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公开(公告)号：CN116047114A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310013832.6
申请日：2023-01-05
Applicant: 北京量子信息科学研究院
Abstract: 本发明提供了一种表面离子阱囚禁电场空间分布的测量方法，包括：向所述离子阱电极施加激励信号；通过包括带电探针组件的原子力显微测量模块对所述离子阱的电极表面进行扫描，其中，所述带电探针组件配置成与扫描对象表面的电场发生相互作用，并诱导所述带电探针组件发生偏转或振荡状态变化；通过所述原子力显微测量模块的光学系统检测所述带电探针组件的状态变化，以确定所述离子阱囚禁电场的空间分布情况。本发明所提供的离子阱囚禁电场分布的测量方法，支持基于原子力显微术对表面离子阱囚禁电场的空间分布进行直接测量，消除了理论计算方法与实际物理模型的差异，解决了表面离子阱电极加工品质和囚禁离子属性难以确定而导致后续量子操作实验效率极低的困扰。
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公开(公告)号：CN116047114B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202310013832.6
申请日：2023-01-05
Applicant: 北京量子信息科学研究院
Abstract: 本发明提供了一种表面离子阱囚禁电场空间分布的测量方法，包括：向所述离子阱电极施加激励信号；通过包括带电探针组件的原子力显微测量模块对所述离子阱的电极表面进行扫描，其中，所述带电探针组件配置成与扫描对象表面的电场发生相互作用，并诱导所述带电探针组件发生偏转或振荡状态变化；通过所述原子力显微测量模块的光学系统检测所述带电探针组件的状态变化，以确定所述离子阱囚禁电场的空间分布情况。本发明所提供的离子阱囚禁电场分布的测量方法，支持基于原子力显微术对表面离子阱囚禁电场的空间分布进行直接测量，消除了理论计算方法与实际物理模型的差异，解决了表面离子阱电极加工品质和囚禁离子属性难以确定而导致后续量子操作实验效率极低的困扰。
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公开(公告)号：CN116759878A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310602825.X
申请日：2023-05-26
Applicant: 北京量子信息科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种光学参考腔，包括：第一腔镜；第二腔镜，所述第二腔镜的镜面与所述第一腔镜的镜面相对放置；腔体，为中空结构，连接所述第一腔镜与所述第二腔镜，以使光信号在其中往复；中心对齐调节部，与所述第一腔镜连接，配置成带动所述第一腔镜沿镜面平面内移动，以达到与第二腔镜的中心对齐；平行调节部，与所述第二腔镜连接，配置成带动第二腔镜发生偏转，以达到与第一腔镜的镜面平行。本发明所提供的光学参考腔，设计有可独立装配并可集成于光学参考腔体的两端孔内的中心对齐调节部和平行调节部，通过调节机构对第一腔镜与第二腔镜的中心对齐调节、调平机构对第二腔镜进行镜面调平、进一步通过调节机构内部的压电陶瓷带动第一腔镜对光学参考腔体长度调节的配合，最终实现光学参考腔的快速装配与精密调节。
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