一种双三相电机电流谐波抑制方法及装置

    公开(公告)号:CN119696447A

    公开(公告)日:2025-03-25

    申请号:CN202510004312.8

    申请日:2025-01-02

    Abstract: 本申请公开了一种双三相电机电流谐波抑制方法及装置,该方法包括:在双三相电机系统中采用两个三相半桥逆变器进行控制,其中,两电平空间矢量脉宽调制的电压谐波分布包括开关频率的基频和基频倍频;确定所述双三相电机系统的比例‑积分参数并分析计算扰动回路阻抗,在双三相电电流环一阶系统,采用一阶低通滤波器与电机串联,其中,所述一阶低通滤波器位于三相半桥逆变器与电机之间;在比例‑积分控制器前加入一个比例‑微分控制器,抵消在d轴电流环上加入的所述一阶低通滤波器,用于控制所述双三相电机系统的传递函数不变。

    一种基于不等宽磁路模型的交叉耦合计算方法及装置

    公开(公告)号:CN119647124A

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202411779732.5

    申请日:2024-12-05

    Abstract: 本申请公开了一种基于不等宽磁路模型的交叉耦合计算方法及装置,该方法包括:在永磁电机中采用归一法将永磁体等效磁动势源添加到d轴的大小极磁路中,得到归一大小极磁路模型,其中,磁路模型为基于归一大小极磁路法的d轴‑永磁体交叉耦合磁路模型;对磁路模型中隔磁桥部分进行调整,增加永磁体,其中,磁路模型调整前的大小极磁路三角区未与隔磁桥连通;在带永磁体磁动势的大小极磁路中,将永磁体之间的三角区和隔磁桥之间连接出通路,得到隔磁桥通路修正后的修正磁路模型;结合修正磁路模型和相应的等效磁路,计算得到回路总磁通量和电感。

    一种SiC MOSFET器件源漏电压在线监测电路

    公开(公告)号:CN220357189U

    公开(公告)日:2024-01-16

    申请号:CN202320975488.4

    申请日:2023-04-26

    Abstract: 本实用新型公开了一种SiC MOSFET器件源漏电压在线监测电路,包括两耗尽型MOSFET管M1和M2、两二极管D1和D2、两直流电源BT1和BT2、一电压表,其中,MOSFET管M1的源极通过电阻与MOSFET管M2的源极相连,MOSFET管M2的栅极通过电阻与MOSFET管M1的栅极相连,MOSFET管M2的漏极分别与二极管D1的负极、二极管D2的正极、电压表的一端相连,二极管D1的正极与直流电源BT1的负极相连,二极管D2的负极与直流电源BT2的正极相连。本实用新型在不影响SiC MOSFET正常工作的情况能够实时监测器件的源漏电压,进而实现对器件健康状态的区分。

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