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公开(公告)号：CN110028511B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201910229669.0
申请日：2019-03-25
Applicant: 华东理工大学
IPC: C07D487/22 , C01B25/00
Abstract: 本发明属于酞菁类材料的合成及通过共价修饰对黑磷进行化学保护技术领域，具体涉及将一种不对称含氟酞菁通过平面共价修饰对黑磷进行化学保护的方法，同时还涉及一种新型不对称含氟酞菁重氮盐的制备方法。相比与黑磷本体表现出的极易氧化的缺点，本发明所制备的复合材料ZnPc‑BP具有优异环境稳定性，同时还具有突出的光学性质以及电荷传输性质，这使其在光电器件方面有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN110407968B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201910273272.1
申请日：2019-04-04
Applicant: 华东理工大学
IPC: C08F126/12 , C08F120/14 , C08F2/38
Abstract: 本发明属于分子内含有羧基的可逆加成‑断裂链转移(RAFT)试剂通过共价修饰的方法对BP纳米片进行接枝，获得一种新型的基于黑磷的RAFT试剂的方法。该方法适用于各种分子内含有羧基的RAFT试剂并且能够有效适用于一系列RAFT聚合的单体，为黑磷纳米片的修饰提供了一个平台，同时用该方法所述的材料进行聚合物修饰的黑磷纳米片材料相比纯黑磷纳米片还具有突出的溶解性以及电荷传输性质，这使其在光电器件方面有着广泛的应用前景。本发明适用于s‑1‑十二烷基‑s’‑(a,a’‑二甲基‑a”‑乙酸基)三硫代碳酸脂(DDAT)、4‑氰基‑4‑[(十二烷基硫烷基硫羰基)硫烷基]戊酸、4‑氰基‑4‑(苯基硫代甲酰硫基)戊酸、S‑(硫代苯甲酰基)硫乙酸等分子内包含羧基的RAFT试剂。
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公开(公告)号：CN111834524A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010651847.1
申请日：2020-07-08
Applicant: 华东理工大学
Abstract: 本发明属于有机/高分子信息存储技术领域，具体提供了一种具备非易失性存储可重写性质的共轭高分子存储器件及其制备方法和应用。该器件结构为经典的三明治结构，底电极是涂有ITO的玻璃基板，活性层为一种侧链为新型高分子材料PBDT-BQTPA的薄膜，顶电极为Au。通过对该器件施加不同的电压，器件显示出反复可擦写存储性能，其电流-电压特性曲线表现出极小的开启关闭电压，且开启关闭电压的绝对值大致相同，表现出只需调节电压方向且功耗较小的非易失性存储可重写开关性质。在制备小型化器件以及降低存储器件能量损耗方面具有优异的前景。
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公开(公告)号：CN110407968A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910273272.1
申请日：2019-04-04
Applicant: 华东理工大学
IPC: C08F126/12 , C08F120/14 , C08F2/38
Abstract: 本发明属于分子内含有羧基的可逆加成-断裂链转移(RAFT)试剂通过共价修饰的方法对BP纳米片进行接枝，获得一种新型的基于黑磷的RAFT试剂的方法。该方法适用于各种分子内含有羧基的RAFT试剂并且能够有效适用于一系列RAFT聚合的单体，为黑磷纳米片的修饰提供了一个平台，同时用该方法所述的材料进行聚合物修饰的黑磷纳米片材料相比纯黑磷纳米片还具有突出的溶解性以及电荷传输性质，这使其在光电器件方面有着广泛的应用前景。本发明适用于s-1-十二烷基-s’-(a,a’-二甲基-a”-乙酸基)三硫代碳酸脂(DDAT)、4-氰基-4-[(十二烷基硫烷基硫羰基)硫烷基]戊酸、4-氰基-4-(苯基硫代甲酰硫基)戊酸、S-(硫代苯甲酰基)硫乙酸等分子内包含羧基的RAFT试剂。
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公开(公告)号：CN110194451A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910406974.2
申请日：2019-05-15
Applicant: 华东理工大学
IPC: C01B32/194 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本发明属于信息存储技术领域，具体涉及一种同时具有给体和受体基团的高分子共价修饰的石墨烯材料及其制法和应用。本发明还提供了基于石墨烯材料构造三态阻变存储器件的方法。本发明中器件由底电极，基于高分子修饰石墨烯材料的活性层以及顶点极构成，其中高分子具有给体和受体两种类型基团。对该存储器件施加不同的电压时，该器件表现出三种不同的电阻状态，具有存储功能。由于施加电压时存储器件表现为三种电阻态，相对于双稳态器件，该器件存储密度从2n提高到了3n，能够存储更多的信息。该器件具有良好的稳定性，制备过程简单，成本低，可大面积制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110028511A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910229669.0
申请日：2019-03-25
Applicant: 华东理工大学
IPC: C07D487/22 , C01B25/00
Abstract: 本发明属于酞菁类材料的合成及通过共价修饰对黑磷进行化学保护技术领域，具体涉及将一种不对称含氟酞菁通过平面共价修饰对黑磷进行化学保护的方法，同时还涉及一种新型不对称含氟酞菁重氮盐的制备方法。相比与黑磷本体表现出的极易氧化的缺点，本发明所制备的复合材料ZnPc-BP具有优异环境稳定性，同时还具有突出的光学性质以及电荷传输性质，这使其在光电器件方面有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN111834526B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202010652703.8
申请日：2020-07-08
Applicant: 华东理工大学
Abstract: 本发明属于信息存储技术领域，具体提供了一种基于聚苯胺修饰黑磷纳米片的多功能电子器件及其制备方法和应用，同时具备忆阻器性能和非易失性可擦写阻变存储性能。本发明中器件结构为经典的三明治结构，顶电极为Al，活性层为聚苯胺修饰的黑磷纳米片，底电极为ITO(氧化铟锡)。该器件在小电压窗口表现出忆阻器特性，且具有良好的线性关系；在大电压窗口则表现出双稳态非易失性可擦写行为，具有良好的保持性和耐受性。
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公开(公告)号：CN110034231A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910229224.2
申请日：2019-03-25
Applicant: 华东理工大学
Abstract: 本发明属于有机/高分子信息存储器件领域，具体提供一种同时具备信息存储和数据处理能力的高分子忆阻器及其制备方法和应用。该器件结构为经典的三明治结构，底电极为Pt，活性层为侧链含三苯胺和二茂铁两个氧化还原基团的聚芴材料PFTPA-Fc薄膜，顶电极为ITO。通过对该器件施加不同的电压，其电流电压曲线表现出不同的特性：在低导态可以实现多态存储、在高导态能实现算术运算和逻辑运算功能。此外，器件可以实现高导态和低导态间的自由切换。通过高分子的分子设计和电学性能调控将多态存储和运算功能集成到单个忆阻器中，得到高性能的电子器件，是一种满足当今日益增长的数据存储和处理需求的有效手段。
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公开(公告)号：CN111834525B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202010652679.8
申请日：2020-07-08
Applicant: 华东理工大学
Abstract: 本发明属于信息存储技术领域，公开了一种新型光电双响应阻变存储器件及其制备的方法。具体包括如下步骤：首先使用机械剥离，将块状黑磷剥离成黑磷量子点；其次，将黑磷量子点和C60衍生物PCBM共混，加入PVP以协助成膜，溶于NMP中；最后，利用旋涂法把共混物涂覆在导电玻璃表面，获得杂化纳米薄膜，然后在薄膜表面沉积金属电极。通过本发明获得的阻变存储器，其具有特殊的光电双响应特性，可以通过电场和光场调控器件的开启和关闭。
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公开(公告)号：CN111834525A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010652679.8
申请日：2020-07-08
Applicant: 华东理工大学
Abstract: 本发明属于信息存储技术领域，公开了一种新型光电双响应阻变存储器件及其制备的方法。具体包括如下步骤：首先使用机械剥离，将块状黑磷剥离成黑磷量子点；其次，将黑磷量子点和C60衍生物PCBM共混，加入PVP以协助成膜，溶于NMP中；最后，利用旋涂法把共混物涂覆在导电玻璃表面，获得杂化纳米薄膜，然后在薄膜表面沉积金属电极。通过本发明获得的阻变存储器，其具有特殊的光电双响应特性，可以通过电场和光场调控器件的开启和关闭。
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