公开(公告)号：CN102520249A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110423142.5

申请日：2011-12-16

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 张建生 ,  杨君友 ,  冯双龙 ,  刘铭 ,  李根 ,  刘正来 ,  彭江英 ,  肖也 ,  付良威

IPC: G01R27/02

Abstract: 本发明公开了一种绝缘衬底上的半导体薄膜厚度方向电导率的测量方法，首先在绝缘衬底上依次沉积第一条形导电金属薄膜、第一绝缘层、待测半导体薄膜、第二绝缘层及第二条形导电金属薄膜层；第一层绝缘层与第二层绝缘层在相同位置留有大小位置完全相同的导电小孔；其次，使上下两层金属薄膜与中间夹层半导体薄膜通过上下两导电小孔接触导通，形成串联的电流通路；然后，对该电流通路通入一定电流，并采集半导体薄膜两表面间对应于两开孔处的电压值；最后，根据所测得的电压值及对其所通电流值，即可求得半导体薄膜厚度方向的电导率。本发明原理简单，设备均为常见简单测试仪表，搭建和测试成本都成本低且简单易行，测试精度较高，数据处理极为简便。

公开(公告)号：CN101799440B

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN201010133486.8

申请日：2010-03-28

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 张建生 ,  杨君友 ,  张晖 ,  肖承京 ,  冯双龙 ,  朱虎 ,  朱云峰 ,  朱文 ,  彭江英

IPC: G01N25/20

Abstract: 本发明公开了一种测试薄膜热导率的新方法。通过样品上两个金属加热薄膜对有膜区域与无膜区域的同时加热，通过调整串联在电路中的精密可调电阻箱，使两个金属加热薄膜具有相同的加热功率密度。当两个金属加热薄膜具有相同的功率密度，形状相同，尺寸高度相近，作用在同一个较小的样品上时，可以认为两个金属加热薄膜的温升差，即为待测薄膜样品两个侧面的温差。通过高精度高速数据采集卡采集两个已知精密参考电阻和两个金属加热薄膜的电压信号，处理后得到两个金属薄膜的加热功率和温度变化，即待测薄膜的传热功率密度和薄膜两侧的温差，结合薄膜厚度，计算得到薄膜膜厚方向热导率。该方法原理简单，设备和测试成本较低，精度较高，数据处理容易。

公开(公告)号：CN101799440A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN201010133486.8

申请日：2010-03-28

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 张建生 ,  杨君友 ,  张晖 ,  肖承京 ,  冯双龙 ,  朱虎 ,  朱云峰 ,  朱文 ,  彭江英

IPC: G01N25/20

Abstract: 本发明公开了一种测试薄膜热导率的新方法。通过样品上两个金属加热薄膜对有膜区域与无膜区域的同时加热，通过调整串联在电路中的精密可调电阻箱，使两个金属加热薄膜具有相同的加热功率密度。当两个金属加热薄膜具有相同的功率密度，形状相同，尺寸高度相近，作用在同一个较小的样品上时，可以认为两个金属加热薄膜的温升差，即为待测薄膜样品两个侧面的温差。通过高精度高速数据采集卡采集两个已知精密参考电阻和两个金属加热薄膜的电压信号，处理后得到两个金属薄膜的加热功率和温度变化，即待测薄膜的传热功率密度和薄膜两侧的温差，结合薄膜厚度，计算得到薄膜膜厚方向热导率。该方法原理简单，设备和测试成本较低，精度较高，数据处理容易。