公开(公告)号：CN104828772A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201510232694.6

申请日：2015-05-08

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 王连卫 ,  吴大军

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种在硅微通道板中生长石墨烯的方法，包括以下步骤：(1)预处理：将硅微通道板浸泡在腐蚀液中；(2)无电镀镍：将预处理后的硅微通道板放入无电镀镍溶液中，进行化学镀多孔镍；(3)水热多元醇渗碳：表面活性剂再次浸泡镀镍硅微通道板，将其放入装有多元醇和钠盐催化剂的水热反应釜中；(4)退火：含有碳化镍的硅微通道板在管式炉中退火。与现有技术相比，该方法克服了利用电泳技术将石墨烯塞入硅微通道无法实现的困难；同时，避免了利用化学气相沉积方法生长石墨烯工艺复杂、成本高的缺点。能够在高深宽比的镀镍硅微通道板表面和孔内生长多层石墨烯，该方法环境友好，简单易行，成本低廉等特点。

公开(公告)号：CN105197878A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510350542.6

申请日：2015-06-23

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 王连卫 ,  吴大军 ,  徐少辉 ,  朱一平 ,  熊大元

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种利用石墨烯实现电子场发射装置的制备方法，包括以下步骤：(1)预处理：将硅片进行RCA清洗；2)制备硅尖：通过硅加工工艺形成硅尖，作为制备石墨烯尖端的模具；(3)化学镀镍：将硅尖置于表面活性剂中浸润，然后用化学镀镍的方法在硅尖进行化学镀镍；(4)水热多元醇渗碳：将带有镀镍硅尖的硅片放入装有多元醇和钠盐催化剂的水热反应釜中水热渗碳；(5)退火：含有碳化镍的硅尖在管式炉中退火，形成石墨烯包覆的镀镍硅尖。与现有技术相比，该方法克服了利用电泳技术在硅尖中形成石墨烯粘附性差的缺点；同时，避免了利用化学气相沉积方法生长石墨烯工艺复杂、成本高的缺点。能够在硅尖端的表面形成多层石墨烯，该方法环境友好，简单易行，成本低廉等特点。