一种基于IMPA的SPR光栅型传感器性能优化方法

    公开(公告)号:CN119692177A

    公开(公告)日:2025-03-25

    申请号:CN202411747383.9

    申请日:2024-12-02

    Abstract: 本发明涉及基于IMPA的SPR光栅型传感器性能优化方法,是一种对Kretschmann型SPR光栅传感器进行结构性能优化的方法,本发明涉及传感器与运筹学领域,其特征在于采用如下步骤:(1)确定传感器结构及其参数;(2)确定传感器结构设计中的约束条件;(3)确定传感器结构优化设计的目标函数;(4)模型参数求解初始化;(5)IMPA迭代求解优化模型。本发明克服了现有技术中多参数联合优化的难题,将运筹学中的优化理论与实际传感器的设计过程进行深度融合,综合考虑了传感器的灵敏度、响应速度、稳定性多个优化目标,并将MPA算法应用于传感器优化模型求解中,充分发挥MPA在高维、非线性优化问题中的优势,为Kretschmann型SPR光栅传感器结构性能优化提供了新的方法。

    一种基于FPCL-DCNN的SPR光栅型传感器设计方法

    公开(公告)号:CN119598849A

    公开(公告)日:2025-03-11

    申请号:CN202411649365.7

    申请日:2024-11-19

    Abstract: 一种基于FPCL‑DCNN的SPR光栅型传感器设计方法,是对Kretschmann型SPR光栅传感器进行分子级自适应特性设计的方法,属于传感器与人工智能领域,其特征在于采用如下步骤:(1)对待测分子在生物基膜表层的活性基团进行化学反应方面的修饰;(2)引入Langmuir物理吸附模型;(3)确定与待测分子反应的生物基膜的成分;(4)定义初始模型参数;(5)构建DCNN多模态卷积神经网络优化模型;(6)损失函数与输出层设计。本发明克服了现有技术对待测物质在传感器表面与其相互作用无法精准控制的问题,通过对待测物质进行物理化学修饰,并将传感器待设计参数输入DCNN模型,通过输出层的线性激活函数输出最优的SPR传感器参数,为SPR光栅型传感器参数设计提供新的方法。

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