，构建单元模式记录表；CRS阻变存储器采用1TnR结构；动态切换储存单元的工作模式，保证最常被访问的单元处于MEM模式。本发明方法结合CRS单元的两种工作模式，互补对方的缺点，在对操作系统透明的情况下，以较小的开销下做到阵列单元可重配。从而达到抑制存储阵列潜行电流、提升可靠性和降低能耗的同时，尽可能减少CRS单元的恢复写操作，以此获得更低的延时和更长的使用寿命。
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公开(公告)号：CN117539408A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202410030995.X
申请日：2024-01-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种存算一体索引系统及键值对存储系统，属于存储与计算交叉领域，包括：控制器和多个可并行操作的阵列簇；阵列簇包括多个内容可寻址的交叉点阵列；阵列中，每一行用于存储一个键及其有效标志位；控制器用于对存储于阵列中的键值对数据执行索引操作；索引操作包括：插入操作；插入操作包括：对于待插入的键值对数据[ki,vi]，在键ki对应的哈希桶Bi所映射的阵列簇中查找一个未存储有效键的行，若查找成功，则将键ki存储到所分配的行后，将其有效标志位置为有效，并将值vi写入一个阵列行中；否则，返回操作失败。本发明能够在存储器内完成键值对索引操作，提高索引操作的并行性，降低索引操作延时。
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