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公开(公告)号：CN112951995B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110387250.5
申请日：2021-04-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种自整流忆阻器电路的存算一体化操作方法及应用，属于微电子领域，具体为：基于不同的逻辑操作，对自整流忆阻器施加不同的控制信号进行数据存储与运算，实现不同的逻辑功能。逻辑操作获取的方法是基于单个自整流忆阻器，以自整流忆阻器当前阻值状态、上、下电极施加电压情况以及对其的读取方向四个变量的逻辑方案，利用逻辑运算公式，获取不同自整流忆阻器当前输入量对应的逻辑操作；或是基于忆阻器电路，将两个自整流忆阻器下电极相连，通过调节自整流忆阻器P和Q的当前阻值状态，可以实现16种完备逻辑操作。本发明为自整流忆阻器逻辑操作和存算一体化架构实现提供了理论支撑。
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公开(公告)号：CN114188477B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202111397386.0
申请日：2021-11-23
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种自整流忆阻器阵列及其制备方法和应用，该自整流忆阻器阵列包括垂直堆叠于衬底上的第一电极层阵列，所述第一电极层阵列中每个第一电极层上设置有绝缘层；所述第一电极层阵列中每列的中间开设有沟槽，所述沟槽两侧设置有绝缘层；所述第一电极层阵列中每列的外围由内至外依次设置低k介质层、高k介质层和第二电极层。本发明通过在第一电极层阵列中设置沟槽，使得形成忆阻器阵列，每个忆阻器由横向依次分布的第一电极、低k介质层、高k介质层和第二电极组成，大大增加了忆阻器的存储密度，同时解决了阵列中漏电流问题，适宜商业上推广应用。
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公开(公告)号：CN114188477A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111397386.0
申请日：2021-11-23
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种自整流忆阻器阵列及其制备方法和应用，该自整流忆阻器阵列包括垂直堆叠于衬底上的第一电极层阵列，所述第一电极层阵列中每个第一电极层上设置有绝缘层；所述第一电极层阵列中每列的中间开设有沟槽，所述沟槽两侧设置有绝缘层；所述第一电极层阵列中每列的外围由内至外依次设置低k介质层、高k介质层和第二电极层。本发明通过在第一电极层阵列中设置沟槽，使得形成忆阻器阵列，每个忆阻器由横向依次分布的第一电极、低k介质层、高k介质层和第二电极组成，大大增加了忆阻器的存储密度，同时解决了阵列中漏电流问题，适宜商业上推广应用。
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公开(公告)号：CN112951995A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110387250.5
申请日：2021-04-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种自整流忆阻器电路的存算一体化操作方法及应用，属于微电子领域，具体为：基于不同的逻辑操作，对自整流忆阻器施加不同的控制信号进行数据存储与运算，实现不同的逻辑功能。逻辑操作获取的方法是基于单个自整流忆阻器，以自整流忆阻器当前阻值状态、上、下电极施加电压情况以及对其的读取方向四个变量的逻辑方案，利用逻辑运算公式，获取不同自整流忆阻器当前输入量对应的逻辑操作；或是基于忆阻器电路，将两个自整流忆阻器下电极相连，通过调节自整流忆阻器P和Q的当前阻值状态，可以实现16种完备逻辑操作。本发明为自整流忆阻器逻辑操作和存算一体化架构实现提供了理论支撑。
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