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公开(公告)号：CN118278280A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410411364.2
申请日：2024-04-08
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 电子科技大学(深圳)高等研究院
IPC: G06F30/27 , H01Q21/00 , G06F18/23213 , G06N3/126 , G06F111/08 , G06F113/16 , G06F119/02 , G06F119/06 , G06F119/18
Abstract: 本发明公开了一种基于稀疏先验和聚类的相控阵子阵划分方法，属于相控阵列天线综合领域。本发明的技术方案分为两部分：基于遗传算法稀疏布阵的阵元权重矩阵算法，以及基于阵元权重矩阵的K均值聚类的子阵划分算法。首先，使用基于遗传算法稀疏布阵的阵元权重矩阵算法获得相控阵的阵元稀疏权重矩阵。然后，使用基于阵元权重矩阵的K均值聚类的子阵划分算法获得子阵划分方案。本发明设计的相控阵天线增益高、副瓣低、可以节省大部分阵元驱动网络，不仅适用于规则和非规则的子阵划分方式，而且算法简单有效，划分结果较为稳定。
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公开(公告)号：CN118763393A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410833051.6
申请日：2024-06-26
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 电子科技大学(深圳)高等研究院
Abstract: 本发明公开了一种D波段宽波束磁电偶极子天线，属于射频前端器件领域。该宽波束磁电偶极子天线由四个中心对称的电偶极子贴片、四组磁偶极子金属化通孔、梯形耦合馈电结构、微带线耦合馈电结构、介质基板、金属地、微带侧馈匹配端口和共面波导‑微带转换匹配端口组成。当通过任意一种方式进行馈电时，同时激励起电偶极子和磁偶极子的电磁辐射，调整其相对位置使二者辐射方向图得以合成，该天线单元具有宽波束高增益的特征。天线采用单层板设计，无复杂馈电网络，结构简单、制造方便，采用金属化通孔等效磁偶极子单元，降低剖面，平面微带结构可以实现快速印刷制造。
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公开(公告)号：CN116544663A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310658916.5
申请日：2023-06-06
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 电子科技大学(深圳)高等研究院
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波段的四臂螺旋方向图可重构天线，属于射频前端器件技术领域。其由底层馈电结构，四个信号输入端口，两层介质层，中间金属层，顶层天线金属层，四个金属柱结构共同组成；顶层天线金属层，由四个渐变螺旋臂天线单元组成。该渐变螺旋臂天线单元，由直臂和渐变螺旋臂组合而成，螺旋臂结构从起始位置到终止位置宽度是渐变的，越来越宽，在每个天线单元的直臂起始馈电位置连接一个圆盘用来与金属柱匹配。本发明可实现最大波束角度在θ=50度平面上φ=150°，‑120°，‑30°，60°四种辐射模式，且半功率波束宽度均大于50°，最大增益均超过7dB，反射系数‑10dB阻抗带宽大于15%；结构简单、制造方便，可以通过硅基工艺进行制造。
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公开(公告)号：CN116401812A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310126626.6
申请日：2023-02-17
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 电子科技大学(深圳)高等研究院
Abstract: 本发明提出了一种基于改进白鲨算法的稀疏天线方向图综合方法，属于射频天线技术领域，该方法主要用于解决智能优化算法在稀疏天线旁瓣抑制过程中易陷入局部最优，收敛速度慢，从而降低稀疏天线的旁瓣抑制能力的问题。本发明基于白鲨算法，并在算法中加入种群分区的策略以及自适应参数。把白鲨位置带入适应度函数值中计算，通过白鲨个体适应度函数值的大小以及前后两次迭代适应度值变化的大小对白鲨进行子群划分，不同子群使用不同的搜索方式。在搜索中加入了自适应函数，随着迭代次数的变化，搜索半径随之变化。该方法兼具全局搜索能力及快速收敛性，提高了稀疏天线的旁瓣和主瓣抑制能力。
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公开(公告)号：CN116053777A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310112295.0
申请日：2023-02-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 电子科技大学(深圳)高等研究院 , 北京邮电大学
Abstract: 本发明为一种应用于毫米波段相控阵的双极化微带贴片天线，属于射频前端领域。该天线主要包括两个基板及两个贴片结构，其中顶层贴片由两个同轴探针进行馈电，馈电端口有两个馈电缝隙，底层贴片为十字型，其增加了双极化天线辐射的交叉极化比。本发明天线在H面±45°实现了双极化特性，10dB相对带宽为38.9%，辐射方向图半功率波束宽度都大于100°。本发明天线具有结构简单、制造简单的特点，其采用平面微带结构，可以实现快速印刷制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118590165A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410838480.2
申请日：2024-06-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学 , 电子科技大学(深圳)高等研究院
IPC: H04B17/391 , G06N3/006 , H04B17/382
Abstract: 本发明公开了一种基于改进混沌麻雀算法的稀布平面阵列天线优化方法，属于天线综合技术领域；本方法实现过程包括：首先根据阵列类型建立稀布阵列天线模型，设定相关参数、约束条件及适应度函数；其次采用改进的混沌麻雀搜索算法(ICSSA)，在初始化种群阶段引入Logistic‑Tent混合混沌映射序列，改进发现者位置更新公式，增强其全局搜索能力，在跟随者更新过程中结合柯西变异策略，并融合黑翅鸢优化算法(BKA)，避免陷入局部最优解；最后通过一定次数的迭代优化，得到最优解。本发明相较于未改进的麻雀搜索算法，能够进一步抑制副瓣电平，且收敛速度得到明显提升，显著减少了时间及计算成本。
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公开(公告)号：CN116799451A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310783506.3
申请日：2023-06-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学 , 电子科技大学(深圳)高等研究院
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波段MEMS复合梁开关，属于射频前端器件技术领域。其由直流端口金属块，直流偏置线，微带线匹配结构，复合梁，中间导通结构，金属电极，氮化硅绝缘层，硅基衬底，金属地组成。该开关为复合固支梁电容式开关，复合梁由二氧化硅材料固支梁及吸附在其下方的金属梁组合而成，直流端口分别经过直流偏置线连接到金属梁锚点位置及金属电极，可以通过直流端口输入不同直流电压控制复合梁的抬起状态与吸附到电极的下拉状态，分别对应着开关的断开状态与导通状态。本发明可以在太赫兹波段350GHz频率以下实现高隔离度：微秒量级的响应时间，且不易发生破坏性形变；结构简单、制造方便，可以通过硅基工艺进行制造。
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公开(公告)号：CN115799819A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211442286.X
申请日：2022-11-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 电子科技大学(深圳)高等研究院 , 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种毫米波宽波束圆极化双层微带贴片天线，属于天线技术领域；其包括层叠的上层介质板和下层介质板，上层介质板的上表面设有寄生贴片，寄生贴片为十字型结构；上层介质板的下表面设有半固化层；下层介质板的上表面设有辐射贴片和寄生枝节，寄生枝节均为直角梯形结构；两组寄生枝节分别设于下层介质板上表面的两个对角位置处；辐射贴片位于寄生枝节围成的区域内；下层介质板的下表面设有接地金属板，同轴馈线的内导体穿过小孔与辐射贴片连接，同轴馈线的外导体与接地金属板连接。本发明工作于27.65GHz至34.21GHz，在29GHz时可以实现113°最大半功率波束宽度，并且在该频点处，3db轴比宽度可达到170°左右，具有良好的宽波束圆极化性能。
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公开(公告)号：CN115632242A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211349298.8
申请日：2022-10-31
Applicant: 北京邮电大学 , 电子科技大学(深圳)高等研究院
Abstract: 本发明公开了一种宽波束内弧形微带天线，自下而上依次设置几何中心共线且呈方形的第一金属层、第一介质层、第二金属层、第二介质层和回型寄生单元；其中，所述回型寄生单元下方设有辐射贴片；所述第一介质层中设有馈电网络，所述第二金属层上设有U型缝隙，共同构成馈电结构；所述微带天线还具有SIW结构，所述SIW结构将辐射贴片与馈电结构在水平方向上完全包围起来；所述SIW结构具有多个金属通孔，贯穿微带天线上下全部结构。该天线加载回型寄生单元位于天线最顶层，能够减小天线的辐射口径和增益，从而增大波束宽度。具有结构简单、设计方便、宽带宽、宽波束等特点。
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公开(公告)号：CN119764834A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411701196.7
申请日：2024-11-26
Applicant: 电子科技大学(深圳)高等研究院 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种RF MEMS开关的太赫兹可编程超表面单元，属于通信技术领域，包括：第二衬底；正极控制线；背覆地；第一衬底；直流接地柱；上贴片；信号线；RF MEMS开关；直流偏置线结构。通过直流电压变化来控制开关的断开与导通，实现超表面单元180°反射相位差，本发明达到了技术效果：(1)180°反射相位差工作带宽大，在285GHz到320GHz，反射相位差范围在172°到193°；(2)反射相位高线性度，在285GHz到320GHz，开关down态时的反射相位范围在117°到52°，开关up态时的反射相位范围在‑53°到‑129°；(3)加工工艺要求低，开关的第二层锚点和下电极分别采用偏置线相连，减少电极打孔数量；(4)偏置线部分使用金属，减小偏置线的分压，降低驱动电压。
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